「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

This chemical sensor includes a semiconductor layer where a body region is formed between a drain region and a source region, the sensitive film formed at the upper surface side of the body region, a gate insulation film formed at the under surface side of the body region, and a gate electrode formed at the under surface side of the gate insulation film.例文帳に追加

化学センサは、ドレイン領域とソース領域との間にボディ領域が形成された半導体層と、ボディ領域の上面側に形成された感応膜と、ボディ領域の下面側に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の下面側に形成されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

There is provided a semiconductor circuit comprising: a gate region shared between a first transistor and a second transistor; a gate insulating film arranged so as to contact the gate region; and a semiconductor layer arranged so as to contact the gate insulating film.例文帳に追加

半導体回路は、第１および第２のトランジスタで共有されるゲート領域と、ゲート領域に接するように配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するように配置される半導体層と、を備える。 - 特許庁

Then region parts of the gate electrode material layers present outside the gate electrode formation expected regions are removed, and a gate electrode 41 is formed of a region part of the remaining gate electrode material layer.例文帳に追加

そして、ゲート電極形成予定領域の外側に存在するゲート電極材料層の領域部分を除去するとともに、残存したゲート電極材料層の領域部分からゲート電極４１を形成する。 - 特許庁

In the gate region deriving the gate conductor 30 to the surface of the substrate, the inside of the gate region trench 22 is completely filled with the gate conductor 30.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴとして電流を駆動する活性領域では、活性領域トレンチ内にゲート導電体および柱状ドレイン電極を設け、ドレイン電極とゲート導電体とのオーバーラップ容量を小さくする。 - 特許庁

The floating gate electrode 6 is formed aligning itself with the control gate 7, a drain region 4 with the control gate electrode 7, and a source region 3 with the floating gate electrode 6.例文帳に追加

そして、浮遊ゲート電極６は制御ゲート電極７に対して、ドレイン領域４は制御ゲート電極７に対して、ソース領域３は浮遊ゲート電極６に対して、それぞれ自己整合的に形成されている。 - 特許庁

A gate line transmits a gate signal, a switching element is formed in a region defined by the gate line and a data line, a gate electrode is connected to the gate line, and a source electrode is connected to the data line.例文帳に追加

ゲートラインはゲート信号を伝達し、スイッチング素子はゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成され、ゲート電極がゲートラインに連結され、ソース電極がデータラインに連結される。 - 特許庁

The memory transistor MT uses a region just under the floating gate 14 of substrate as the photo-electric converting region PD.例文帳に追加

メモリトランジスタＭＴは、基板の浮遊ゲート１４直下の領域を光電変換領域ＰＤとする。 - 特許庁

A gate electrode 21 is provided above the floating region 18, but the well layer 16 is located below the region 18.例文帳に追加

浮遊領域１８の井戸層１６と反対側の位置にはゲート電極２１が設けられている。 - 特許庁

The n^+ source region SR is formed on a principal surface 12 in the p-type back gate region BG.例文帳に追加

ｎ^+ソース領域ＳＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成されている。 - 特許庁

A transistor includes: a p-type region; a barrier region; an insulation film; a gate electrode.例文帳に追加

このトランジスタは、ｐ型領域と、チャネル領域と、バリア領域と、絶縁膜と、ゲート電極を備えている。 - 特許庁

The P^-- diffusion region 52 is depleted before the P diffusion region 51 upon OFF of the gate voltage.例文帳に追加

Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオフ時に，Ｐ拡散領域５１よりも先に空乏化される。 - 特許庁

An LDD region is formed by implantation in the island-like semiconductor region by using the gate as a mask.例文帳に追加

ゲートをマスクとして、ＬＤＤ領域が、注入により島状半導体領域に形成される。 - 特許庁

A gate electrode 3 is formed on the n^+-type active region 1 and the p^+-type active region 2.例文帳に追加

Ｎ＋活性領域１及びＰ＋活性領域２上には、ゲート電極３が形成されている。 - 特許庁

The gate insulation layer 60 is formed on a surface between the source region 20 and the second region 14.例文帳に追加

ゲート絶縁層６０はソース領域２０と第２領域１４との間の表面上に設けられる。 - 特許庁

A gate line is formed on a semiconductor substrate in which an active region and a field region are partitioned off.例文帳に追加

アクティブ領域及びフィールド領域が区分された半導体基板上に、ゲートラインが形成される。 - 特許庁

The drain region 4, source region 5, and gate electrode 8 constitute an MOS transistor 20.例文帳に追加

それらドレイン領域４、ソース領域５およびゲート電極８によりＭＯＳトランジスタ２０を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING TRANSISTOR GATE DIELECTRIC HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT REGION AND LOW DIELECTRIC CONSTANT REGION例文帳に追加

高誘電率の領域と低誘電率の領域を有するトランジスタゲート誘電体を形成する方法 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate, a gate structure, a source region, a drain region, and two dielectric barrier layers.例文帳に追加

半導体装置は、基板、ゲート構造、ソース領域、ドレイン領域と二つの誘電体バリア層を含む。 - 特許庁

The FET 100 comprises a gate insulation layer 30, a source region 32, and a drain region 34.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、ゲート絶縁層３０と、ソース領域３２と、ドレイン領域３４とを含む。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed through a gate insulating film 13 on a channel region 12 of an element region 11, and insulating side wall insulating films 16 are formed at both side parts of the gate electrode 14.例文帳に追加

素子領域１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４、その両側部に絶縁性のサイドウォール絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

A cell gate pattern in which a charge storing layer is installed is arranged in the cell region, and a high voltage type gate pattern a low voltage type gate pattern and a resistance pattern are arranged in the peripheral region.例文帳に追加

セル領域に電荷貯蔵層が備えられたセルゲートパターンが配置され、周辺領域に高電圧型ゲートパターン、低電圧型ゲートパターン及び抵抗パターンが配置される。 - 特許庁

A floating gate 15b formed on the control gate region 9b through the silicon oxide film 11 spreads partially above a tunnel oxide film 13a on the control gate region 9a.例文帳に追加

コントロールゲート領域９ｂ上にシリコン酸化膜１１を介して形成されたフローティングゲート１５ｂの一部はコントロールゲート領域９ａ上のトンネル酸化膜１３ａ上に延伸している。 - 特許庁

A manufacturing method of this image sensor forms a photodiode in the diode region and forms a transfer gate, a reset gate and a selection gate on an active region, while isolating them sequentially at predetermined spacing.例文帳に追加

このイメージセンサの製造方法はダイオード領域内にフォトダイオードを形成し、活性領域上にトランスファゲート、リセットゲート及び選択ゲートを順次に所定間隔離隔させて形成する。 - 特許庁

A floating gate 15a formed on a control gate region 9a through a silicon oxide film 11 spreads partially above a tunnel oxide film 13b on a control gate region 9b.例文帳に追加

コントロールゲート領域９ａ上にシリコン酸化膜１１を介して形成されたフローティングゲート１５ａの一部はコントロールゲート領域９ｂ上のトンネル酸化膜１３ｂ上に延伸している。 - 特許庁

To prevent a high electric field from being applied to the gate insulating film between a buried gate contact region and a MOS gate electrode, in a field-effect transistor which has a buried contact region.例文帳に追加

埋込ゲートコンタクト領域を有する電界効果トランジスタにおいて、埋込ゲートコンタクト領域とＭＯＳゲート電極との間のゲート絶縁膜に高電界が印加されるのを防止する。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor 100 includes a first conductivity-type first semiconductor region 8, a second conductivity-type second semiconductor region 10, a trench gate 24, and a dummy trench gate 32.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１００は、第１導電型の第１半導体領域８と、第２導電型の第２半導体領域１０と、トレンチゲート２４と、ダミートレンチゲート３２を備えている。 - 特許庁

A region of a plurality of pixels, corresponding to the same gate line, is regarded as a specified region, and it is decided whether each specified region is a first region or a second region (S23).例文帳に追加

同一のゲート線に対応する複数の画素の領域を特定領域とし、特定領域毎に第一領域であるか第二領域であるかの判断が行われる（Ｓ２３）。 - 特許庁

The source region 301, the drain region 401, the channel region 501 and the gate electrode regions 201 and 202 are in an element region 2111 surrounded by an element isolation region 2101.例文帳に追加

上記ソース領域３０１,ドレイン領域４０１,チャネル領域５０１およびゲート電極領域２０１,２０２が、素子分離領域２１０１で囲まれた素子領域２１１１内にある。 - 特許庁

A gate electrode 11 is formed on the gate insulating film 9 so that it faces the region 12 with the gate insulating film 9 being interposed in between them.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９の上には、ゲート絶縁膜９を挟んで領域１２に対向するようにゲート電極１１が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 12 is formed on the channel forming region 31, and a gate electrode 13 is also formed on the gate insulating film 12.例文帳に追加

上記チャネル形成領域３１上にゲート絶縁膜１２を形成し、そのゲート絶縁膜１２上にゲート電極１３を形成する。 - 特許庁

On the gate insulating film 24, a gate electrode layer 25 is formed on a position opposite the channel region 22a via the gate insulating film 24.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２４上には、ゲート絶縁膜２４を介してチャネル領域２２ａに対向する位置にゲート電極層２５が形成されている。 - 特許庁

The drain region is existent on the gate dielectric layer, wherein it is over the notch of the gate electrode, and overlaps the gate electrode at the edge of the notch.例文帳に追加

ドレイン領域はゲート絶縁層上にあり、そしてゲート電極の切欠き上にあって、ゲート電極の切欠きの端部にオーバラップする。 - 特許庁

Over the entire region that covers the side surface of the trench 6 in the gate insulating film 7, a gate electrode 8 is formed along the gate insulating film 7.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７におけるトレンチ６の側面を覆う部分の全域には、ゲート電極８がゲート絶縁膜７に沿って形成されている。 - 特許庁

On a glass substrate 101, a gate electrode 102, a gate insulting film 103, a source electrode 104, and a drain electrode 105 are formed, thereon a patterned insulating film is formed, and a region 110 on the gate electrode is removed.例文帳に追加

ガラス基板１０１上にゲート電極１０２，ゲート絶縁膜１０３，ソース電極１０４，ドレイン電極１０５を形成する。 - 特許庁

When applying a high voltage to the control gate region 9a and a low voltage to the control gate region 9b, electrons are injected into the floating gate 15a from a part extended on the control gate region 9b via the tunnel oxide film 13b and electrons are drawn out from a part extended on the control gate region 9a via the tunnel oxide film 13a in the floating gate 15b.例文帳に追加

コントロールゲート領域９ａに高電圧、コントロールゲート領域９ｂに低電圧を印加した場合、フローティングゲート９ａにはコントロールゲート領域９ｂ上に延伸する部分からトンネル酸化膜１３ｂを介して電子が注入され、フローティングゲート９ｂにはコントロールゲート領域９ａ上に延伸する部分からトンネル酸化膜１３ａを介して電子が引き抜かれる。 - 特許庁

A gate electrode 9 is formed so that it opposes the region 10 while the gate insulating film 8 is sandwiched.例文帳に追加

さらにこのゲート絶縁膜８を挟んで領域１０に対向するようにゲート電極９が形成されている。 - 特許庁

After a first body region is formed on a semiconductor substrate, a gate electrode film is laminated on a gate oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に第１ボディー領域を形成した後、ゲート酸化膜上にゲート電極膜を積層する。 - 特許庁

A control gate 23 is formed on a region L_2, and this is separated by a gate oxide 25.例文帳に追加

領域Ｌ_２の上の部分にコントロールゲート２３が形成されており、ゲート酸化物２５により分離されている。 - 特許庁

A gate oxide film 12 and a gate electrode 13 are formed on a substrate 10 encircled by a device isolation region 11.例文帳に追加

素子分離領域１１に囲まれた基板１０上にゲート酸化膜１２、ゲート電極１３を形成する。 - 特許庁

On the TFT element region 36, a gate electrode layer 42 is formed across the gate insulating film 32.例文帳に追加

ＴＦＴ素子領域３６の上には、ゲート絶縁膜３２を介してゲート電極層４２が形成されている。 - 特許庁

Patterning is performed on the auxiliary floating gate electrode to form a floating gate electrode 130a on the upper part of the active region.例文帳に追加

予備フローティングゲート電極をパターニングして活性領域の上部にフローティングゲート電極130aを形成する。 - 特許庁

A second gate structure having a gate electrode derived from the first conductive film is provided in the logic circuit region.例文帳に追加

ロジック回路領域に、第１導電膜に由来するゲート電極を有する第２ゲート構造が配設される。 - 特許庁

The insulated gate electrode portion 10a faces the surface of the contact region 18 with a gate insulating film 4 interposed therebetween.例文帳に追加

絶縁ゲート電極部１０ａは、ゲート絶縁膜４を介してコンタクト領域１８の表面に対向している。 - 特許庁

In addition, since the region is reduced where the gate electrode is facing to the emitter structure, a gate-to-emitter capacitance can be reduced.例文帳に追加

加えて、ゲート電極がエミッタ構造に面している領域が減る為、ゲート・エミッタ間容量が低減できる。 - 特許庁

A gate insulating film 7 is formed above the channel region 4 in such a manner that it covers the floating gate electrode 6.例文帳に追加

フローティングゲート電極６を覆うように、チャネル領域４の上方にゲート絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁