「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The volume values of the respective sample points are fed to an adder 37 using binary data of an object region extraction section 16 as a gate signal.例文帳に追加

そして、対象領域抽出部１６の二値データをゲート信号として、加算器３７に各サンプル点の体積値が供給される。 - 特許庁

Next, the formed structure is planarized, and a part of the silicon layer and a part of the internal spacer layer are made to remain in the gate region.例文帳に追加

次いで、この構造を平坦化し、シリコン層の一部分および内部スペーサ層の一部分がゲート領域中に残るようにする。 - 特許庁

An insulating layer 200 is formed on the device forming region 104, the gate electrode 140, and the insulating cover film 120.例文帳に追加

絶縁層２００は、素子形成領域１０４上、ゲート電極１４０上、及び被覆絶縁膜１２０上に形成されている。 - 特許庁

With the above configuration in the gate region, a plurality of concentration peaks of a second conductive impurity exists in the depth direction.例文帳に追加

以上の構成において、ゲート領域は、第２導電型不純物の濃度ピークが深さ方向に複数存在することを特徴とする。 - 特許庁

The main MOS transistor contains a first gate wiring for receiving an external signal, a first source/drain region of a first conductivity type, and a body.例文帳に追加

メインＭＯＳトランジスタは外部信号を受ける第１ゲート配線と、第１導電型の第１ソース／ドレイン領域と、ボディーとを含む。 - 特許庁

Then the transistor has a gate insulating film and an electrode, stacked in order, in the region of the semiconductor film overlapping the cavity.例文帳に追加

そして上記トランジスタは、半導体膜の空洞と重なる領域上に、順に積層されたゲート絶縁膜と電極とを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a semiconductor substrate, a photoelectric converter, an impurity region, a transfer gate, and a pixel output circuit.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、半導体基体、光電変換部、不純物領域、転送ゲート、および画素出力回路を備える。 - 特許庁

Moreover, a region which includes impurities in higher concentration than the well layer and of the same conductivity type as it is made on the surface of the well layer under the gate electrode.例文帳に追加

また、ウェル層より高濃度で同導電型の不純物を含む領域がゲート電極下のウェル層表面に形成される。 - 特許庁

In a trench gate type storage mode field-effect transistor, a lightly-doped drift region of an N-type drain is provided on a mesa between trenches.例文帳に追加

トレンチゲート型蓄積モード電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型ドレインの低濃度ドープされたドリフト領域をトレンチ間のメサに設ける。 - 特許庁

A field insulating film 15 is disposed on the surface of a semiconductor substrate 1, between the gate insulating film 7 and an N+ source region 11s.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７とＮ＋ソース領域１１ｓの間の半導体基板１表面にフィールド絶縁膜１５配置されている。 - 特許庁

Then a p-type impurity region is formed by implanting ions into a source cell SC1, by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

その後、それらゲート電極をマスクとしてソースセルＳＣ１に対してイオン注入を行って、Ｐ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

The protrusion 60 contacts the surface of the trench gate 40 at one end and protrudes at least partially into the drift region 26.例文帳に追加

突出部６０は、一端がトレンチゲート４０の表面に接しているとともに、少なくとも一部がドリフト領域２６内に突出している。 - 特許庁

Consequently, in the nMOS region there is formed a second gate electrode G2, composed of the metal layer 4 and an alloy layer 7 of the conductive layer 6.例文帳に追加

これにより、ｎＭＯＳ領域では、金属層４と導電層６の合金層７からなる第２ゲート電極Ｇ２が形成される。 - 特許庁

The gate pattern of the MOS transistor contains a specified region of the dielectric film 11 exposed when the second conducting pattern is formed.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲートパターンは第２導電膜パターンを形成する時に露出した誘電体膜１１の所定領域を含む。 - 特許庁

An electrically conductive control gate is disposed over and insulated from the channel region for controlling a conductivity thereof.例文帳に追加

チャネル領域の導電性を制御するために導電性制御ゲートがチャネル領域の上方に配置され該チャネル領域から絶縁される。 - 特許庁

After the discharge of well region is finished, the control gate line is returned to the grounding potential, then the data erasing operation of block is finished.例文帳に追加

そして、ウェル領域の放電が終わった後にコントロールゲート線を接地電位に戻しブロックのデータ消去動作を終了する。 - 特許庁

This dual-gate field-effect transistor reduces the parasitic capacity in the DGFET structure by being provided with a self-aligned isolation region 44.例文帳に追加

本発明では、自己整合分離領域４４を備えることにより、ＤＧＦＥＴ構造体における寄生容量を低減している。 - 特許庁

A high-concentration diffusion region 13 of the high-drive MOS transistor is formed with the gate structure 6 and the first sidewall 12 as a mask.例文帳に追加

ゲート構造６及び第１のサイドウオール１２をマスクとして高駆動ＭＯＳトランジスタの高濃度拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

In this process, the region 31 is formed by self alignment wherein one end of the gate electrode 35 on the LOCOS oxide film 28 is used as a mask.例文帳に追加

そして、この工程では、ＬＯＣＯＳ酸化膜２８上のゲート電極３５の一端をマスクとしてセルファラインにより形成する。 - 特許庁

The semiconductor device by one mode is provided with a transistor comprising a source, a drain and a channel region which are arranged in a semiconductor substrate, and a gate electrode disposed on a surface of the semiconductor substrate in the channel region through a gate insulating film; a capacitor connected to the channel region; first wiring which is electrically connected to the gate electrode; and second wiring which is electrically connected to the drain.例文帳に追加

本発明の１態様による半導体装置は、半導体基板中に設けられたソース、ドレイン及びチャネル領域と、該チャネル領域の半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含むトランジスタと、前記チャネル領域に接続されたキャパシタと、前記ゲート電極に電気的に接続された第１の配線と、前記ドレインに電気的に接続された第２の配線とを具備する。 - 特許庁

A first contact 310 is connected to the gate electrode 210, and a second contact 320 is connected to the diffusion layer region 220.例文帳に追加

ゲート電極２１０には第１コンタクト３１０が接続しており、拡散層領域２２０には第２コンタクト３２０が接続している。 - 特許庁

Then, a floating gate electrode 7a or the like of a transistor T2 of a flash memory cell is formed on a surface of a memory cell region RM.例文帳に追加

次に、メモリセル領域ＲＭの表面上にフラッシュのメモリセルのトランジスタＴ２のフローティングゲート電極７ａ等を形成する。 - 特許庁

A floating electrode 307 is disposed to be capacitively coupled to the gate electrode 306 and N type drift region 302.例文帳に追加

フローティング電極３０７は、ゲート電極３０６及びＮ型ドリフト領域３０２とそれぞれ容量結合するように配置されている。 - 特許庁

A side wall 160 is formed to be than the gate electrode 140 in a region in which the insulating cover film 120 is formed.例文帳に追加

サイドウォール１６０は、被覆絶縁膜１２０が形成されている領域においてはゲート電極１４０より高く形成されている。 - 特許庁

A gate pattern which crosses the active region and whose ends extend onto the element isolation insulating film is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に、活性領域と交差し、両端が素子分離絶縁膜の上まで延在するゲートパターンが形成されている。 - 特許庁

A source electrode 17 and a Schottky gate electrode 19 are provided on the main surface 15a of the gallium nitride semiconductor region 15.例文帳に追加

ソース電極１７およびショットキゲート電極１９は、窒化ガリウム系半導体領域１５の主面１５ａ上に設けられている。 - 特許庁

Subsequently, an oblique ion implantation is conducted so that impurity ions passes the predetermined length region from one end of the floating gate 11.例文帳に追加

続いて、不純物イオンがフローティングゲート１１の一端から一定の長さの領域を通過するように、斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

The gate electrode 15 and the first and second diode forming electrodes 16, 17 are in Shottky contact with the main semiconductor region 12.例文帳に追加

ゲート電極１５と第１及び第２のダイオード形成用電極１６，１７とは主半導体領域１２にショットキー接触している。 - 特許庁

The single insulator layer contains a capacitor node dielectrics above the capacitor conductor while a gate dielectrics above the channel region.例文帳に追加

この単一の絶縁体層は、キャパシタ導体の上方にキャパシタ・ノード誘電体を含み、チャネル領域の上方にゲート誘電体を含む。 - 特許庁

A first polycrystalline cobalt silicide film 10a is selectively left on a gate electrode 4 and a high concentration source drain region 7.例文帳に追加

ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上に多結晶体の第１のコバルトシリサイド膜１０ａを選択的に残置させる。 - 特許庁

To the second gate electrode material film 9c in a PMOS region and the surface of the semiconductor substrate 3, P-type impurities are doped.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域の第２ゲート電極材膜９ｃ及び前記半導体基板３の表面にＰ型の不純物を注入する。 - 特許庁

After first sidewalls 7 are formed at side surfaces of the gate electrode 4, a source-drain region 8 is formed by using these first sidewalls 7 as masks.例文帳に追加

ゲート電極４の側面に第１のサイドウォール７が形成された後、これらをマスクとしてソース・ドレイン領域８が形成される。 - 特許庁

The wiring 26 connecting the second semiconductor island-shaped region 32b and the gate electrode 16 of the field-effect transistor 40 is provided.例文帳に追加

第２の半導体島状領域３２ｂと電界効果型トランジスタ４０のゲート電極１６とを接続する配線２６を備えている。 - 特許庁

The second conductivity type drain region is formed at the first side part of the gate of the first conductivity type substrate.例文帳に追加

第２の１つの導電型ドレイン領域は、第１の１つの導電型基板の１つのゲートの第１の１つの側部に形成される。 - 特許庁

The first transistor is formed in the first active region 11A of a semiconductor substrate 10 and is provided with a first gate electrode 14A.例文帳に追加

第１のトランジスタは、半導体基板１０の第１の活性領域１１Ａに形成され、第１のゲート電極１４Ａを有する。 - 特許庁

After a gate dielectric 120 is formed on the recess 118, a doped channel region 124 is formed by a first dopant implant 122.例文帳に追加

ゲート誘電体１２０が凹部１１８に形成された後第一ドーパントインプラント１２２により、ドープ済みチャンネル領域１２４が形成される。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S, D are formed within the supporting board so as to sandwich a channel region under the first part of the gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ、Ｄは、ゲート電極の第１部分の下方のチャネル領域を挟むように支持基板内に形成される。 - 特許庁

Wiring 8a for connecting one impurity region 5b and the gate electrode 4a is formed on the first interlayer insulating film 6.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜６上に、一方の不純物領域５ｂとゲート電極４ａとを接続する配線８ａを形成する。 - 特許庁

The area I/O 3 is arranged at an arbitrary position in a gate region 5 on a chip 1 or on the periphery thereof and includes a plurality of I/O buffers.例文帳に追加

エリアＩ／Ｏ３は、チップ１上のゲート領域５又は周辺部の任意の位置に配設され、複数のＩ／Ｏバッファを含む。 - 特許庁

The protecting insulation film 12B covers a portion between a gate electrode 13 and an ohmic electrode 14 in the active region 12A.例文帳に追加

保護絶縁膜１２Ｂは、活性領域１２Ａにおけるゲート電極１３と各オーミック電極１４との間の部分を覆っている。 - 特許庁

Since oxidative reactions are suppressed in a nitrogen-introduced region, the insulating film 10 is formed larger in thickness than the gate insulating film 9.例文帳に追加

窒素が導入された領域では、酸化反応が抑制されるので、絶縁膜１０は、ゲート絶縁膜９よりも厚く形成される。 - 特許庁

Subsequently, a gate electrode is formed of a second polysilicon film 114 in a logic element region R3 on the silicon substrate 101.例文帳に追加

その後、シリコン基板１０１上におけるロジック素子領域Ｒ３に第２のポリシリコン膜１１４よりなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

Finally, an n-type source-drain region 15a is formed by implanting arsenic ions 14 using the sidewall 13 and the gate electrode 8a as a mask.例文帳に追加

サイドウォール１３及びゲート電極８ａをマスクとして砒素イオン１４を注入してｎ型ソース／ドレイン領域１５ａを形成する。 - 特許庁

An N+ type drain layer 1 is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 in a region separated from the P+ type gate layer 2b.例文帳に追加

前記Ｐ＋型ゲート層２ｂから離間した領域の前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

The word line functions as the gate electrode 104 on a channel region provided between the source/drain diffusion regions 107a and 107b.例文帳に追加

ワード線は、ソース／ドレイン拡散領域１０７ａ，１０７ｂの間のチャネル領域上において、ゲート電極１０４として機能する。 - 特許庁