「isolation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region.例文帳に追加

光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。 - 特許庁

The element region 100a is isolated from other regions by the element isolation region 100b.例文帳に追加

素子領域１００ａは、素子分離領域１００ｂにより他の領域から絶縁されている。 - 特許庁

A nitride containing isolation liner reduces the isolation of boron in a channel region as compared with an oxide-containing isolation liner essentially without nitrogen.例文帳に追加

窒化物含有分離ライナーは、本質的に窒素の無い酸化物含有分離ライナーに比べて、チャネル領域内でのホウ素の分離を減らす。 - 特許庁

The element isolation region has a DTI (Deep Trench Isolation) structure and has a bottom exposed to the backside of the semiconductor substrate 9, the inside thereof being a cavity.例文帳に追加

素子分離領域は、ＤＴＩ(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板９裏面に露出し、その内部は空洞になっている。 - 特許庁

Its lower part and its periphery of the p-type collector region are electrically isolated from the substrate by an n-type lower part isolation region 78 and by an n-type circular isolation region 80, respectively.例文帳に追加

ｐ型コレクタ領域は、下部がｎ型下部分離領域７８によって、周囲がｎ型環状分離領域８０によって、基板から電気的に分離されている。 - 特許庁

Element isolation between a cell region R1 and a diode forming region R2 is performed by a PN isolation portion composed of a p-type region 9b and an n-type region 8b disposed on an electric field relaxation region R3.例文帳に追加

電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。 - 特許庁

To provide an improved flash memory device having: shallow trench isolation in a peripheral region: and LOCOS isolation in a core region.例文帳に追加

周辺領域には浅いトレンチアイソレーションがあり、かつコア領域にはＬＯＣＯＳアイソレーションがある、改良されたフラッシュメモリデバイスが提供される。 - 特許庁

The channel stop region 9 is formed under the element isolation film 81.例文帳に追加

チャネルストップ領域９は、素子分離膜８１の下に形成されている。 - 特許庁

A plurality of laser beams are projected to an optical disk DK0 for adjusting optical axis provided with an isolation track region I_t and an isolation pit region I_p.例文帳に追加

孤立トラック領域Ｉ_ｔ、孤立ピット領域Ｉ_ｐを設けた光軸調整用光ディスクＤＫ０に複数のレーザー光を照射する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 has an element isolation region 6, and on the element isolation region 6, a first trench 3 and a second trench 5 having different diameters are laminated.例文帳に追加

半導体基板１に、素子分離領域６を有し、素子分離領域６は、径の異なる第１のトレンチ３、第２のトレンチ５が積層される。 - 特許庁

The trench isolation region is formed on a main face of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主表面にトレンチ分離領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first element isolation region 19 and a second element isolation region 29 which are both provided in a semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層１０に形成された第１素子分離領域１９および第２素子分離領域２９を含む。 - 特許庁

The element isolation region 50 is provided around the FET 40.例文帳に追加

ＦＥＴ４０の周囲には、素子分離領域５０が設けられている。 - 特許庁

After that, a p^+ isolation region 24 is formed on the sidewall of the trench 23.例文帳に追加

そして、トレンチ２３の側壁にｐ^+分離領域２４を形成する。 - 特許庁

A resist mask is formed over the isolation structure part formation region alone.例文帳に追加

素子分離構造部形成領域のみを覆うレジストマスクを形成する。 - 特許庁

To provide an isolation structure which materializes a micro-fabrication of an isolation region, a reduction of a chip size, and high integration.例文帳に追加

分離領域の微細化およびチップサイズの小型化または高集積化を実現する分離構造の提供。 - 特許庁

In a capacitor forming region 1B, an active region 7b is formed between element isolation regions 6 and a capacitor 20 is formed on the element isolation region 6 and the active region 7b.例文帳に追加

キャパシタ形成領域１Ｂにおいて、素子分離領域６の間に活性領域７ｂが設けられており、素子分離領域６および活性領域７ｂ上にキャパシタ２０が形成される。 - 特許庁

The well region of first conductive type intrudes the well area of second conductive type across the element isolation region or intrudes the region of second conductive type by a half of the width of the element isolation region.例文帳に追加

第１導電型ウエル領域は、素子分離領域を越えて第２導電型ウエル領域に入り込んでいるか素子分離領域の幅の半分より第２導電型領域側に入り込んでいる。 - 特許庁

To eliminate a pattern dependence by suppressing a leakage current of an interface between an element region and an element isolation region by completely flattening a step between the element region and the element isolation region at a gate wiring forming time.例文帳に追加

ゲート配線形成時の素子領域と素子分離領域の段差を完全に平坦化して素子領域と素子分離領域界面のリーク電流を抑え、そのパターン依存性を無くす。 - 特許庁

The structure of a light-receiving region of a joined end is a part of an element isolation region, and the total width of the element isolation regions close to each other is equal to or narrower than the width of an element isolation region other than the joined region.例文帳に追加

つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 - 特許庁

An N-type region that becomes a source of the JFET is formed between the body region 15 and the P-type device isolation region 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とＰ型素子分離領域１３との間にＪＦＥＴのソースとなるＮ型領域が形成される。 - 特許庁

In a region under the element isolation region 11 in the well 13, a p-type second semiconductor region 24a is formed.例文帳に追加

このウェル１３内の素子分離領域１１下の領域には、ｐ型の第２の半導体領域２４ａを形成している。 - 特許庁

A first polysilicon electrode 13 is formed within the surface region of an STI region 12b as an element isolation region.例文帳に追加

第１のポリシリコン電極１３は素子分離領域としてのＳＴＩ領域１２ｂの表面領域内に形成されている。 - 特許庁

Cell gate patterns are formed on the cell active region and the element isolation film.例文帳に追加

前記セル活性領域及び素子分離膜にセルゲートパターンが配置される。 - 特許庁

An isolation trench is formed in a first region of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

素子分離トレンチが半導体基板１０の第１部位内に形成される。 - 特許庁

In an element isolation region B, the trench 2 of a prescribed depth is formed.例文帳に追加

素子分離領域Ｂでは、所定の深さのトレンチ２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a uniform, flat element isolation region, without depending on the formation pattern of the element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の形成パターンに依存せず、均一で平坦な素子分離領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To secure the functionality of atmosphere separation between processing regions by an isolation region, while also restricting the consumption of a separation gas supplied to the isolation region.例文帳に追加

分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。 - 特許庁

To provide an image processing method adopted by even a simplified image processing unit that can quicken region isolation processing and enhance the region isolation accuracy.例文帳に追加

領域分離処理を速めるとともに装置を簡略化しても領域分離精度を向上することが可能な画像処理方法を提供する。 - 特許庁

A trench element isolation oxide film 11 is formed on the surface of a silicon substrate 10, and a transistor 3 is formed in an active region other then an element isolation region.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面にトレンチ素子分離酸化膜１１が形成され、素子分離領域以外の活性領域にトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁

To reduce an oxidizing quantity of a trench isolation region in a semiconductor device having a trench isolation region and a gate oxide film that has more than one film thickness.例文帳に追加

トレンチ分離領域と、２種類以上の膜厚のゲート酸化膜とを有する半導体装置において、トレンチ分離領域が受ける酸化量を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench element isolation region, which favorably conducts an embedding of an insulating layer in the isolation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の絶縁層の埋め込みが良好に行われる、トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A photomask 10 for pattern transfer has a transmission region 3, an isolation line portion 1, and a light shield region 2 formed on the isolation line portion 1.例文帳に追加

フォトマスク１０は、パターン転写の為のフォトマスクにおいて、透過領域３と、孤立ライン部１と、孤立ライン部１上に形成された遮光領域２を備える。 - 特許庁

The ratio of depth X_1 to width Y_1 of the first element isolation region 19 is made nearly equal to the ratio of depth X_2 to width Y_2 of the second element isolation region 29.例文帳に追加

第１素子分離領域１９の深さＸ_１と幅Ｙ_１との比と、第２素子分離領域２９の深さＸ_２と幅Ｙ_２との比とがほぼ等しい。 - 特許庁

An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加

半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁

A device-isolation insulating region formed in a surface layer of a semiconductor substrate demarcates an active region.例文帳に追加

半導体基板の表層部に形成された素子分離絶縁領域が活性領域を画定する。 - 特許庁

An element isolation film is provided in a predetermined region of the semiconductor substrate to define an active region.例文帳に追加

前記半導体基板の所定領域に素子分離膜が提供されて活性領域を画定する。 - 特許庁

The isolation portion 32 has a holding region 36 including a floating region 32b at least partially.例文帳に追加

絶縁部３２は、少なくとも一部にフローティング領域３２ｂを含む保持領域３６を備えている。 - 特許庁

Then, the nitride film 106 is removed, the isolation film 108 of the cell region is secondarily etched, and the device isolation films 108 of the cell region and the peripheral region are thirdly etched.例文帳に追加

続いて、窒化膜１０６を除去し、セル領域における素子分離膜１０８を第二次エッチングし、セル領域と周辺領域における素子分離膜１０８を第三次エッチングする。 - 特許庁

The isolation region comprises a set of storage locations required for isolation of one or more data regions of the storage device 105.例文帳に追加

分離領域は、記憶装置１０５のうち１つ以上のデータ領域の分離に必要な１組の記憶位置を含む。 - 特許庁

A low-concentration diffusion region is such that a first part 3a coming into contact with the element isolation region 6 is as deep as or shallower than the element isolation region 6, and a second part 3b on a side of a gate electrode 1 as compared with the first part 3a is deeper than the element isolation region 6.例文帳に追加

低濃度拡散領域は、素子分離領域６に接する第１部分３ａは素子分離領域６と同じ深さであるか又はそれよりも浅く、第１部分３ａよりもゲート電極１側の第２部分３ｂは素子分離領域６よりも深い。 - 特許庁

To provide a producing method of a trench isolation structure which prevents the formation of a divot in a trench element isolation region and, further, capable of more effectively suppressing the generation of voids in the trench element isolation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域にディボットが生成されることを防止し、さらにトレンチ領域内のボイド発生をより効果的に抑制できるトレンチ分離構造の作成方法を提供する。 - 特許庁

The spiral inductor 16 is formed above the element isolation region 12.例文帳に追加

素子分離領域１２の上方にスパイラル状のインダクタ１６が形成されている。 - 特許庁

Next, an isolation region is formed in the trench at either side of the DRAM cells.例文帳に追加

次に、ＤＲＡＭセルのいずれかの側のトレンチ内に分離領域が形成される。 - 特許庁

An isolation region 58 is formed within the space made etching.例文帳に追加

エッチングによって作成された空間内にアイソレーション領域５８を形成する。 - 特許庁