「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The wide part of the p^+ type gate region 4 is made to be separated from the n^- type channel layer 2 by a predetermined distance.例文帳に追加

そして、ｐ^+型ゲート領域４のうち幅広とされた部分がｎ^-型チャネル層２から所定距離離れるようにする。 - 特許庁

An opening 15 is bored in the gate oxide film 12 so as to expose the center region of the light receiving surface 9a of the photodiode 2.例文帳に追加

フォトダイオード２の受光面９ａの中央領域を露出する開口１５をゲート酸化膜１２に形成する。 - 特許庁

The width of a groove adjoining the side surface of the channel region 5 is set to twice, or less than, the thickness of the gate electrode 4.例文帳に追加

また、チャネル領域５の側面に隣接する溝の幅は、ゲート電極４の厚さの２倍以下に設定される。 - 特許庁

Field shield isolation region including a field shield gate 44 is formed for separating elements on a SOI substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０上に、フィールドシールドゲート４４を含むフィールドシールド分離領域が素子分離のために形成される。 - 特許庁

The switching device is formed in a pixel region defined by gate lines adjacent to each other and data lines adjacent to each other.例文帳に追加

スイッチング素子は、隣接したゲート配線と隣接したデータ配線によって定義された画素領域に形成される。 - 特許庁

An insulated floating gate 214 is formed on the substrate and superimposes on at least in part with the primary junction region.例文帳に追加

絶縁されたフローティングゲートは、基板上に形成され、第１のジャンクション領域と少なくとも一部重畳する。 - 特許庁

The gate voltage of the semiconductor device is controlled by detecting the voltage of the p-type floating region 13 by the first switch.例文帳に追加

第１のスイッチによりｐ型フローティング領域１３の電圧を検出し、半導体装置のゲート電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a flash memory device with which an overlay margin is improved between an active region and a floating gate.例文帳に追加

アクティブ領域とフローティングゲートとの間のオーバーレイマージンを高めるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heavily doped n-type impurity region is arranged in such a part under a gate pad that is an invalid are as an element area.例文帳に追加

素子領域としては無効領域となるゲートパッド下方の一部に高濃度のn型不純物領域を配置する。 - 特許庁

A gate structure is disposed on a top surface of the substrate and includes a vertically stacked relationship with the third doped region.例文帳に追加

ゲート構造部が基板の上表面に配置され、第３ドープ領域と垂直方向で重なる関係を有する。 - 特許庁

Then, the contact 210 faces a region in which the insulating cover film 120 is formed from among the gate electrode 140.例文帳に追加

そしてコンタクト２１０は、ゲート電極１４０のうち被覆絶縁膜１２０が形成されている領域に面している。 - 特許庁

An insulated gate electrode is positioned so as to cover a channel region between the source and drain regions.例文帳に追加

前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域を覆うように絶縁されたゲート電極が配置される。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a transistor composed of a gate electrode 2, a source/drain region 3, and a channel 4.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート電極２、ソース・ドレイン領域３及びチャネル部４により構成されたトランジスタを有する。 - 特許庁

Patterning at the 1st stage determines an n-channel well region 34 and the end of an opposite gate electrode 39.例文帳に追加

第１段階目のパターニングによりＮ型ウェル領域３４側と反対側のゲート電極３９端が規定される。 - 特許庁

In this semiconductor device, one source region 4 is formed for opposing two gate regions 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、対向する２つのゲート領域９に対して１つのソース領域４を形成している。 - 特許庁

To incur an avalanche drop in a bulk region in a lateral power semiconductor device including a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する横型のパワー半導体装置において、アバランシェ降伏がバルク領域で起こるようにすること。 - 特許庁

To increase the occupation area of an incorporated gate resistor being formed on a semiconductor substrate without decreasing the active region.例文帳に追加

活性領域を減らすことなく、半導体基板上に形成される内蔵ゲート抵抗の専有面積を大きくする。 - 特許庁

The conductive floating gate is positioned adjacent to the first part of the channel region in the trench and is insulated therefrom.例文帳に追加

導電性フローティングゲートは、トレンチ内でチャンネル領域の第１部分に隣接配置されてそこから絶縁される。 - 特許庁

A voltage is applied between a second source/drain region 15 and the gate electrode 19.例文帳に追加

そして、前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域１５と前記ゲート電極１９との間に電圧が印加される。 - 特許庁

Then silicide layers 27a, 27b are formed on the gate electrode 23, and the p-type source/drain region 26.例文帳に追加

そして、ゲート電極２３及びＰ型ソース・ドレイン領域２６上には、シリサイド層２７ａ、２７ｂが形成されている。 - 特許庁

The gate-source voltage of the drive switching element is set with a different threshold level for each region.例文帳に追加

この場合、それぞれの領域で、駆動スイッチング素子のゲート−ソース間電圧に別々の閾値に対する制限制御を行う。 - 特許庁

A gate insulating film 21, which is a positive charge containing HfO_2 film, is formed directly on the channel region.例文帳に追加

チャネル領域の直上に、正電荷を含有せしめたＨｆＯ_２膜からなるゲート絶縁膜２１が形成されている。 - 特許庁

An additional gate bus line is formed in a peripheral part of a display region to drive a transistor arranged for discharging a pixel.例文帳に追加

表示領域の周辺部に、追加のゲートバスラインを設け、画素を放電させるために設けたトランジスタを駆動する。 - 特許庁

A gate electrode 24 is formed so that it may overlap the channel region 30 and the LDD regions 31 and 32.例文帳に追加

ゲート電極２４は、チャネル領域３０及びＬＤＤ領域３１，３２をオーバーラップするように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate of the region between the plurality of gate electrodes is exposed by etching back the first nitride film.例文帳に追加

第一の窒化膜をエッチバックすることにより複数のゲート電極の間の領域の半導体基板が露出する。 - 特許庁

A gate electrode 7 is provided in the region between the source electrode 5 and the drain electrode 6 on the barrier layer 4.例文帳に追加

バリア層４上におけるソース電極５とドレイン電極６との間の領域にはゲート電極７が設けられている。 - 特許庁

Boron ions 13 for a source/drain region formation are injected by using the sidewall 12 and the gate electrode 6a as masks.例文帳に追加

サイドウォール１２及びゲート電極６ａをマスクとしてソース／ドレイン領域形成用のボロンイオン１３を注入する。 - 特許庁

A first gate stack 109 of the first MOSFET is formed on the exposed semiconductor layer in the first region.例文帳に追加

第１ＭＯＳＦＥＴの第１ゲートスタック１０９は第１領域の露出した半導体層上に形成される。 - 特許庁

In the silicon layer 13, a portion corresponding to a memory cell M and a selective gate transistor SG forms an active region.例文帳に追加

シリコン層１３は、メモリセルＭ及び選択ゲートトランジスタＳＧに対応する部分が活性領域を形成している。 - 特許庁

In this case, the side wall spacer 106 is formed so as to be small in a region pinched by the gate electrode 104.例文帳に追加

このとき、サイドウォールスペーサ１０６は、ゲート電極１０４に挟まれた領域において小さく形成されている。 - 特許庁

To reduce fringe capacitance generated between a gate electrode of a MISFET and a semiconductor region for a source/drain.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と、ソース・ドレイン用の半導体領域との間に生じるフリンジ容量を低減する。 - 特許庁

A first nitride film 103 is formed in a first gate electrode formation region on the first oxide film 102.例文帳に追加

第１酸化膜１０２上における第１ゲート電極形成領域に第１窒化膜１０３が形成されている。 - 特許庁

In the same manner, a gate electrode 3a at the nMOS formation region is silicified fully by a prescribed amount of metal.例文帳に追加

そして、これと同様の手順でｎＭＯＳ形成領域のゲート電極３ａを所定量の金属でフルシリサイド化する。 - 特許庁

Terminals for the gate electrodes are formed by injecting a dopant 46 into the injecting region 44.例文帳に追加

ゲート電極(２２)用の端子(５０)が基板(１２)の打ち込み領域(４４)にドーパント(４６)を打ち込むことによって形成される。 - 特許庁

The gate electrode layer 73 is electrically connected with a conductive layer 74 of its upper layer on the channel region.例文帳に追加

このゲート電極層７３は、チャネル領域上においてその上層の導電層７４と電気的に接続される。 - 特許庁

On the front surface of the semiconductor region and on the front surface of the gate electrode material in the trench, a silicide layer is formed.例文帳に追加

半導体領域表面及びトレンチ内に充填されたゲート電極材料表面に、シリサイド層を形成する。 - 特許庁

The shortest distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109 is not more than an alignment accuracy or (F/3).例文帳に追加

ゲート電極１０３と素子分離領域１０９との間の最短距離は、アライメント精度である（Ｆ／３）以下である。 - 特許庁

The shared contact holes SC1 and SC2 reach both gate electrode layers GE1 and GE2 and a drain region PIR.例文帳に追加

シェアードコンタクトホールＳＣ１、ＳＣ２は、ゲート電極層ＧＥ１、ＧＥ２とドレイン領域ＰＩＲとの双方に達している。 - 特許庁

A trench type gate insulating film 12 is formed in a P type semiconductor region 11 on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上におけるＰ型の半導体領域１１に溝形のゲート絶縁膜１２が形成されている。 - 特許庁

A stress control film 5 having a tensile stress is formed on the active region 1 and the gate electrode 3.例文帳に追加

活性領域１およびゲート電極３の上には、引っ張り応力を有する応力制御膜５が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, in a silicide process, a cobalt silicide film is formed on the gate electrode 4 and the high concentration source/drain region 7.例文帳に追加

その後、サリサイドプロセスにより、ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上にコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

A pixel electrode 40 is partly overlapping with two gate lines 10 and two data lines 20, which are arranged on the four sides of the pixel region.例文帳に追加

画素電極40は、画素領域の4側にある二つのゲート線10及び二つのデータ線20と部分的に重なっている。 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第１のゲート電極３１をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域５１及び拡散層５２を形成する。 - 特許庁

A source/drain diffused layer 25 is formed on the surface of the semiconductor substrate so as to sandwich a channel region under a gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層２５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

The inter-layer insulating film comprises a contact hole 30 reaching the impurity region 4 between the gate electrodes 9a and 9b.例文帳に追加

層間絶縁膜はゲート電極９ａおよび９ｂ間で不純物領域４に達するコンタクトホール３０を有する。 - 特許庁