「isolation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A trench isolation structure TI is formed, between an active barrier region ABR and other region (output transistor forming region ER and control circuit forming region CCR).例文帳に追加

アクティブバリア領域ＡＢＲと他の領域（出力トランジスタ形成領域ＯＥＲおよび制御回路形成領域ＣＣＲ）との間にトレンチ分離構造ＴＩが形成されている。 - 特許庁

To perform an interelement isolation by a MISFET and to contrive an element isolation in a microscopic region and a high integration of a semiconductor integrated circuit in a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにより素子間の分離を行い、微細な領域での素子分離および半導体集積回路の高集積化を図る。 - 特許庁

In a silicon substrate 101, a trench-type isolation 105 is formed as an element isolation region for marking off the silicon substrate into many element formation regions.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、多数の素子形成領域に区画する素子分離領域として、溝型の素子分離１０５が形成されている。 - 特許庁

The pad 6NB of a gate electrode 6N is formed on an element isolation insulating film 9 in the element isolation region of the SOI substrate 1.例文帳に追加

また、ゲート電極６Ｎのパッド部６ＮＢは、ＳＯＩ基板１の素子分離領域において、素子分離絶縁膜９上に形成されている。 - 特許庁

Also, in accordance with the modifying of this patterning mask, an isolation-film removing mask pattern 40a' is so modified and so designed in a first region A' of the isolation-film removing mask as to remove the predetermined region of the isolation film, which is to be formed on the first quasi activated region.例文帳に追加

また、このパターニング用マスクの修正に伴って、絶縁膜除去用マスクの第１領域Ａ’に、第１の疑似の活性化領域上に形成される絶縁膜の所定領域が除去されるように絶縁膜除去用マスクパターン４０ａ’を修正設計する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulating layer, a recess formed in a region that excludes an element isolation region in the insulating layer, the element isolation region consisting of the insulating layer between the recesses and an insulating film formed thereon, and a silicon semiconductor layer formed on the bottom surface of the recess surrounded with the element isolation layer.例文帳に追加

半導体素子が、絶縁層と、絶縁層の素子分離領域を除く領域に形成された凹部と、この凹部の間の絶縁層とその上に形成された絶縁膜からなる素子分離層と、素子分離層に囲まれた凹部の底面上に形成されたシリコン半導体層とを備える。 - 特許庁

The protective film is provided to the part where a gate electrode and a boundary region between the element isolation film and an element region are overlapped in plane.例文帳に追加

ゲート電極と、素子分離膜と素子領域との境界領域とが平面的に重なる部分に保護膜を設ける。 - 特許庁

A P-type diffusion region 44 is formed on a surface of the substrate 21, which is under each circuit element so that the region 44 will play the role of junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

The thick film SOI region 101 and the thin film SOI region 102 are element-separated by a complete isolation oxide film 10f.例文帳に追加

厚膜ＳＯＩ領域１０１，薄膜ＳＯＩ領域１０２間は完全分離酸化膜１０ｆにより素子分離される。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device so that stress is controlled by treating an active region and an element isolation region as discrete objectives.例文帳に追加

活性領域と素子分離領域を別個の対象として応力を制御し，半導体装置の性能を向上する。 - 特許庁

On the boundary of a section 62, an isolation region 64 of p^+ region is formed by ion implantation from the surface of a substrate.例文帳に追加

区画６２境界に、基板表面からのイオン注入によって、ｐ^＋領域である分離領域６４を形成する。 - 特許庁

The pattern is arranged in a predetermined region on the insulating film between the planarizing layers in upper position of the active region and the element isolation film.例文帳に追加

それは、活性領域及び素子分離膜の上部位置の平坦化層間絶縁膜上の所定領域に配置される。 - 特許庁

Consequently, the element region made to operate as the HFET is electrically separated by the element isolation region by the groove 15.例文帳に追加

その結果、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域は、溝１５による素子分離領域によって電気的に分離される。 - 特許庁

An annular dummy pattern 20 is provided to enclose the isolation region 10 in an inactive region which exceeds a prescribed size.例文帳に追加

所定の大きさを超える非活性領域の中には、分離領域１０を取り囲むように環状のダミーパターン２０を設ける。 - 特許庁

Therefore, the first and second gate materials are made only in an activating region 8, and they do not exist on the element isolation region 4.例文帳に追加

このため、活性化領域８にのみ第１、第２のゲート材が形成され、素子分離領域４上には存在しない。 - 特許庁

The element isolation region 102 includes: a first element isolation film 102A; and a second element isolation film 102B formed on the gate insulating film 111 side than the first element isolation film 102A with the first element less apt to diffuse comparing to the first element isolation film 102A.例文帳に追加

素子分離領域１０２は、第１の素子分離膜１０２Ａと、第１の素子分離膜１０２Ａよりもゲート絶縁膜１１１側に形成され且つ第１の素子分離膜１０２Ａと比べて第１の元素が拡散しにくい第２の素子分離膜１０２Ｂとを有している。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a cell region, a high voltage region, and a low voltage region, wherein a mask is used that exposes the cell region and part of a device isolation film of the high voltage region.例文帳に追加

本発明の製造方法によると、セル領域、高電圧領域、低電圧領域を有する半導体基板において、セル領域と高電圧領域の素子分離膜の一部とを露出させるマスクを用いる。 - 特許庁

An SiGe layer is formed on the substrate and the recessed and nonrecessed surfaces of each isolation region.例文帳に追加

基板上、並びに各分離領域の凹化面及び非凹化面上に、ＳｉＧｅ層が形成される。 - 特許庁

A plurality of dummy projection regions 32 is provided in the trench element isolation region 24.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域２４内において、複数のダミー凸部領域３２が設けられている。 - 特許庁

To suppress generation of dark currents in a trench-shaped element isolation region of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子のトレンチ型素子分離領域における暗電流の発生を抑制すること。 - 特許庁

Moreover, a layer specifying the isolation region between the transistors is automatically elongated by the CAD tool.例文帳に追加

また、ＣＡＤツールにより、トランジスタ同士の分離領域を規定するレイヤーを自動で伸張する。 - 特許庁

A polycrystalline Si film 3 and an SiO2 2 are removed to form a groove element isolation region 9.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜３およびＳｉＯ_2 膜２を除去し、溝素子分離領域９を形成する。 - 特許庁

The substrate comprises an effective region between regions of bubble-like shallow trench isolation(STI).例文帳に追加

基板は風船形の浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）の領域の間に有効領域を有する。 - 特許庁

An isolation region 301 is formed between a first inductor 201 and a second inductor 202.例文帳に追加

第１インダクタ２０１と第２インダクタ２０２との間に、アイソレーション領域３０１を形成する。 - 特許庁

An active region 2a surrounded by an element isolation film 3 is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離膜３に周囲を囲まれた活性領域２ａを設ける。 - 特許庁

An element isolation region 109 is formed for a gate electrode 103 through self alignment.例文帳に追加

ゲート電極１０３に対して素子分離領域１０９を自己整合的に形成している。 - 特許庁

A facet 16A is formed in the epitaxial SiGe layer 16 at the side of the element isolation region 12.例文帳に追加

素子分離領域１２側のエピタキシャルＳｉＧｅ層１６にはファセット１６Ａが形成される。 - 特許庁

The capacitive element is formed on an element isolation region 11 formed over a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０に形成された素子分離領域１１上に容量素子を形成する。 - 特許庁

An isolation region 76 exists between a focal point detection pixel 20V and an imaging pixel 20R.例文帳に追加

焦点検出用画素２０Ｖと撮像用画素２０Ｒとの間に、分離領域７６がある。 - 特許庁

An upper surface of an element isolation layer 23B in the second region is higher than that of an element isolation layer 23A in the first region, and the curvature radius of an upper corner of a charge storage layer 32B in the second region is larger than that of a charge storage layer 43 in the third region.例文帳に追加

第２の領域の素子分離層２３Ｂの上面は、第１の領域の素子分離層２３Ａの上面より高く、第２の領域の電荷蓄積層３２Ｂは、上部の角の曲率半径が、第３の領域の電荷蓄積層４３よりも大きい。 - 特許庁

While an element isolation film for electrically isolating regions where respective transistors are formed is formed, a region isolation film 12 for separating the source region, channel region, and drain region of an MOS transistor for a high breakdown voltage from one another is formed.例文帳に追加

各トランジスタが形成される領域を、それぞれ電気的に分離するための素子分離膜が形成されると同時に高耐圧用ＭＯＳトランジスタのソース領域とチャネル領域とドレイン領域とを互いに分離するための領域分離膜１２が形成される。 - 特許庁

The refractive index of a first isolation film 12A of a barrier layer for converting the light-shielding film 11 on the photoelectric conversion region 3, and an transfer region 4 is selected lower than the refractive index of a second isolation film 13A that is a planarization layer on the first isolation film 12A.例文帳に追加

光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

To realize a method of forming a grooved element isolation region which surely enables formation, with higher accuracy and on the self-alignment basis, of a grooved element isolation region having the region including impurity only at the upper part of the sidewall of the groove.例文帳に追加

溝部の側壁の上部にのみ不純物含有領域を有する溝型素子分離領域を確実に且つ高い精度で、しかも自己整合的に形成すること可能とする溝型素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has an n^+-type source region 26, a p-type body region 24, an n-type drift region 23, and the trench isolation gate 30 extending between the source region 26 and drift region 23 while penetrating the body region 24.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｎ^＋型のソース領域２６と、ｐ型のボディ領域２４と、ｎ型のドリフト領域２３と、ボディ領域２４を貫通してソース領域２６とドリフト領域２３の間を伸びている絶縁トレンチゲート３０を備えている。 - 特許庁

An n-type high concentration region 8 is provided in isolation from the region 6 on the region 3A, and a trench groove type insulating region 9 contacted with a dielectric film is formed between the region 8 and the region 6.例文帳に追加

また、内側ｎ形領域３Ａにはｐ形領域６と離間してｎ形高濃度領域８を設け、ｎ形高濃度領域８とｐ形領域６との間には誘電体膜に接するトレンチ溝型絶縁領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and a method of manufacturing the same, capable of reducing the parasitic capacitance of an element isolation region that has a deep trench isolation (DTI) shape.例文帳に追加

ディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）形状の素子分離領域の寄生容量を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming bubble-like shallow trench isolation such that an effective region is preserved for improved isolation, in to a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスにおいて有効領域が保存されて分離が改善されるような風船形の浅いトレンチ分離を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The isolation method and apparatus further include forming of an isolation trench in an active region and filling the trench with a doped conductive material containing silicon.例文帳に追加

分離方法及び装置では更に、能動領域内に分離溝を形成し、この分離溝に、シリコンを含有しドーピングされた導電性材料を充填する。 - 特許庁

To control centering of transistor gate electric field, which is formed in an active region divided by element isolation, around the element isolation.例文帳に追加

素子分離によって区画される活性領域において形成されるトランジスタのゲート電界が、当該素子分離の近傍での集中することを抑制する。 - 特許庁

To prevent the smiling phenomenon of a tunnel oxide film and the gap-filling failures for an element isolation film occurring, in a cell region in an SA-STI (Self-Aligned Shallow Trench Isolation) process.例文帳に追加

ＳＡ−ＳＴＩ工程の際にセル領域で発生するトンネル酸化膜のスマイリング現象と素子分離膜のギャップフィリング不良を防止する。 - 特許庁

To provide a rubber composition for vibration isolation, having excellent vibration isolation performance giving stable tanδ over a wide temperature region from low temperatures to high temperatures.例文帳に追加

低温から高温までの広範な温度領域で安定したｔａｎδが得られ、優れた防振性能を有する防振ゴム用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁

Assuming the distance between the end of the isolation region 303b and the conductive layer 304 is a, the width of the sidewall 308 is b, and the isolation width is c, following relation is satisfied; c>a≥b.例文帳に追加

素子分離領域303bの端部と導電層304間の距離をa、サイドウォール308の幅をｂ、素子分離幅をｃとすると、ｃ＞ａ≧ｂなる関係を有する。 - 特許庁

A relation of c>a≥b is satisfied, where a is the distance between the end of the element isolation region 303b and the conductive layer 304, b is the width of the sidewall 308, and c is the element isolation width.例文帳に追加

素子分離領域303bの端部と導電層304間の距離をa、サイドウォール308の幅をｂ、素子分離幅をｃとすると、ｃ＞ａ≧ｂなる関係を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation region that prevents abnormal oxidation of an element forming region when a trench side wall is oxidized.例文帳に追加

トレンチ側壁を酸化する際に、素子形成領域を異常酸化することがない素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁