| 例文 (999件) |
gate regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4381件
Further, the gate electrode 9a covers the whole one side along the direction of the gate length of the border region of the active region L and element isolation groove 2 and part of two sides along the direction of the gate width.例文帳に追加
また、このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁
The method also comprises the steps of patterning the crystalline silicon film, forming an insular silicon region, forming a gate insulating film on the insular silicon region, and forming a gate electrode on the gate insulating film.例文帳に追加
そして前記結晶性シリコン膜をパターニングし、島状シリコン領域を形成し、前記島状シリコン領域上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 - 特許庁
A p-type body region 3 and a gate electrode 5 have a p-type body region protrusion 3a and a gate electrode protrusion 5a protruding partially in the longitudinal direction of a gate on a source side.例文帳に追加
Ｐ型ボディ領域３及びゲート電極５はソース側において、ゲート長方向に一部突出したＰ型ボディ領域突出部３ａ及びゲート電極突出部５ａを有している。 - 特許庁
To realize a fine MOS transistor wherein a thin gate oxide film is arranged, metal is used as gate material, a source/drain region is formed by self alignment, a channel region is shallow and a gate length is at most 0.5 μm.例文帳に追加
薄いゲート酸化膜を有し、金属をゲート材料とし、セルファラインでソース／ドレイン領域が形成された、浅いチャネル領域の、０．５μｍ以下のゲート長を持つ微細なＭＯＳトランジスタを実現する。 - 特許庁
To improve the reliability of a gate insulating film while voidance of a gate electrode prevented, by providing a gate electrode with a lower part region where only phosphorus is introduced as impurity and an upper part region where phosphorus and n-type semiconductor whose segregation coefficient is smaller than it are introduced as impurities.例文帳に追加
ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができると共に、ゲート電極の空乏化を防止することができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The gate electrode 9a covers the whole of one edge along the gate lengthwise direction of the boundary region between the active region L and element isolating trench 2 and covers a part of two edges along the gate width direction.例文帳に追加
また、このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁
The drain region of the protective transistor is connected to the pad terminal and the gate electrode and source region of the transistor are connected to a power supply line by setting the electrode and region to the same potential.例文帳に追加
保護トランジスタのドレイン領域をパッド端子に接続し、ゲート電極及びソース領域を同電位にして電源ラインに接続する。 - 特許庁
The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加
ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁
The high-voltage gate-insulating film 17 is patterned to expose the second region and a part of the peripheral circuit region b of the cell array region a.例文帳に追加
高電圧ゲート絶縁膜１７をパターニングして周辺回路領域ｂの一部分及びセルアレイ領域ａの第２領域を露出させる。 - 特許庁
In addition, the optical proximity correction of the gate pattern region can be performed more easily.例文帳に追加
加えて、ゲートパターン領域の光学的な近接補正をより容易に行える。 - 特許庁
A p^+-type gate region 2 is embedded into an SiC substrate 1.例文帳に追加
ｐ^+型ゲート領域２をＳｉＣ基板１の内部に埋め込んだ構造とする。 - 特許庁
A source/drain region 6 is formed on both sides of the P+ type gate electrode 35.例文帳に追加
Ｐ+型ゲート電極３５の両側にソース／ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁
The first semiconductor region 14 is brought into contact with the side of the trench gate 30.例文帳に追加
第１半導体領域１４は、トレンチゲート３０の側面に接している。 - 特許庁
A second gate electrode 113 is formed on the reduced surface field region 101.例文帳に追加
リサーフ領域１０１上には、第２ゲート電極１１３が形成されている。 - 特許庁
Next, the spatter coating of Ni is applied on a gate electrode and a source/drain region.例文帳に追加
次に、Ｎｉをゲート電極及びソース／ドレイン領域上にスパッタ被覆する。 - 特許庁
A trench gate type n channel MOS transistor is formed in the element region.例文帳に追加
素子領域には、トレンチゲート型のｎチャネルＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁
At this time, a region under the gate electrode 67 has a photoelectric conversion function.例文帳に追加
このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持つ。 - 特許庁
A resist is formed on a region used as a gate electrode 19 of the conductive layer 63.例文帳に追加
導電性層63のゲート電極19となる領域上にレジストを形成する。 - 特許庁
A source/drain region 6 is formed at both sides of the p^+-type gate electrode 35.例文帳に追加
Ｐ+型ゲート電極３５の両側にソース／ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁
The gate electrode (8) is formed so that the body region (5) is covered with the electrode (8).例文帳に追加
ゲート電極（８）は、ボディ領域（５）を被覆するように形成されている。 - 特許庁
A source/drain region 6 is formed at both sides of the P^+-gate electrode 35.例文帳に追加
Ｐ^＋型ゲート電極３５の両側にソース／ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁
The source region 15 is estranged from a region 141 of a border side of the element isolation film 12 and the element forming region 13 in the region directly under the gate electrode 14 in the element forming region 13.例文帳に追加
ソース領域１５は、素子形成領域１３内のゲート電極１４の直下の領域のうち、素子分離膜１２と素子形成領域１３との境界側の領域１４１に対し離間している。 - 特許庁
The monitor region is a region within a second region adjacent to a first region 12a in a second direction 12b, and is adjacent to the region provided with the two gate fingers above.例文帳に追加
モニタ領域は、第１の領域１２ａに対して第２の方向１２ｂに隣接する第２の領域内の領域であり、上記二つのゲートフィンガが設けられた領域に隣接する領域である。 - 特許庁
The cell gate-insulating film 14 is patterned to leave the film 14 on a first region of a cell array region a and expose a second region of a cell array region a and a peripheral circuit region b.例文帳に追加
セルゲート絶縁膜１４をパターニングしてセルアレイ領域ａの第１領域上にセルゲート絶縁膜１４を残して、セルアレイ領域ａの第２領域及び周辺回路領域ｂを露出させる。 - 特許庁
In the region P, an MOS transistor containing a gate electrode 7, an n-type region 5d and a charge storage layer 5e, and a photodiode containing an n-type region 13 and a p-type region region 12 are formed.例文帳に追加
領域Ｐでは、ゲート電極７、Ｎ型領域５ｄおよび電荷蓄積層５ｅを含むＭＯＳトランジスタと、Ｎ型領域１２およびＰ型領域１３を含むフォトダイオードが形成される。 - 特許庁
The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加
その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁
A substrate is isolated by a trench 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed at the surface part of the substrate in the isolated element forming region, a gate oxide film is formed on a channel region between the source region 3 and the drain region 4 of the substrate, and a gate electrode 6 is formed on the gate oxide film.例文帳に追加
基板がトレンチ２により絶縁分離され、この絶縁分離された素子形成領域において基板の表層部にソース領域３とドレイン領域４が形成され、基板におけるソース領域３とドレイン領域４の間をチャネル領域として、チャネル領域上にゲート酸化膜が形成され、ゲート酸化膜上にゲート電極６が形成されている。 - 特許庁
On the surface of a channel region 30, a selective gate electrode G1 is formed via a first gate insulating film 2.例文帳に追加
チャネル領域３０の表面には第１ゲート絶縁膜２を介して選択ゲート電極Ｇ１が形成されている。 - 特許庁
A first gate film 4, composing of a polycristalline silicon film, is formed on a channel region via a gate oxide film 3.例文帳に追加
チャネル領域上に、ゲート酸化膜３を介して多結晶シリコン膜からなる第１ゲート膜４が形成されている。 - 特許庁
On a surface side of the nonactive region 2, a gate wire 4 is formed which electrically conducts to the plurality of gate electrodes 18.例文帳に追加
非活性領域２の表面側には、複数のゲート電極１８と導通するゲート配線４が形成されている。 - 特許庁
To secure the gap of a contact between a gate electrode connected to a diffusion region, while forming a silicide in the gate electrode.例文帳に追加
ゲート電極にシリサイドを形成しつつ、拡散領域に接続するコンタクトとゲート電極の間隔を確保する。 - 特許庁
In the sub-pixel region, a data line, a first gate line, a second gate line and a common line control a driving voltage of a liquid crystal layer.例文帳に追加
サブピクセル域では、データライン、第１ゲートライン、第２ゲートライン、共通ラインが、液晶層の駆動電圧を制御する。 - 特許庁
In particular, the charge multiplication region 35 is formed immediately below the multiplication gate electrode 41 across the gate oxide film 39.例文帳に追加
特に、電荷増倍領域３５は、ゲート酸化膜３９を挟んで、増倍ゲート電極４１の直下に形成されている。 - 特許庁
A gate insulating film 30 is formed in a gate region on a first surface of a channel layer 20 of a group 3-5 compound semiconductor.例文帳に追加
ゲート絶縁膜３０は、３−５族化合物半導体のチャネル層２０の第１面のゲート領域に形成される。 - 特許庁
A gate electrode 120 adjoins the part A of a p-type base region 104 via a gate insulation film 118.例文帳に追加
ゲート電極１２０は、ゲート絶縁膜１１８を介してｐ型ベース領域１０４の前記部分Ａと隣合っている。 - 特許庁
A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 are formed in the active region 10 of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
半導体基板１１の活性領域１０に、ゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁
A gate insulating film 33 in the memory cell formation region 25 is made thin, and its peripheral gate oxidation film 34 is made thick.例文帳に追加
メモリセル形成領域２５のゲート絶縁膜３３は薄く、その周辺のゲート酸化膜３４は厚く形成されている。 - 特許庁
A semiconductor layer 16 is formed in a region on the gate insulating film 14 which overlaps with at least the gate electrode 12.例文帳に追加
ゲート絶縁膜１４上の少なくともゲート電極１２と重なる領域に半導体層１６を形成する。 - 特許庁
After that, a gate insulating film, a gate electrode and the like are formed on an element formation region 29 and an element, such as a transistor, is formed.例文帳に追加
その後、素子形成領域２９に、ゲート絶縁膜、ゲート電極等を形成し、トランジスタ等の素子を作製する。 - 特許庁
On the gate insulating film, a gate electrode 20 is formed, and faces the body region 12.例文帳に追加
このゲート絶縁膜上には、ゲート電極２０が形成されており、ゲート電極２０は、ボディ領域１２に対向している。 - 特許庁
By thermal oxidation, a part of the gate electrodes formed in the region between the gate electrodes is replaced by a thermal oxidation film.例文帳に追加
熱酸化により、ゲート電極の間の領域に形成されたゲート電極の一部が熱酸化膜に置換される。 - 特許庁
Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and the p^+-type-gate electrode 35 to form a nitrogen doped region 30.例文帳に追加
ゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。 - 特許庁
A control gate electrode is continuously formed on the first and second floating gate electrodes and the insulation isolation region.例文帳に追加
コントロールゲート電極が、第１、第２のフローティングゲート電極、及び絶縁分離領域の上に連続的に形成されている。 - 特許庁
A first gate insulating film 2 and a first gate electrode 6 are disposed on the main surface in the first region TR1.例文帳に追加
第１領域ＴＲ１内で主表面上に第１ゲート絶縁膜２及び第１ゲート電極６が配設される。 - 特許庁
A control gate 7 is provided near the floating gate 8 above a channel region of a surface layer in the semiconductor substrate 4.例文帳に追加
半導体基板４の表層のチャネル領域上には、フローティングゲート８に並設されるコントロールゲート７を構成する。 - 特許庁
A plug 63 connected to the wide region 15a of the auxiliary gate electrode is also connected with the dummy floating gate electrode 42.例文帳に追加
補助ゲート電極の幅広領域１５ａと接続するプラグ６３は、ダミー浮遊ゲート電極４２とも接続される。 - 特許庁
A rectangular loop-shaped gate electrode GW is formed inside the active region 3 via a gate insulation film 4.例文帳に追加
活性領域３内にゲート絶縁膜４を介して矩形の環状をなすゲート電極ＧＷが形成されている。 - 特許庁
An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region.例文帳に追加
ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。 - 特許庁
A control gate 7 is formed on the gate insulating film 5 and side end of the source region 2 of the laminated layer 8.例文帳に追加
そして、ゲート絶縁膜５上及び積層膜８のソース領域２側端部上には、制御ゲート７が形成される。 - 特許庁
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