「isolation region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING GROOVED ELEMENT ISOLATION REGION例文帳に追加

溝型素子分離領域の形成方法 - 特許庁

The isolation region comprises a deep isolation region 22, whose width is substantially fixed and a shallow isolation region 23 consisting of an STI.例文帳に追加

素子分離領域は、幅が略一定の深い素子分離領域２２と、ＳＴＩからなる浅い素子分離領域２３とからなる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子の隔離領域形成方法 - 特許庁

A region between the first isolation trench 43a and the second isolation trench 43b is an n-type isolation silicon region 44.例文帳に追加

第１分離トレンチ４３ａと第２分離トレンチ４３ｂの間の領域は、ｎ型の分離シリコン領域４４である。 - 特許庁

The first element isolation region 46 and the second element isolation region 47 are different in impurity concentration.例文帳に追加

第１素子分離領域４６と第２素子分離領域４７との不純物濃度が異なる。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子の隔離領域の形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE ELEMENT ISOLATION REGION FORMING METHOD例文帳に追加

半導体装置の素子分離領域形成方法 - 特許庁

To suppress current leak in the isolation region.例文帳に追加

素子分離領域での電流リークを低減する。 - 特許庁

Then, the element isolation film 3 enclosing the element formation region 1 is formed in the element isolation region 2.例文帳に追加

その後、素子分離領域２に、前記素子形成領域１を取り囲む素子分離膜３を形成する。 - 特許庁

The width Y_1 of the first element isolation region 19 and the width Y_2 of the second element isolation region 29 are made different from each other.例文帳に追加

第１素子分離領域１９の幅Ｙ_１と、第２素子分離領域の幅Ｙ_２とが異なる。 - 特許庁

To suppress current leak in an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域での電流リークを低減する。 - 特許庁

An nMOS (n-channel metal oxide semiconductor) transistor 103 is provided inside the trench isolation region, and a control circuit is provided within the RESURF isolation region but outside of the trench isolation region.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３はトレンチ分離領域内に、制御回路はＲＥＳＵＲＦ分離領域内であってトレンチ分離領域外にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A trench isolation region is demarcated by a trench isolation structure 8a and the p-impurity region 3 in an n^--semiconductor layer 2 inside the RESURF isolation region.例文帳に追加

トレンチ分離構造８ａ及びｐ不純物領域３によって、ＲＥＳＵＲＦ分離領域内のｎ^−半導体層２にトレンチ分離領域が区分されている。 - 特許庁

In the element isolation region 142, the height of the embedded oxide film 13 is lower than the one in the element isolation region 141.例文帳に追加

素子分離領域１４２は、素子分離領域１４１よりも埋め込まれる酸化膜１３の高さが低い。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRENCH ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のトレンチ素子分離領域製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FILLED ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE FILLED ISOLATION REGION例文帳に追加

半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス - 特許庁

Furthermore, since a boundary part isolation region is a composite isolation region, an insulation film can be embedded readily in an insulation region.例文帳に追加

また、境界部素子分離領域は、複合素子分離領域であるから、素子分離領域への絶縁膜の埋め込みが容易になる。 - 特許庁

The device isolation region 13 has a DTI (Deep Trench Isolation) structure and has its bottom exposed to a backside of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

素子分離領域１３は、ＤＴＩ(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板１の裏面から露出している。 - 特許庁

To provide a method of forming an isolation region for a semiconductor device, which is capable of preventing a recess from being produced at the upper edge of an isolation oxide film so as to improve the isolation region in element isolation characteristics.例文帳に追加

本発明は、隔離酸化膜上部エッジに発生するリセスを防止して素子隔離特性を改善させた半導体素子の隔離領域形成方法を提供する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF SHALLOW TRENCH ISOLATION REGION OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのシャロートレンチ分離領域の形成方法 - 特許庁

They are subjected to junction isolation to form an island region 26.例文帳に追加

これらを接合分離して島領域２６を形成する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置における素子分離領域の形成方法 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

A contact region into which impurities are implanted, includes an element isolation region.例文帳に追加

不純物が打ち込まれるコンタクト領域を素子分離領域まで含むようにする。 - 特許庁

Thus, the element isolation region for the memory cell region and the one for the peripheral circuit region can be formed.例文帳に追加

このことにより、メモリセル領域用と周辺回路領域用の素子分離領域が形成できる。 - 特許庁

A p-type well region has a memory isolation region 1108 and an active region 1110 on the surface.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域は、素子分離領域１１０８と活性領域１１１０とを表面に有している。 - 特許庁

To reduce the space of an isolation region at the boundary part of an SOI region and a bulk region.例文帳に追加

ＳＯＩ領域とバルク領域との境界部における素子分離領域のスペースを縮小する。 - 特許庁

The deep-trench isolation region is formed below a shallow-trench isolation region 28 and the shallow-trench isolation region electrically separates a device included in the memory storage region 12 from a device included in the logical operation circuit region 14.例文帳に追加

深いトレンチ分離領域は、浅いトレンチ分離領域２８の下に形成され、浅いトレンチ分離領域は、メモリ記憶領域１２に含まれるデバイスを、論理回路領域１４に含まれるデバイスから電気的に分離する。 - 特許庁

The isolation method also includes forming of an isolation gate over substantial portions of a field isolation region to isolate pixels in an array of pixels.例文帳に追加

分離方法では更に、電界分離領域の大部分の上に分離ゲートを形成して、ピクセルアレイのピクセルを互いに分離する。 - 特許庁

The element isolation insulating film includes a first element isolation region 13 adjacent to the surrounding area of the first element region 11 and a second element isolation region 16 adjacent to the surrounding area of the second element region 14 and having a bottom part lower that the bottom part of the first element isolation region 13.例文帳に追加

素子分離絶縁膜は、第１素子領域１１の周囲に隣接する第１素子分離領域１３と、第２素子領域１４の周囲に隣接し、第１素子分離領域１３の底部より低い底部を有する第２素子分離領域１６と、を含む。 - 特許庁

Since the width of the deep isolation region 22 is substantially fixed, the deep isolation region 22 can be formed easily.例文帳に追加

また、上記深い素子分離領域２２は幅が略一定であるので、深い素子分離領域２２の形成が簡単である。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR APPARATUS WITH DEVICE ISOLATION REGION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体装置とその製造方法 - 特許庁

An element isolation region 16 isolates the plurality of transistors 12.例文帳に追加

素子分離領域１６は、複数のトランジスタ１２を分離する。 - 特許庁

The upper part of a silicon substrate 10 is divided into an element isolation region 11 and an active region 12.例文帳に追加

シリコン基板１０上は、素子分離領域１１と活性領域１２に分けられる。 - 特許庁

An element isolation region 50 for isolating an element formation region 20 is provided on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０に、素子形成領域２０を分離する素子分離領域５０を設ける。 - 特許庁

An element isolation region 12 is formed in the surface region of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の表面領域に素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

An isolation region 10 for isolating an active region 12 is provided on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ上に、活性領域１２を分離する分離領域１０を設ける。 - 特許庁

A first region is arranged between the first layer and the device-isolation insulating region.例文帳に追加

第１の層と素子分離絶縁領域との間に第１の領域が配置される。 - 特許庁

The n-type circular isolation region is formed circularly underneath from the element isolation region, surrounds the periphery of a p-type collector region and the periphery of an upper part of the n-type lower part isolation region, and isolates the p-type collector region electrically from the substrate.例文帳に追加

ｎ型環状分離領域は、素子分離領域から下方に環状に形成され、ｐ型コレクタ領域の周囲及びｎ型下部分離領域の上部の周囲を取り巻き、ｐ型コレクタ領域を基板から電気的に分離している。 - 特許庁

In a region 411, a body region is formed in a drain region 121 defined by an element isolation region, and an N-type source region is formed in the body region.例文帳に追加

領域４１１においては、素子分離領域により規定されるドレイン領域１２１にボディ領域が形成され、ボディ領域にＮ型のソース領域が形成される。 - 特許庁

The element isolation region 109 is formed between the n-type cathode region 107 and active region 140.例文帳に追加

ｎ型カソード領域１０７と活性領域１４０との間には素子分離領域１０９が形成されている。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device comprising a first element region, a second element region, and a first isolation region in a thin-film region TA1 and a third element region, a fourth element region, and a second isolation region in a thick-film region TA2.例文帳に追加

薄膜領域ＴＡ１中に第１の素子領域、第２の素子領域および第１の分離領域を有し、厚膜領域ＴＡ２中に第３の素子領域、第４の素子領域および第２の分離領域を有する半導体装置を次のように製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an element isolation region by trench isolation, and which can eliminate a step difference between a surface of an element region of a semiconductor substrate and a surface of the element isolation region prior to formation of a gate electrode.例文帳に追加

トレンチ分離による素子分離領域を有する半導体装置において、ゲート電極形成前の半導体基板の素子領域の表面と、素子分離領域の表面との段差を無くす。 - 特許庁

A first trench for an element isolation region of a memory cell region and a second trench for an element isolation region of a peripheral circuit region of the memory cell are simultaneously formed in the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

メモリセル領域の素子分離領域用の第１の溝と、メモリセルの周辺回路領域の素子分離領域用の第２の溝を半導体基板上に同時に形成する。 - 特許庁

A heat isolation region 11 is formed on the surface of a substrate 1, and a membrane 10 is formed so as to cover the heat isolation region 11.例文帳に追加

基板１の上面に熱分離領域１１が形成され、この熱分離領域１１を覆うようにメンブレン１０が形成される。 - 特許庁