「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The fluorescent nanodiamond is formed by ion implantation of a predetermined element in a nanodiamond, and emits fluorescence with a wavelength in the wavelength range of 700-1,400 nm when it is excited by excitation light with a wavelength in the wavelength range of 700-900 nm.例文帳に追加

ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an LINAC improved by utilizing direct digital synthesis (DDS) techniques to obtain precise frequency and phase control and automated electrode voltage phase calibration; and to provide an HE ion implantation system using it.例文帳に追加

ダイレクトデジタル合成（ＤＤＳ）技術を使用して、高精度な周波数および位相の制御並びに自動化された電極電圧の位相較正を達成することにより改善されたＬＩＮＡＣとこれを使用したＨＥイオン注入システムを開示する。 - 特許庁

A resist pattern 14 covering over the gate electrode 13 to one flank of the gate electrode 13 is formed, and arsenic ions are implanted on the surface layer of the semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by the resist pattern 14 and the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３上からゲート電極１３の一側方にかけてを覆うレジストパターン１４を形成し、レジストパターン１４及びゲート電極１３をマスクに用いたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にヒ素イオンを導入する。 - 特許庁

A cryopump 10 includes: a refrigerator for cooling a cryopanel; and a CP controller 100 that can receive, from an ion implantation apparatus 1, a control signal representing an operation mode thereof and controls the refrigerator based on the control signal.例文帳に追加

クライオポンプ１０は、クライオパネルを冷却するための冷凍機と、イオン注入装置１からその運転モードを表す制御信号を受信可能であり、該制御信号に基づいて冷凍機を制御するためのＣＰコントローラ１００と、を備える。 - 特許庁

Consequently, the Gunn diode GD and the Schottky diode SD can be integrated on the same substrate by a process requiring no heat treatment (annealing) of high temperature (600°C) without utilizing a conventional ion implantation technology or the contact layer of IMPATT diode.例文帳に追加

したがって、従来のようなイオン注入技術やＩＭＰＡＴＴダイオードのコンタクト層を利用することなく、高温(６００℃)な熱処理(アニール)が不必要なプロセスで、ガンダイオードＧＤとショットキーダイオードＳＤとを同一基板上に集積できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The means 16 includes at least one serially connected PMOS transistor MP and at least one NMOS transistor MN and ion implantation for deciding threshold voltages for the transistors MP and MN is simultaneously performed.例文帳に追加

基準電圧手段１６は直列に接続される少なくとも一つのPMOSトランジスタＭＰと少なくとも一つのNMOSトランジスタＭＮを含み、これらPMOSトランジスタＭＰとNMOSトランジスタＭＮのスレッショルド電圧を決定するためのイオン注入が同時に行われる。 - 特許庁

After the STI 4 has been formed without removing a padding oxide film 21 used in forming the STI 4, the padding oxide film 21 is used as a capping oxide film for preventing channeling, and then ion implantation is performed for forming a well 2 (a process shown in (a)).例文帳に追加

ＳＴＩ４を形成した後、ＳＴＩ４を形成の際に用いたパッド酸化膜２１を除去せず、このパッド酸化膜２１をチャネリング防止用のキャップ酸化膜として用いて、ウェル２の形成のためのイオン注入を行う（図２（ａ）に示す工程）。 - 特許庁

To generate variation in a threshold due to low-density channel stopper formation in a channel region when a low-density channel stopper is formed in a channel stopper and an element region through ion implantation by covering the element region with an oxidation resistant film and by covering a drain region with a resist mask.例文帳に追加

素子領域を耐酸化膜で覆い、ドレイン領域をレジストマスクで覆ってイオン注入し、チャネルストッパ及び素子領域に低濃度チャネルストッパを形成すると、チャネル領域に低濃度チャネルストッパが形成され、しきい値のばらつきを生ずる。 - 特許庁

Subsequently, in an ion implantation process, a first doped area is formed in the effective layer covered with the shield area, and a second doped area is formed in the effective layer covered with the extension area thus fabricating a thin film transistor having a self-alignment LDD structure.例文帳に追加

次にイオン注入工程により、遮蔽エリアに覆われた有効層内に第１ドープエリアを形成し、延伸エリアに覆われた有効層内に第２ドープエリアを形成し、セルフアライメントＬＤＤ構造を備えた薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process.例文帳に追加

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a film, which can largely change the implanted ion amount at the boundaries between the areas covered by the masks preventing ion implantation and other areas; a magnetic recording medium including the magnetic films made by the manufacturing method; and an information recording apparatus using such a magnetic recording medium.例文帳に追加

イオン注入を阻害するマスクで覆われている箇所と他の箇所との境界でのイオン注入量の分布において高い急峻さが得られる膜製造方法と、その膜製造方法を利用して磁性材料の膜が形成された磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置とを提供する。 - 特許庁

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method.例文帳に追加

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

This method includes a step for forming, on a specified material layer 21, a photoresist pattern which exposes the part where the ions are implanted, a step for ion-implanting impurity elements into the specified material layer 21 with the photoresist pattern as an ion implantation barrier, and a step for stripping the photoresist pattern by using plasma of a mixed gas containing at least a hydrocarbon-based gas.例文帳に追加

所定の物質層２１上に、イオンを注入する部分を露出させたフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをイオン注入バリアとして、所定の物質層２１に不純物元素をイオン注入するステップと、少なくとも炭化水素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、フォトレジストパターンをストリップするステップとを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A positive electrode current collector 10 for a battery is composed of an aluminum or aluminum alloy conductive base material 12, and a fluorine ion implantation layer 14 formed by ion-implanting fluorine has on the surface 16 of the base material 12.例文帳に追加

本発明によって提供される電池用の正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の導電性基材１２から構成された正極集電体１０であって、基材１２の表面１６にフッ素がイオン注入されたフッ素イオン注入層１４が形成されていることを特徴とする、正極集電体１０である。 - 特許庁

An anodized aluminum film 11 formed by anodized aluminum film treatment, a gradient layer 12 formed with a specific element in a gradient form by plasma ion implantation treatment on a surface layer side of the anodized aluminum film 11, and a DLC layer 13 formed by plasma ion deposition treatment on the surface layer side of the gradient layer 12 are formed on the surface of the main body 10 of the parts made of an aluminum alloy.例文帳に追加

アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、アルマイト処理により形成されたアルマイト１１と、アルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 - 特許庁

Ion implantation carried out for the formation of the LDD layers of MOS transistors 3 and 4 are performed in a state, where only an L-shaped silicon nitride film of an emitter/base forming region 17 is left unremoved, while an L-shaped silicon nitride film located by the side of the gate electrodes 18C and 18D is removed.例文帳に追加

各ＭＯＳトランジスタ３，４のＬＤＤ層３５，３６形成のためのイオン注入は、エミッタ・ベース形成領域１７のＬ字型シリコン窒化膜３２Ａのみ残し、ゲート電極１８Ｃ，１８Ｄ側方のＬ字型シリコン窒化膜を除去した状態で行なう。 - 特許庁

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)).例文帳に追加

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域２０ａ及びドレイン領域２２ａとに、シリコン基板１０に対して垂直の方向からヒ素Ａｓ^+を高濃度でイオン注入して、２回目の高濃度イオン注入を行う（図１（Ｃ））。 - 特許庁

To protect a resist layer from heat radiation of heat generated in a wafer during ion implantation treatment and prevent electrostatic chucking phenomenon caused by accumulated charges by arranging in a vacuum chamber and constituting with a wafer supporting table body and a conductive elastic body for mounting the wafer fixed to the supporting table body.例文帳に追加

静電吸着によってウェハと弾性体表面が強固に密着するということがない上ウェハに付着するパーティクルの数を低減することができると共に、ウェハの冷却効率にも優れたイオン注入装置のウェハ支持台を提供する。 - 特許庁

A wafer W is equipped with a resist cured film 79 formed through an ion implantation process, and the wafer W is subjected to processing so as to expose the resist cured film 79 to water vapor kept at a prescribed temperature, whereby the the resist cured film 79 is popped out (step 4).例文帳に追加

イオン注入処理等によって形成されたレジスト硬化膜７９を備えたウエハＷを、このレジスト硬化膜７９が所定温度の水蒸気に曝されるように処理することによってレジスト硬化膜７９にポッピングを生じさせる（ステップ４）。 - 特許庁

To provide a construction and a manufacturing method, wherein an etching margin is assured when a connection hole is formed in an active layer of a thin-film transistor, the controllability of ion implantation is improved in the depth direction, and further the crystal defects and distortion are eliminated in a channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層上に接続孔を形成する際のエッチングマージンが確保し、イオン注入での深さ方向の制御性を良くし、さらにチャネル領域の結晶欠陥や歪みを解消する構成および製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device wherein the trade-off relation between channel resistance and JFET resistance, which is an obstacle to device miniaturization, is improved and the same mask is used to form a source region and a base region by ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

Furthermore, a number of punch out transpositions P due to the oxygen deposit (a) are generated in the high-temperature annealing after the ion implantation, thus sufficiently achieving the gettering of the metal impurities in the high-temperature annealing and device with the punch out transpositions P as a gettering site.例文帳に追加

しかも、イオン注入後の高温アニール時に、酸素析出物ａに起因する多数のパンチアウト転位Ｐを発生させるので、パンチアウト転位Ｐをゲッタリングサイトとして、高温アニール時およびデバイス時に、金属不純物をそれぞれ十分にゲッタリングできる。 - 特許庁

To efficiently remove a particle adhered at the time of an oxygen ion implantation, and to decrease a deep defect penetrating an SOI layer observed after dipping an SIMOX structure in a hydrofluoric acid solution of 50 wt% concentration at 23°C for 30 minutes.例文帳に追加

酸素イオン注入時に付着したパーティクルを効率良く除去し、ＳＩＭＯＸ構造において、温度２３℃での濃度が５０重量％であるフッ酸水溶液に３０分間浸漬した後に観察されるＳＯＩ層を貫通する深い欠陥を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving characteristics by stabilizing an effective base region by regulating ion implantation by keeping a film thickness variation portion of an element separation oxide film in a predetermined film thickness, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、素子分離酸化膜の膜厚変化部位を所定の膜厚に保持してイオン注入を規制することにより、実効ベース領域の安定化による特性向上を図る半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The low-adhesive material 7 has a base material 3 composed of Y_2O_3 and a functional layer 9 provided near the surface of that base material 3 and containing nitrogen, and is manufactured by making nitrogen contained near the surface of the base material 3 using an ion implantation method.例文帳に追加

低密着性材料７は、Ｙ_２Ｏ_３からなる母材３とその母材３の表面近傍に設けられ窒素を含む機能層９とを有し、イオン注入法を使用して母材３の表面近傍に窒素を含有させることによって製造される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SIMOX wafer including a step of forming a high-concentration layer of oxygen in a silicon wafer by implanting oxygen ions into the silicon wafer, the power that a beam current used for the oxygen ion implantation has is not larger than 14 kW.例文帳に追加

シリコンウェーハに酸素イオンを注入して、前記シリコンウェーハ中に酸素の高濃度層を形成する工程を有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入に用いるビーム電流がもつ仕事率を１４ｋＷ以下とする。 - 特許庁

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a first heat treatment protective film (silicon nitride film 6) after the ion implantation for introducing an impurity, a step of forming a second heat treatment protective film (silicon nitride film 7), and a step of conducting heat treatment to form a well in the impurity diffusing region.例文帳に追加

不純物を導入するイオン注入後に第１の熱処理用保護膜（窒化シリコン膜６）を形成し、次に第２の熱処理用保護膜（窒化シリコン膜７）を形成してから、不純物拡散領域であるウェルを形成するための熱処理を行う。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

In this invention, utilizing a phenomenon in which a high concentration ion implantation region in a diamond substrate 101 is reformed into graphite, the reformed graphite layer 104 is electrochemically etched away as a sacrificial layer, and a diamond layer left behind thereon is used as a movable structure.例文帳に追加

本発明は、ダイヤモンド基板１０１内の高濃度イオン注入領域がグラファイトに改質されることを利用し、改質されたグラファイト層１０４を犠牲層として電気化学エッチング除去し、その上に遺されたダイヤモンド層を可動構造体とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bonded wafer, capable of obtaining the bonded wafer having a thin film satisfactory in film thickness uniformity, even when heat treatment is performed for planarizing the thin-film surface of the bonded wafer after peeling, in an ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法において、剥離後の貼り合わせウェーハの薄膜表面を平坦化するための熱処理を行った際にも、膜厚均一性に優れた薄膜を有する貼り合わせウェーハを得ることができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, at least one main surface of the SiGe epitaxial film 11 on which an ion implantation layer is formed and a support substrate 20 is subjected to plasma treatment and ozone treatment for purposes of surface cleaning, surface activation, or the like, and both main surfaces are laminated for bonding.例文帳に追加

続いて、イオン注入層を形成したＳｉＧｅエピタキシャル膜１１と支持基板２０の少なくとも一方の主面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施し、主面同士を密着させて貼り合わせる。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁

A semiconductor device 25, where a surface protective film 23 constituted of a silicon oxide insulating film, is installed on a semiconductor substrate 16 and at least the surface area of the surface protection film 23 is improved by ion implantation 37 and the manufacturing method are arranged.例文帳に追加

半導体基体１６上にシリコン酸化物絶縁膜からなる表面保護膜２３を有し、この表面保護膜２３の少なくとも表面域が、イオン注入３７によって改質されている、半導体装置２５及びその製造方法を特徴とする。 - 特許庁

In a compound semiconductor substrate 11 in which a plurality of semiconductor elements 12 are formed, modified layers 17 in which crystallinity is collapsed by ion implantation or the like are formed on regions (dicing regions 14) between forming regions of the semiconductor elements 12.例文帳に追加

複数の半導体素子１２を形成された化合物半導体基板１１において、半導体素子１２の形成領域と形成領域との間の領域（ダイシング領域１４）にイオン注入等によって結晶性の崩れた改質層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation.例文帳に追加

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象（ＴＥＤ）及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a field effect semiconductor device which contains a HENT and is excellent in high-frequency characteristics and high-speed operating characteristics by reducing the device in damage by ion implantation for controlling Vth and keeping it high in channel mobility.例文帳に追加

電界効果半導体装置に関し、Ｖ_th制御の為のイオン注入に依る損傷を低減し、高いチャネル移動度を維持できるようにして、高周波特性及び高速動作性が良好なＨＥＭＴを含む電界効果半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Then a fifth impurity region and a sixth impurity region acting like the GOLD region and a third impurity region and a fourth impurity region acting like the LDD region are formed through ion implantation by using the gate electrode 9 for a mask.例文帳に追加

そして、そのゲート電極９をマスクとしてイオン注入によりＧＯＬＤ領域となる第５不純物領域と第６不純物領域が形成されるとともに、ＬＤＤ領域となる第３不純物領域と第４不純物領域が形成される。 - 特許庁

A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加

撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁

When nitrogen, hydrogen, or fluorine is introduced into the base material layer by ion implantion method, etc., the implantation is substantially limited to a specified range along the depth and then a work is exposed to excited oxygen to precisely etch only the specific range.例文帳に追加

イオン注入法などの方法により窒素、水素、フッ素を母材層に導入するに際して、深さ方向の所定の範囲に実質的に限定し、しかる後に励起した酸素に晒すことにより、所定の範囲のみを精密にエッチング除去することができる。 - 特許庁

To provide a transfer mask data correction system to obtain a transfer mask suitable to eliminate the troubles caused by the physical phenomenon which follows the etching or ion implantation and the electron beam lithography when manufacturing a mask pattern.例文帳に追加

エッチングやイオン注入等に伴う物理現象に起因した不都合、および、マスクパターンを製作する際の電子線描画に伴う物理現象に起因した不都合を解消に適した転写用マスクを得るための転写用マスクデータ補正装置を提供する。 - 特許庁

After forming the gate electrode 103 on a silicon substrate 100, ion implantation is performed with the gate electrode 103 as a mask to form low concentration impurity regions 104, and thereafter first sidewall spacer 105 are formed on the side surfaces of the gate electrode 103.例文帳に追加

シリコン基板１００の上にゲート電極１０３を形成した後、ゲート電極１０３をマスクとしてイオン注入を行なって低濃度不純物領域１０４を形成し、その後、ゲート電極１０３の側面に第１のサイドウォールスペーサ１０５を形成する。 - 特許庁

The doping concentration of the exposed top portion of the body region can be increased by ion implantation to provide a low-resistance contact to the body region, or a recombination region having a high-density of crystalline defects can be formed.例文帳に追加

ボディ領域への低抵抗接触を可能にするために、イオン注入によってボディ領域の露出された最上部部分のドーピング濃度を高めることができるか、または高密度の結晶欠陥を有する再結合領域を形成することができる。 - 特許庁