「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A contact hole is formed in this interlayer insulation film 17 so as to form a contact which reaches a source/drain diffusion region 11 and a gate electrode 14.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a first gate electrode 108, a fourth source-drain region 114b, and a common contact 112 electrically connecting them.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１のゲート電極１０８と、第４のソース・ドレイン領域１１４ｂと、これらを電気的に接続する共通コンタクト１１２と、を含む。 - 特許庁

After drying the organic solvent, a back-gate transistor is manufactured by using a part of the contacting region as a channel portion, or a wiring is manufactured by using it as a conductor.例文帳に追加

有機溶媒を乾燥後、この接触領域の一部を、チャネル部として用いてバックゲート型トランジスタを、あるいは導体として配線を製造する。 - 特許庁

Since a source aluminum layer (h) is formed on the gate finger region with no interruption, the resistance of the source aluminum layer (h) itself is reduced.例文帳に追加

また、ソースアルミ層ｈが、ゲートフィンガー領域上でも途切れることなく形成されていることから、ソースアルミ層ｈ自体の抵抗を低減できる。 - 特許庁

A region between the gate patterns comprises a primary opening having a primary width, and a second opening having a second width greater than the primary width.例文帳に追加

ゲートパターン間の領域は、第１幅を有する第１開口部及び第１幅よりも大きい第２幅を有する第２開口部で構成される。 - 特許庁

ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.例文帳に追加

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁

To prevent spread-out from occurring in a channel region of an organic semiconductor thin film in a BG type organic TFT having a gate insulating film with a Low-k material.例文帳に追加

本発明の目的は、Low-k材でゲート絶縁膜を設けたBG型有機TFTにおける有機半導体薄膜のチャネル領域でのスプレットアウトを防止することである。 - 特許庁

A plurality of pixels are arranged in a matrix shape corresponding to crossing points of the gate lines GL and the drain lines DL to form the display region MXR.例文帳に追加

ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬとの交差部に対応して、複数の画素がマトリクス状に配列され上記表示領域ＭＸＲが形成されている。 - 特許庁

The first and second drain regions 6 and 8 comprises an N-type semiconductor region apart from a well portion right below the gate electrode 4 by a predetermined distance.例文帳に追加

第１および第２ドレイン領域６,８は、ゲート電極４直下のウェル部分と所定の距離だけ離れたＮ型半導体領域からなる。 - 特許庁

A second silicon nitride film 5, a silicon nitride film 4 and a first silicon nitride film 3 are etched in this order, and an aperture 6 is formed in a gate electrode forming region.例文帳に追加

第２シリコン窒化膜５、シリコン酸化膜４及び第１シリコン窒化膜３を順次、エッチングし、ゲート電極の形成領域に開口部６を形成する。 - 特許庁

In other words, a conduction path for ON operation is formed in the channel region 8 by varying the voltage on the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G.例文帳に追加

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に導通路を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁

Furthermore, a conductor layer 29 connected to the contact plug 28 and covering the insulation layer 27 from the gate electrode 23 to the photodiode region 34 is formed.例文帳に追加

さらに、このコンタクトプラグ２８に接続され、ゲート電極２３からフォトダイオード領域３４までの絶縁層２７を覆う導電体層２９が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the conventional source/drain diffusion region can be replaced by including the formation of the electrical junction by impressing the voltage to the sub gate.例文帳に追加

さらに、本発明はサブゲートに電圧を印加することにより電気接合の形成を誘起し、従来のソース／ドレイン拡張領域を置換することができる。 - 特許庁

A memory cell transistor 14a has a first gate electrode, which is provided on the single-crystal silicon layer in the first region.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ１４ａは、第１のゲート電極を有し、この第１のゲート電極が第１の領域の単結晶シリコン層上に設けられている。 - 特許庁

Polysilicon film 29 that becomes a gate electrode 24 and a sidewall 26 of polysilicon, which becomes a diffusion region, are formed by one pattern as a plurality of FETs.例文帳に追加

ゲート電極２４となるポリシリコン膜２９と拡散領域となるポリシリコンのサイドウォール２６とを、複数のＦＥＴ分として一つのパターンで形成する。 - 特許庁

The protection film 72 is formed even on a gate electrode 3, a side wall 51, and the part 61 of the source/drain region 6 on the side of the LDD layer 4.例文帳に追加

この保護膜７２を、ゲート電極３の上と、サイドウォール５１の上と、ソース／ドレイン領域６のＬＤＤ層４側の部分６１の上にも形成する。 - 特許庁

Each active region 40 is formed with two DRAM cells consisting of capacitors formed at both ends thereof and two transistors having a gate electrode 12.例文帳に追加

各活性領域４０には、その両端に形成されたキャパシタと、ゲート電極１２を有する２つのトランジスタとから成る２つのＤＲＡＭセルが形成される。 - 特許庁

An n^+ region 7 is formed by ion doping after a contact hole 7a is formed in the gate insulating film 3 consisting of a thick film high dielectric material.例文帳に追加

膜厚が厚い高誘電率材料からなるゲート絶縁膜３にコンタクトホール７ａを形成した後でイオンドーピングしてｎ^+領域７を形成する。 - 特許庁

An electron emitting structure includes at least one electron emitting region formed from the junction between a cathode electrode (43) and an extraction gate electrode (45).例文帳に追加

電子放出構造体は、カソード電極（４３）及び抽出ゲート電極（４５）の交差部から生じる少なくとも１つの電子放出領域を備える。 - 特許庁

An N-type drain region 205 is provided in a surface portion of the P-well 201 on the side opposite to the surface shield layer 206 when viewed from the gate electrodes 204.例文帳に追加

ゲート電極２０４から見て表面シールド層２０６とは反対側のＰウェル２０１の表面部にＮ型のドレイン領域２０５が設けられている。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between a gate electrode and other electrodes from being caused through an interlayer insulating film and also to reduce the contact resistance with a contact region.例文帳に追加

層間絶縁膜を通じてゲート電極と他の電極とが短絡することを防止すると共に、コンタクト領域とのコンタクト抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, trenches 16 are formed in an MOSFET region A_MOSFET, and trench gate electrodes 18 are embedded in the insides thereof.例文帳に追加

半導体装置１において、ＭＯＳＦＥＴ領域Ａ_ＭＯＳＦＥＴにトレンチ１６を形成し、その内部にトレンチゲート電極１８を埋設する。 - 特許庁

Accordingly, the problem can be solved by reducing oxygen deficiency and interface state existing in the oxide semiconductor layer in the region overlapping the gate electrode.例文帳に追加

これによりゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に存在する酸素欠損や界面準位を低減することで、課題を達成できる。 - 特許庁

A MOSFET cell of a semiconductor device is provided with a polysilicon gate electrode 6 and an n^+ source region 4 formed above an n^- drift layer 2.例文帳に追加

半導体装置のＭＯＳＦＥＴセルは、ポリシリコンのゲート電極６およびｎ^-ドリフト層２の上部に形成されたｎ^+ソース領域４を備える。 - 特許庁

A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加

補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２の直下にある半導体基板１Ｓ内には浅いｎ型低濃度不純物拡散領域ＥＸ１が形成されている。 - 特許庁

The gate electrodes 24a and 24b are formed after activation annealing (heat treatment) for activating impurities introduced into source region and drain regions.例文帳に追加

また、ゲート電極２４ａ、２４ｂは、ソース領域およびドレイン領域に導入された不純物を活性化する活性化アニール（熱処理）をした後に形成される。 - 特許庁

This gate insulating film GX serves as a capacitor insulating film of a capacitor C20, and the well region 601 functions as a storage node SN2 of the electrode capacitor C20.例文帳に追加

この、ゲート絶縁膜ＧＸが、キャパシタＣ２０のキャパシタ絶縁膜となり、ウエル領域６０１が電極キャパシタＣ２０のストレージノードＳＮ２として機能する。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL WITH LOW RESISTANCE SOURCE REGION AND HIGH SOURCE COUPLING, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加

低抵抗ソール領域と高ソース結合を持つフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより作られたメモリアレイ - 特許庁

A target ion responding part 20 for detecting target ions in a sample to be inspected is formed to the gate region 17 of a field-effect transistor 10.例文帳に追加

被験試料中の標的イオンを検出するための標的イオン感応部２０を電界効果型トランジスタ１０のゲート領域１７に形成した。 - 特許庁

Each of semiconductor regions on the first and second layers is formed by using a semiconductor film forming a hetero semiconductor region 4 and the gate electrode 6.例文帳に追加

１層目、２層目の半導体領域は、それぞれ、ヘテロ半導体領域４、ゲート電極６を形成する半導体膜を利用して形成する。 - 特許庁

The overlap of the source electrode 224/the drain electrode 230 and a gate region 202 is eliminated, and the parasitic capacitance and the feed-through voltage are reduced.例文帳に追加

ソース電極２２４及びドレイン電極２３０とゲート領域２０２とのオーバラップがなくなり、寄生容量とフィードスルー電圧を低減することができる。 - 特許庁

An image sensor covers a transfer gate and a floating diffusion layer as the blocking to protect a photodiode on a diode region is expanded laterally.例文帳に追加

本発明のイメージセンサはダイオード領域上にフォトダイオードを保護するブロッキングが側方に拡張されてトランスファゲート及び浮遊拡散層まで覆う。 - 特許庁

Employing the programmable logic array and a dynamic programmable gate can considerably improve the efficiency of logic blocks almost, without the need for adding of the circuit region.例文帳に追加

プログラマブル論理アレイと動的プログラマブル・ゲートを用いることで、回路領域をほとんど追加することなく論理ブロックの効率が大幅に改良される。 - 特許庁

Then the gate insulating film 7 is larger in film thickness at a portion adjacent to the source region 9 than at the remaining portions other than the adjacent portion.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜７において、ソース領域９に隣接する部分は、当該部分以外の残余の部分よりも大きい膜厚を有している。 - 特許庁

In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.例文帳に追加

本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁

This method includes a step for forming a gate electrode and a silicidation prevention film pattern successively stacked on the prescribed region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

この方法は半導体基板の所定領域上に順次に積層されたゲート電極及びシリサイド化防止膜パターンを形成することを含む。 - 特許庁

That is, the metal gate electrode 19 and the Si-Body 14 as an element region are electrically connected together at the side of the Si-Body 14.例文帳に追加

即ち、金属ゲート電極１９と素子領域のＳｉ−Ｂｏｄｙ１４とは、凸字状のＳｉ−Ｂｏｄｙ１４の側面で電気的に接続されている。 - 特許庁

Then, after an insulating and separating film is formed and an electrically conductive film is embedded in the trench, a transistor consisting of a gate, a drain and a source is formed at a predetermined region.例文帳に追加

次に、前記トレンチに絶縁分離膜を形成して導電膜を埋め込んだ後、所定の領域にゲート、ドレイン、ソースからなるトランジスタを形成する。 - 特許庁

The channel region and the gate dielectric regions are directly and physically brought into contact with each other with an interface practically perpendicular to the top substrate surface between.例文帳に追加

チャネル領域およびゲート誘電体領域は、上部基板面に実質的に垂直である界面を介して互いに直接物理的に接触している。 - 特許庁

The second conductivity type first lightly doped region is formed at the second side part of the gate of the first conductivity type substrate.例文帳に追加

第２の導電型の第１の１つの希薄ドープ領域は、第１の１つの導電型基板の１つのゲートの第２の１つの側部に形成される。 - 特許庁

The length of the low concentration impurity region (Lov), in a longitudinal direction of a channel, that overlaps the gate electrode may be 20-150nm, preferably, 50-120nm.例文帳に追加

ゲート電極と重なる低濃度不純物領域（Ｌｏｖ）のチャネル長方向の長さは２０ｎｍ〜１５０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１２０ｎｍとする。 - 特許庁

To make both of complete depletion operation and reduction of parasitic resistance in a source/drain region compatible, without damage to a channel surface, and with easy formation of a gate electrode.例文帳に追加

チャネル表面にダメージがなく、ゲート電極の形成が容易で、完全空乏動作とソース・ドレイン領域の寄生抵抗の低減との両立を可能にする。 - 特許庁

In a top view, the width of the connection path 22 is set smaller than the sum of those of the gate electrode 15 and the spacer 16 by the element isolation region 12.例文帳に追加

上面からの接続経路２２は、素子分離領域１２によってゲート電極１５及びスペーサ１６を合わせた寸法範囲内の幅となっている。 - 特許庁

The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.例文帳に追加

チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first island-like reinforcement film over a substrate having flexibility; a semiconductor film including a channel formation region and an impurity region over the first island-like reinforcement film; a first conductive film over the channel formation region with a gate insulating film interposed therebetween; and a second island-like reinforcement film covering the first conductive film and the gate insulating film.例文帳に追加

可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 - 特許庁