「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first region gate (506) is formed on the first region gate dielectric.例文帳に追加

第１の領域のゲート誘電体上に第１の領域のゲート（５０６）が形成される。 - 特許庁

A second gate electrode 17 between a source region 12 and a gate region 14 and another second gate electrode 17 between a drain region 13 and the gate region 14 cover offset regions 16.例文帳に追加

ソース領域１２・ゲート領域１４間の第２のゲート電極１７、及びドレイン領域１３・ゲート領域１４間の第２のゲート電極１７は、オフセット領域１６を覆っている。 - 特許庁

An n-type channel region 5 is provided under the gate region 2.例文帳に追加

ｎ型のチャネル領域５が、ゲート領域２の下部に設けられる。 - 特許庁

In an insulated-gate semiconductor device, in an active region, only a source region is exposed between gate electrodes 7 and a first body region 13a is provided below the source region.例文帳に追加

動作領域において、ゲート電極間にはソース領域のみが露出し、ソース領域下方に第１ボディ領域を設ける。 - 特許庁

A gate extending region is provided outside the source extending region, and the gate electrode and a gate interconnect layer are connected.例文帳に追加

ゲート引き出し領域は、ソース引き出し領域の外側に設けられ、ゲート電極とゲート配線層とが接続される。 - 特許庁

A floating gate pattern is formed in a region in which the active region and the control gate pattern intersect.例文帳に追加

活性領域と制御ゲートパターンが交差する領域には浮遊ゲートパターンが形成される。 - 特許庁

This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁

A first region gate dielectric (504) is formed in the gate space.例文帳に追加

ゲートスペース内に第１の領域のゲート誘電体（５０４）が形成される。 - 特許庁

The back gate region 12 is adjacent to the gate electrode 20 partially.例文帳に追加

バックゲート領域１２は、その一部がゲート電極２０に隣接している。 - 特許庁

A p-type back gate region is provided under the channel region 5 and is electrically connected to the gate region 2.例文帳に追加

ｐ型のバックゲート領域が、チャネル領域５の下部に設けられると共に、ゲート領域２と電気的に接続される。 - 特許庁

On the 2nd gate region 6, an n^+-type source region 7 is formed and a 3rd gate region 8 is formed.例文帳に追加

そして、第２ゲート領域６の上にｎ^+型ソース領域７を形成すると共に第３ゲート領域８を形成する。 - 特許庁

In one embodiment, a gate plate is provided above the gate and the gate-edge of the drift region.例文帳に追加

或る実施例で、ゲートプレートは、ゲート及びドリフト領域のゲートエッジの上部に提供される。 - 特許庁

On the both sides of the gate region 66, a source region 68 composed of an n-region and a drain region 70 are formed and a channel region 72 composed of an n-region is formed below the gate region 66.例文帳に追加

ゲート領域６６の両側には、ｎ^+領域からなるソース領域６８、ドレイン領域７０が形成され、ゲート領域６６の下方がｎ領域からなるチャネル領域７２となっている。 - 特許庁

A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203.例文帳に追加

Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。 - 特許庁

Each of the gate insulating films is provided between an inner wall of the trench and the gate region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、トレンチ内壁とゲート領域との間に設けられる。 - 特許庁

Third gate regions 15 are arranged between a first gate region 3 and a second gate region 7, such that they are always from the first and second gate regions 3 and 7.例文帳に追加

第１ゲート領域３と第２ゲート領域７との間に、第１、第２ゲート領域３、７から離間するように第３ゲート領域１５を配置する。 - 特許庁

A gate insulation film is provided between the channel region and the gate electrode.例文帳に追加

チャネル領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が配置されている。 - 特許庁

The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ上に形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 4 and a gate insulation film 3 are formed at each region.例文帳に追加

夫々の領域にゲート電極４及びゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

The Formula 1 is expressed as: (gate electrode height [nm] - active region height [nm]) / (active region height [nm]) = 3.5e^-5 × (gate length [nm])^2 - 0.002 × (gate length [nm]) + 0.16.例文帳に追加

［数１］ (ゲート電極高さ[nm]−活性領域高さ[nm])／活性領域高さ[nm] ＝3.5ｅ^−５×(ゲート長[nm])^２−0.002×(ゲート長[nm])＋0.16 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

The source region and the drain region are formed on the substrate where the gate structure is formed, and the channel region is formed between the source region and the drain region under the gate structure.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域は、ゲート構造のおける基板に形成され、チャネル領域がゲート構造の下においてソース領域とドレイン領域との間に形成される。 - 特許庁

The memory cell is constituted of a base plate, a stray gate, a control gate, a tunnel layer, a first dope region and a second dope region.例文帳に追加

メモリセルは、基板、浮遊ゲート、制御ゲート、トンネル層、第一ドープ領域、第二ドープ領域からなる。 - 特許庁

With this configuration, the region width (effective gate width) where the boundary line between the N-type region 14 and the P-type region 16 and the gate electrode 24 cross each other is made larger than the gate width of the gate electrode 24.例文帳に追加

これにより、Ｎ型領域１４とＰ型領域１６の境界線とゲート電極２４が交差する領域幅（実効ゲート幅）が、ゲート電極２４のゲート幅よりも大きくなる。 - 特許庁

Also, a covering gate and the mask ROM gate cross over the resistive active region and the channel active region, and the memory gate and a select gate cross over the cell active region.例文帳に追加

又、抵抗体活性領域、チャンネル接合領域及びセル活性領域の上部にはカバーリングゲート、マスクＲＯＭゲート及びメモリゲートと選択ゲートが横切って配置される。 - 特許庁

A second region gate dielectric (306) is formed in the second region.例文帳に追加

第２の領域に第２の領域のゲート誘電体（３０６）が形成される。 - 特許庁

A gate region 7 is formed on the p-type semiconductor substrate under the channel region 4, and the upper surface of the gate region 7 contacts the undersurface of the channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域４下方のｐ型半導体基板に、ゲート領域７を設け、ゲート領域７の上面は、チャネル領域４下面と接触する。 - 特許庁

A gate region 19 is provided inside the channel region 14.例文帳に追加

また、チャンネル領域１４の内部にゲート領域１９が設けられている。 - 特許庁

According to such a constitution, channels can be formed in the two regions between the first gate region 3 and the third gate region 15 and between the third gate region 15 and the second gate region 7.例文帳に追加

このような構成によれば、第１ゲート領域３と第３ゲート領域１５との間、および第３ゲート領域１５と第２ゲート領域７との間の２つの領域でチャネルが形成されるようにできる。 - 特許庁

To avoid a resistance delay in a selected gate region and a peripheral circuit region while miniaturizing a memory cell array region and perform a gate processing of the memory cell array region, the selected gate region, and the peripheral circuit region simultaneously.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域の微細化を図りつつ選択ゲート領域及び周辺回路領域における抵抗遅延を回避し、かつメモリセルアレイ領域と選択ゲート領域と周辺回路領域とのゲート加工を同時に行う。 - 特許庁

On both end sides of gate in the lengthwise direction of a gate region 1 of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, i.e., on a source region 2 side and a drain region 3 side, a control gate 5 is installed which forms a control gate channel region 6 along with gate width direction and over full width.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート領域１のゲート長方向両端側、つまりソース領域２側とドレイン領域３側とに、ゲート幅方向に沿ってその全幅に渡る制御ゲートチャネル領域６を形成する制御ゲート５が設けられる。 - 特許庁

Then, after an inter-gate insulating layer and a control gate layer are formed on the peak floating gate layer, the control gate, an inter-gate insulating region, the peak floating gate, and a tunnel oxide region are formed by successively etching the control gate layer, inter-gate insulating layer, peak floating gate layer, and tunnel oxide layer.例文帳に追加

ピークフローティングゲート層上にゲート間絶縁層及び制御ゲート層を形成した後、制御ゲート層、ゲート間絶縁層、ピークフローティングゲート層及びトンネル酸化物層を順次エッチングして、制御ゲート、ゲート間絶縁領域、ピークフローティングゲート及びトンネル酸化物領域を形成する。 - 特許庁

The IGBT region includes a trench gate having the bend, and the trench gate of the IGBT region is provided around the diode region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域は、湾曲部を有するトレンチゲートを備えており、ＩＧＢＴ領域のトレンチゲートは、ダイオード領域を周回している。 - 特許庁

An N-type channel region 33 and a top gate region 34 are formed within the region encircled by the region 29.例文帳に追加

ゲートコンタクト領域２９で囲まれた領域に、Ｎ型のチャネル領域３３とトップゲート領域３４を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 5 is formed on a conductive region.例文帳に追加

ゲート電極５は導電領域に形成されている。 - 特許庁

The contact is formed in a region between the gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極の間の領域にコンタクトが形成される。 - 特許庁

A gate is doped with N-type impurities, such that when a gate voltage is 0, a depletion region is formed in the drift region.例文帳に追加

ゲートは、ゲート電圧がゼロのときにドリフト領域に空乏領域が形成されるようにＮ型ドープされる。 - 特許庁

A floating gate 19 is arranged on a channel region L_1 region, this is separated by a gate oxide 21.例文帳に追加

チャンネル領域Ｌ_１部分の上にフローティングゲート１９があり、これは、ゲート酸化物２１により分離されている。 - 特許庁

A source region and a drain region (52P, 52N) are formed on both sides of the gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極の両側に、ソース領域及びドレイン領域(52P,52N)を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the channel region via a gate insulating film.例文帳に追加

チャネル領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されている。 - 特許庁

The second element includes a second substrate region, second gate electrode, and second gate insulating film, and the second gate insulating film is located between the second substrate region and the second gate electrode.例文帳に追加

第２素子は第２基板領域、第２ゲート電極、及び第２ゲート絶縁膜を含み、第２ゲート絶縁膜は第２基板領域と第２ゲート電極間に位置する。 - 特許庁

The first element includes a first substrate region, first gate electrode, and first gate insulating film, and the first gate insulating film is located between the first substrate region and the first gate electrode.例文帳に追加

第１素子は第１基板領域、第１ゲート電極、及び第１ゲート絶縁膜を含み、第１ゲート絶縁膜は第１基板領域と第１ゲート電極間に位置する。 - 特許庁

An n^++ source region 3 and drain region 4 are provided with a p^+ gate region 2 in-between.例文帳に追加

ｎ^＋＋型のソース領域３及びドレイン領域４が、ｐ^＋型のゲート領域２を挟んで設けられる。 - 特許庁

A body contact region is formed for separating, a gate electrode, a source region and a drain region in the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴ内にゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域とを区別するボディコンタクト領域ができる。 - 特許庁

A drain region 3, a source region 4 and a gate electrode 5 are arranged in the inactive region 6.例文帳に追加

非活性領域６には、ドレイン領域３、ソース領域４及びゲート電極５が配置されていない。 - 特許庁