「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To suitably form an external connection terminal on a substrate by reducing the warp of the substrate formed with a sealing resin layer.例文帳に追加

封止樹脂層が形成された基板の反りを低減して、基板に外部接続端子を好適に形成する。 - 特許庁

To provide a wiring board increasing the wiring density of a lower wiring layer under a connection pad.例文帳に追加

接続パッドの下の下側配線層の配線密度を向上させることができる配線基板を提供する。 - 特許庁

Through-holes H11, H12 are formed at parts of a cover insulating layer 42 on the connection parts G1, G2, respectively.例文帳に追加

接続部Ｇ１，Ｇ２上のカバー絶縁層４２の部分に、貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２がそれぞれ形成される。 - 特許庁

The logic circuit part is not provided with any wiring layer at the portion in the same level as that of the drain/drain connection layers 31a and 31b.例文帳に追加

ロジック回路部は、ドレイン−ドレイン接続層３１ａ、３１ｂと同じレベルの位置に、配線層を有さない。 - 特許庁

The exothermic resistors 12, 13, the connection conductor 16, and the thermal diffusion bodies 17, 18 are protected by a glass protective layer 19.例文帳に追加

発熱抵抗体１２，１３、接続導体１６、熱拡散体１７，１８は、ガラス保護層１９で保護する。 - 特許庁

The grounding member 20 is connected to a grounding conductor (shield layer 13) by using a conductive connection agent 30.例文帳に追加

本発明アース部材20は、接地用導体（シールド層13）に導電性接続剤30を用いて接続される部材である。 - 特許庁

The connection layer 13a further comprises a space 19a in which the insulation portion 18 and the conductive portion 20 are not formed.例文帳に追加

また、接続層１３ａは絶縁部１８及び導電部２０が非形成となる空間部１９ａを備える。 - 特許庁

A connection surface to the grounding conductor (shield layer 13) in the grounding member 20 has surface roughness Ra not smaller than 0.09 μm.例文帳に追加

このアース部材20における接地用導体（シールド層13）との接続面はRaで0.09μm以上の面粗度を有する。 - 特許庁

A plurality of columnar conductors 43 are arranged for electrically connecting the connection pad 32 and the wiring layer 41.例文帳に追加

接続パッド３２と配線層４１とを電気的に接続する複数の柱状の導電体４３を配置する。 - 特許庁

A conductive terminal is connected to the substrate layer 111b of the connection area 111a by laser welding.例文帳に追加

導電端子は、この接合領域１１１ａの基板層１１１ｂに対してレーザ溶接により接合される。 - 特許庁

The conductive layer 5 is capacitively coupled to an antenna connection cable reaching a receiver through the coupling electrode 9.例文帳に追加

導電層（５）は、受信装置に至るアンテナ接続ケーブルに、結合電極（９）を介して容量結合される。 - 特許庁

METHOD AND MATERIAL FOR CONNECTING ELECTRODE WITH INTER-CONNECTION LAYER IN SOLID OXIDE FUEL CELL STACK例文帳に追加

固体酸化物燃料電池スタック内において相互接続層に電極を結合するための方法及び材料 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board and a producing method therefor, with which a layer connection can be surely performed and reliability is high.例文帳に追加

確実に層間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is understood that both the pixel electrode 11 and the connection electrode 13 are formed on the flattening layer 18.例文帳に追加

画素電極１１と接続電極１３とは、いずれも平坦化層１８上に形成されていることが解る。 - 特許庁

The tape-like conductive member provides an electrical connection between the conductive layer and a grounding wire of the flexible board.例文帳に追加

テープ状の導電部材は、導電層とフレキシブル基板のグランド配線とを相互に電気的に接続する。 - 特許庁

To improve the bonding property of a group III nitride semiconductor layer with a connection electrode, and the reliability of the electrode.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層と接続電極との接合性および電極の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The wiring layer or the metal pad for connection is formed by electrolytic plating while the conductive supporting body is used as an electrode.例文帳に追加

配線層や接続用金属パッドは、導電性支持体を電極として、電解メッキにより形成される。 - 特許庁

The metal bump is formed directly on a connection pad of a semiconductor wafer, without an under bump metallurgy layer being formed.例文帳に追加

本発明のメタルバンプは、半導体ウエハの接続パッドに直接形成され、アンダーバンプメタル層を形成しない。 - 特許庁

ATM NETWORK ELEMENT AND METHOD TO APPLY AUTOMATIC PROTECTION SWITCHING TO TRANSMISSION CONCENTRATED SUB LAYER SUB NETWORK CONNECTION例文帳に追加

送信集中サブレイヤサブネットワーク接続を自動保護切り換えするためのＡＴＭネットワーク要素及び方法 - 特許庁

A hole 21 is formed that penetrates an interlayer insulating layer 20 and reaches the polycide pattern 18 and the connection region.例文帳に追加

層間の絶縁膜２０を貫通しポリサイドパターン１８及び接続領域に到達するホール２１を形成する。 - 特許庁

A pattern 2 of photoresist, having connection holes 2a, is formed on a wiring layer 1 on a wafer W.例文帳に追加

ウェハＷ上に形成された配線層１にフォトレジストで接続孔２ａを有するパターン２を形成する。 - 特許庁

SASL is the Simple Authentication and Security Layer, a method for adding authentication support to connection-based protocols. 例文帳に追加

SASLとは簡易認証およびセキュリティ層であり、コネクションベースのプロトコルに認証サポートを追加する方法である。 - コンピューター用語辞典

The upper limit value of a line-entrance number N is determined from the switch at the bottom layer by utilizing the connection relationship of the switch.例文帳に追加

また、最下層のスイッチからスイッチの接続関係を利用して、入り回線数Ｎの上限値を定める。 - 特許庁

The electromagnetic wave shield effect can be obtained without making the direct electric connection of the conductive shield layer 33.例文帳に追加

これにより、導電性シールド層３３を直接電気的接続しなくとも電磁波シールド効果が得られる。 - 特許庁

The conductive shield layer 43 and the connection pattern 45 are covered with glass coat 47 and an electrically insulated material layer 49, and the conductive shield layer 43 and a metal case are electrically insulated.例文帳に追加

導電性シールド層４３及び接続パターン４５をガラスコート４７及び電気絶縁材料層４９によりそれぞれ覆い、導電性シールド層４３と金属製のケースとの間を電気的に絶縁する。 - 特許庁

The structure can be obtained by providing the metallic foil electrode on the periphery of the corrosion-proof layer of the case of the connection box, and further applying a corrosion-proof layer on the corrosion-proof layer including the metal foil electrode.例文帳に追加

接続箱ケース（銅管）防食層の外周上に金属箔電極を設け、その金属箔電極を含めた防食層上にさらに防食層を施すことで前記の構造が得られる。 - 特許庁

In the inner surface rubber layer 2, a reinforcing layer 12 is embedded to connect back and forth astride an end surface 13 of a nipple part 4 of the connection metal fitting, while reinforcing cords in the reinforcing layer 12 are arranged in parallel in the hose axial direction.例文帳に追加

内面ゴム層２に接続金具３のニップル部４の端面１３を前後に跨ぐように補強層１２を埋設し、かつ補強層１２の補強コードをホース軸方向に平行に配列する。 - 特許庁

Conductive elements (a wiring layer M1(FD) and a conductive layer BC1) perform electric connection between a drain region SD of a transfer transistor Tx and a gate electrode layer GE of an amplifier transistor Ami.例文帳に追加

導電性要素（配線層Ｍ１（ＦＤ）および導電層ＢＣ１）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤと増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥとを電気的に接続している。 - 特許庁

An inter-layer insulation film is formed on the semiconductor substrate 1, and a connection hole reaching the source/drain diffusion layer 15 is formed in the inter-layer insulation film by etching wherein the first sidewall 11a is used as a stopper.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 - 特許庁

Then re-formation processing for a barrier metal layer is performed, and a Cu seed layer and a Cu plating layer are formed to form a second Cu wiring portion to be buried in the connection hole 8 and groove 9 for wiring finally.例文帳に追加

その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 - 特許庁

A connection part of a base electrode 8 to the base region (P impurity layer 4) is positioned between an end on a collector electrode 10 side of the base region (P impurity layer 4) and the emitter region (N+ impurity layer 5).例文帳に追加

ベース電極８とベース領域（Ｐ不純物層４）の接続部が、ベース領域（Ｐ不純物層４）のコレクタ電極１０側の端部とエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）との間に位置する。 - 特許庁

A thermal buffer layer 25 is provided on an external semiconductive layer 4 in the region of a return path conductor 5 performing connection by welding, and the return path conductor 5 is connected by welding on the thermal buffer layer 25.例文帳に追加

帰路導体５の溶接接続を行う領域の外部半導電層４上に熱的緩衝層２５を設け、この熱的緩衝層２５上で帰路導体５の溶接接続を行う。 - 特許庁

The connection wiring 6 includes a first polysilicon layer 13a above a substrate 10, and a first silicide layer 14a which connects the resistance element 3 and the capacitor element 4 and is on the first polysilicon layer 13a.例文帳に追加

接続配線６は、基板１０上方の第１ポリシリコン層１３ａと、抵抗素子３と容量素子４とを接続し第１ポリシリコン層１３ａ上の第１シリサイド層１４ａとを備える。 - 特許庁

An Au layer 19a and an Sn layer 19b are provided on the surface of the electrode pad and the connection part of the wire 6 for wire bonding, and the electrode pad 13a is connected through an Au-Sn alloy layer.例文帳に追加

その電極パッド表面にＡｕ層１９ａとＳｎ層１９ｂとが設けられ、ワイヤボンディング用のワイヤ６と電極パッド１３ａとの接続部がＡｕ-Ｓｎ合金層を介して接続されている。 - 特許庁

A crystal oscillator body 1 is fixed to the wire layer 21 acting like a connection electrode via conductive paste 24 and a cover member 3 is joined with a wiring layer 26 via a blazing filler layer 34.例文帳に追加

水晶振動体１は接続電極である配線層２１に導電ペースト２４を介して固定されており、蓋部材３はロー材層３４を介して配線層２６に接合されている。 - 特許庁

A reinforcing insulation layer 2 is so formed as to cover the connection member 4, the exposed superconductive conductors 201 and the electric insulation layers 202; and a connecting shield layer 1 is formed in the periphery of the reinforcing insulation layer 2.例文帳に追加

接続部材4と露出された超電導導体201及び電気絶縁層202とを覆うように補強絶縁層2を形成し、この補強絶縁層2の外周に接続用シールド層1を具える。 - 特許庁

After forming the cap layer 9b, the connection hole 10a and the interconnection trench 10b are embedded with a barrier metal layer 17 and a metal layer 18, to form a contact 19 and a second metal interconnection 20.例文帳に追加

キャップ層９ｂの形成後に、接続孔１０ａおよび配線溝１０ｂ内にバリアメタル層１７および金属層１８を埋め込んで、コンタクト１９および第２金属配線２０を形成する。 - 特許庁

To provide a resin-fitted copper foil which has a very high reliability in inter-layer adhesion and inter-layer connection and allows producing a high-density, high-lamination multitude multi-layer wiring board in serial lamination.例文帳に追加

極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で高多層な多層配線基板を、逐次積層的に作製することができる、樹脂付き銅箔を提供する。 - 特許庁

When an inter-layer insulating film 132 is formed on the pixel electrode 131, an inter-layer insulating film 152 which covers the inter-substrate connection line 151 is formed by using an insulating film for the inter-layer insulating film 132.例文帳に追加

画素電極１３１上に層間絶縁膜１３２を形成する際に、層間絶縁膜１３２用の絶縁膜を利用して基板間接続線１５１を覆う層間絶縁膜１５２を形成する。 - 特許庁

Further, anisotropic etching is performed by using the hard mask 52A, a wiring trench 62 of the wiring layer 66A is formed, the connection hole 60 is made to reach a wiring layer 46, and the wiring layer 46 is exposed.例文帳に追加

更に、ハードマスク５２Ａを用いて異方性エッチングを行い、配線層６６Ａの配線溝６２を形成し、かつ接続孔６０を配線層４６に到達させ、配線層４６を露出させる。 - 特許庁

The board connection part 12 includes a nickel underlying plating layer 19 formed on the surface of a base metal 16, and a tin plating layer 21 formed on the surface side of the nickel underlying plating layer 19.例文帳に追加

基板接続部１２は、母材１６の表面に形成されたニッケル下地メッキ層１９と、ニッケル下地メッキ層１９の表面側に形成された錫メッキ層２１とを備えて構成される。 - 特許庁

The third polysilicon layer has only a contact pad function for electrical connection of the upper and lower conductive layers, having no area where it overlaps a fourth polysilicon layer that is a conductive layer above it.例文帳に追加

この第三のポリシリコン層は、上下の導電層の電気的な接続のためのコンタクトパッドの機能のみを有し、その上部の導電層である第四のポリシリコン層と重なり合う領域を有しない。 - 特許庁

The P-type layer 48 is connected electrically to the conductive via 56 of the mutual connection constructions 42 and 43 through a transparent conductor 50, which is placed covering the P-type layer 48 and the I layer 46.例文帳に追加

Ｐ型層４８は、Ｐ型層４８及びＩ層４６を覆うように配置される透明導電体５０によって相互接続構造４２、４３の導電性ビア５６に電気的に接続される。 - 特許庁

Since the method includes the step of irradiating the second conductive layer with the laser beam, even when the second conductive layer composed of the conductive particles and the resin is formed on the first conductive layer, it is possible to expand the part where the first conductive layer and the second conductive layer come into contact with each other, and to repair an faulty electrical connection between the first conductive layer and the second conductive layer.例文帳に追加

レーザービームを照射する工程を含むことにより、第１の導電層上に、導電性粒子と樹脂からなる第２の導電層を形成した場合でも、第１の導電層と第２の導電層が接する部分を増加させ、第１の導電層と第２の導電層の間の電気的な接続不良を改善することができる。 - 特許庁

In the target of an X-ray tube where a graphite base material and a Mo base material or a Mo alloy base material are jointed with each other via a connection layer, when a composition ratio of the connection layer by an EPMA is detected, the connection layer has a diffusion phase of MoTaTi, a TaTi alloy phase, a Ta-rich phase, and a ZrTa alloy phase.例文帳に追加

グラファイト基材と、Ｍｏ基材もしくはＭｏ合金基材とを接合層を介して接合したＸ線管用ターゲットにおいて、前記接合層についてＥＰＭＡにより組成比を検出したとき、前記接合層はＭｏＴａＴｉの拡散相、ＴａＴｉ合金相、Ｔａリッチ相、ＺｒＴａ合金相を具備することを特徴とする。 - 特許庁