「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Protection film 12 on connection wiring 10 is removed, connection wiring 10 formed of the same material as that of a data line DL is exposed there and a transparent conductor layer 110 consisting of ITO is formed on the connection wiring 10.例文帳に追加

接続配線１０上の保護膜１２を除去し、そこにデータラインＤＬと同じ材料で形成された接続配線１０を露出し、その上にＩＴＯからなる透明導電体層１１０を形成する。 - 特許庁

The electronic member includes an electrode for input/output of an electric signal or a connection terminal for connection of an electric signal and has an oxide silver layer 205 formed on the outermost surface of the electrode or the connection terminal.例文帳に追加

電気信号を入出力する電極または電気信号を接続するための接続端子を備えた電子部材であって、電極または接続端子の最表面が酸化銀層２０５であることを特徴とする。 - 特許庁

This increases the passage regions for wires connected to the connection terminals, in the inner rows and hence the number of processible connection terminals on a single layer, resulting in many connection terminals being connected with few number of layers.例文帳に追加

これにより、内側の列の接続端子に繋がる配線の通過領域が増大するので、１つの層において処理可能な接続端子の数を増やすことができ、少ないレイヤ数で多くの接続端子を接続できる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 which has a connection electrode 2 and is provided with a first metal film 4 and a second metal film 5, and an electrical connection projection 10 on the connection electrode 2 is provided with a metal protection layer 6 adjacently to an outer circumferential part of the electric connection projection 10.例文帳に追加

接続用電極２を有し、接続用電極２の上に第１金属膜４と第２金属膜５と電気接続突起１０を設けた半導体基板１において、電気接続突起１０の外周部に隣接するように、金属保護層６を設ける。 - 特許庁

The external connection electrodes 11 formed on one main surface side of the external connection substrate 10 are connected to bump electrodes through aperture parts formed on a resin layer coating the surface of the external connection electrodes 11, and the external connection electrodes formed on the other main surface are connected to conductive paths of the mounting substrate.例文帳に追加

外部接続基板１０の一主面側の外部接続電極１１は、その上を被覆する樹脂層に設けられた開口部を介してバンプ電極と接続し、他の主面の外部接続電極は、実装基板の導電路と接続する。 - 特許庁

A film thickness of a drawing wire 16 formed along the surface of the insulation layer so as to electrically connect the thermal infrared radiation detection section 13 to the first metallic layer 19 for electric connection and film thicknesses of the first metallic layer 18 for sealing and the first metallic layer 19 for electric connection are independently set.例文帳に追加

熱型赤外線検出部１３と第１の電気接続用金属層１９とを電気的に接続するように絶縁層の表面に沿って形成された引き出し配線１６の膜厚と第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９の膜厚とが独立して設定されている。 - 特許庁

In the connection structure area, an injection hole 30 is provided, having a metal support layer through hole 31 penetrating the metal support layer 11 and an insulating layer through hole 32 penetrating the insulating layer 10, exposing a lateral surface of the actuator 44 of the wiring connection part 16, and allowing the conductive adhesive to inject thereinto.例文帳に追加

接続構造領域において、金属支持層１１を貫通する金属支持層貫通孔３１と、絶縁層１０を貫通する絶縁層貫通孔３２と、を有し、配線接続部１６のアクチュエータ４４の側の面を露出させ、導電性接着剤が注入される注入孔３０が設けられている。 - 特許庁

At least at one of the other conductor layer and a conductor layer except the conductor layer right above the one conductor layer among the intermediate conductor layers, a reference plane supplied with a fixed potential is formed opposite the external connection pad in a region above the external connection pad.例文帳に追加

そして、他方の導電体層、および、中間導電体層のうちの一方の導電体層の直上の導電体層を除く導電体層の少なくとも１つに、固定電位が供給される基準プレーンが、外部接続パッドの上空域内で外部接続パッドに対向するように形成されている。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

In the sensor substrate 1 and the packaging substrate 2, a first sealing metal layer 18 and a second sealing metal layer 28 formed in their opposite surfaces are jointed to each other, and a first metal layer 19 for electric connection and a second metal layer 29 for electric connection formed in their opposite surfaces are jointed to each other.例文帳に追加

センサ基板１とパッケージ用基板２とは、互いの対向面に形成された第１の封止用金属層１８と第２の封止用金属層２８とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第１の電気接続用金属層１９と第２の電気接続用金属層２９とが接合されている。 - 特許庁

In the solder joining structure of a wafer level package, there is provided an air pad solder joining structure comprising an air layer formed in a predetermined substrate layer, a connection pad formed in the upper portion of the air layer, and a part of the air layer including in a side face thereof a region passing over an exposed connection pad.例文帳に追加

本発明はウェーハレベルパッケージのハンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造である。 - 特許庁

The film thickness of the pull-out wiring 43 formed along the surface of a protective insulating layer 40 and that of the first metal layer 18 for sealing and the first metal layer 19 for electrical connection are set independently, so that the pad 42 of the IC E2 is electrically connected to the first metal layer 19 for electrical connection.例文帳に追加

ＩＣ部Ｅ２のパッド４２と第１の電気接続用金属層１９とを電気的に接続するように保護絶縁層４０の表面に沿って形成された引き出し配線４３の膜厚と第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９の膜厚とが独立して設定されている。 - 特許庁

To attain an efficient operation of a network by selectively connecting a user side device connected by a permanent virtual connection path to any of a plurality of specific connection destinations and multiplying a plurality of layer 2 links with one path in a layer 2 link handing device and its path connection method.例文帳に追加

レイヤ２リンクのハンドリング装置及びそのパス接続方法に関し、固定型接続パスで接続されたユーザ側装置が複数の特定接続先の中の一つに選択的に接続され、また一つのパスに複数のレイヤ２リンクが多重化され、効率的な網の運用を可能にする。 - 特許庁

A fine particle layer 1 configured by depositing ultrafine particles of a conductive material is formed on the surface of the connection terminal 2 formed on a substrate 3, and the connection terminal 2 is conductively connected to a connection terminal 4 formed on the other substrate 5 through the fine particle layer.例文帳に追加

基板３に形成された接続端子２の表面上に、導電性物質の超微粒子を堆積してなる微粒子層１を形成し、この接続端子２ともう一方の基板５に形成された接続端子４とを微粒子層を介して導電接続する。 - 特許庁

The distance between an external connection pad 5 and signal wiring 1S increases and even if the inter-layer insulating layer 2e in contact with the external connection pad 5 starts to crack at an edge of the external connection pad 5, it takes a long period for the crack to reach the signal wiring 1S.例文帳に追加

外部接続パッド５と信号配線１Ｓとの間の距離が遠くなり、例え外部接続パッド５の縁を起点として外部接続パッド５に接する層間絶縁層２ｅにクラックが発生したとしても、そのクラックが信号配線１Ｓに到達するまでに長期間を要する。 - 特許庁

The second insulating layer 40 is provided with a plurality of conductive connection parts 73a, 73b penetrating the second insulating layer 40, and the respective division wiring parts 51b, 51c of the first wiring 51 are connected to the connection wiring part 31 through corresponding conductive connection parts 73a, 73b.例文帳に追加

第２絶縁層４０に、第２絶縁層４０を貫通する複数の導電接続部７３ａ、７３ｂが設けられ、第１配線５１の各分割配線部５１ｂ、５１ｃは、対応する導電接続部７３ａ、７３ｂを介して、接続配線部３１に接続されている。 - 特許庁

The second major surface side connection terminal 18 has such a structure as an electroless gold plating layer 30 is formed directly on a copper layer 24 and has a larger area than the first major surface side connection terminal 17 and is solder jointed to the connection terminal of another substrate 61 supporting the second major surface 14 of the substrate 12.例文帳に追加

第２主面側接続端子１８は、銅層２４上に無電解金めっき層３０を直接形成した構造を有し、第１主面側接続端子１７よりも大面積であり、基板１２の第２主面１４側を支持する別の基板６１の接続端子とはんだ接続される。 - 特許庁

The second major surface side connection terminal 18 has such a structure as a gold plating layer 30 is formed directly on a copper layer 24 and has a larger area than the first major surface side connection terminal 17 and is solder jointed to the connection terminal of another substrate 61 supporting the second major surface 14 side of the substrate 12.例文帳に追加

第２主面側接続端子１８は、銅層２４上に金めっき層３０を直接形成した構造を有し、第１主面側接続端子１７よりも大面積であり、基板１２の第２主面１４側を支持する別の基板６１の接続端子とはんだ接続される。 - 特許庁

To provide an electronic component holding package which can reduce a risk that short-circuits between a connection pad and a metal layer due to creeping-up of a connection member, even if advanced miniaturization and thinning of an electronic device make smaller a space between the metal layer and connection pad formed on an upper surface insulating substrate.例文帳に追加

電子装置の小型化、薄型化が進んで絶縁基体の上面に形成される金属層と接続パッドとの間隔が小さくなっても、接続部材が這い上がることにより接続パッドと金属層が短絡する危険性を低減できる電子部品収納用パッケージを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for inexpensively manufacturing a conductor for interlayer connection which improves the connecting reliability of interlayer connection in a multi-layer printed circuit board.例文帳に追加

多層プリント基板において、層間接続の接続信頼性を向上することが可能な層間接続用導電体を安価に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, a region T interposed between a curved surface 28a of the connection part 28 and the through-hole conductor 27 is formed into a varistor layer 9 in the vicinity of the connection part 28.例文帳に追加

これにより、接続部２８の湾曲面２８ａとスルーホール導体２７との間に挟まれる領域Ｔを接続部２８付近のバリスタ層９に形成する。 - 特許庁

Then, the mutual connection of the upper and lower semiconductor devices 10 is carried out through the through-holes, and the connection of the semiconductor device 10 in the lowest layer with a mounting substrate 50 is processed.例文帳に追加

この貫通孔を介して上下の半導体装置１０の相互接続が行われ、最下層の半導体装置１０の実装基板５０に対する接続が行われる。 - 特許庁

The height of the insulated layers 24 is higher than addition of the heights of the connection terminal 22 and the conductive connection layer 23 with the one surface of the substrate 11 serving as a reference surface.例文帳に追加

絶縁層２４の高さは、基板１１の一方の面を基準面として、接続端子２２および導電接続層２３をあわせたものの高さよりも大きい。 - 特許庁

To suppress connection between an air gap and a via even if there occurs a positinal shift between the via and an interconnect when a connection hole as the via is formed in a second insulating layer.例文帳に追加

第２絶縁層にビアとなる接続孔を形成するときにビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。 - 特許庁

A connection land 12 is provided on the surface of the printed wiring board 11, and this connection land 12 and an external electrode 7 are connected with each other through a solder layer 13.例文帳に追加

プリント配線基板１１の表面には接続ランド１２が設けられており、この接続ランド１２と外部電極７とが半田層１３を介して接続される。 - 特許庁

A coating layer 50 for at least filling a concave part which is formed in a concavo-convex shape by the connection area 121a and the non-connection area 121b is formed.例文帳に追加

接続領域１２１ａと非接続領域１２１ｂとによって形成された凹凸にて少なくとも凹部を充填するように被覆層５０が形成されている。 - 特許庁

A moisture shielding layer 18 is formed in at least an area having electrode terminals 12a arrayed, of a non-connection surface of the connection part of a flexible circuit board 10.例文帳に追加

フレキシブル回路基板１０の接続部の反接続面における、少なくとも電極端子１２ａが配列されている領域に水分遮断層１８を形成する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of partial discharge, at terminal connection time or middle connection of an electric cable, having a semiconductor layer.例文帳に追加

半導電層を持つ電気ケーブルの終端接続あるいは中間接続等に際して、部分放電を発生させない半導電層端末処理方法を提供する。 - 特許庁

An air layer is formed between a shield case body, constituted according to the connection of a shield case 3 to a shield cover 4 and an outer case body constituted according to the connection of the case 1 to a cover 2.例文帳に追加

シールドケース３とシールドカバー４との結合で構成されるシールド筐体とケース１とカバー２との結合で構成される外部筐体との間に空気層を設ける。 - 特許庁

A conventional conductive connection material is un-necessitated since a conductive layer 22 of an image sensor 2c and a connection electrode 18 are made into direct contact with each other and electrically connected.例文帳に追加

イメージセンサ２ｃの導電層２２と接続電極１８とは直接接触して電気的接続されているので、従来のような導電接続材が不要となる。 - 特許庁

A recess shaped first connection part 29 (connection part) comprising a solid layer 40 formed without enlarging a cavity volume at the time of a molding is provided with a plate body 15 (mold body).例文帳に追加

プレート本体１５（成形体本体）に、成形時にキャビティ容積を拡大せずに形成されたソリッド層４０からなる凹状の第１締結部２９（締結部）を設ける。 - 特許庁

Further, lands 17 and 18 for connection and a pattern 16 for connection are provided to connect the through holes 12 and 15 by the internal layer L2 of the printed board 10.例文帳に追加

さらに、プリント基板１０の内層Ｌ２においてスルーホール１２とスルーホール１５とを接続するように接続用ランド１７、１８および接続用パターン１６を設ける。 - 特許庁

The fuel feeding device FS includes a filler neck 20 having a pipe connection part 23; and a fuel pipe 50 having a conductive layer connected to the pipe connection part 23.例文帳に追加

燃料供給装置ＦＳは、パイプ接続部２３を有するフィラーネック２０と、パイプ接続部２３に接続される導電層を有する燃料パイプ５０とを有する。 - 特許庁

The bias lines 11 are connected in common to a connection line 17 outside an area of the protective layer 27, and the connection line 17 is so disposed as to cross the signal lines 12.例文帳に追加

複数のバイアス線１１は保護層２７の領域外で接続配線１７によって共通化し、接続配線１７は複数の信号線１２と交差して配置する。 - 特許庁

The light receiving part 10A and the peripheral circuit part 10B are covered with an insulating film 22A having a conductive connection layer 25 disposed in a connection hole 23.例文帳に追加

受光部１０Ａおよび周辺回路部１０Ｂは絶縁膜２２Ａにより覆われ、絶縁膜２２Ａには接続孔２３内に導電性接続層２５が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device realizing superior electrical connection even for the so-called 'borderless connection hole' in a multilayer wiring layer, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

多層配線層における、いわゆるボーダレス接続穴でも良好な電気的接続を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since electromagnetic coupling is reduced between the connection land 4 and the wiring conductor layer 8, mismatch of characteristic impedance is prevented from occurring at the connection land 4 part.例文帳に追加

接続ランド４と配線導体層８との電磁結合が小さいものとなり、接続ランド４部において特性インピーダンスの不整合が発生することを防止することができる。 - 特許庁

Here, the upper parts of the external connection electrodes 18 are provided so as not to protrude above the guide layer 19 covering a peripheral side of the external connection electrodes 18.例文帳に追加

ここで、外部接続用電極１８の上部は、外部接続用電極１８の周側面を覆うガイド層１９の上方にはみ出さないように設けられている。 - 特許庁

To prevent the disconnection of the top layer wiring of a semiconductor chip under an electrode for external connection by the film stress of the metal film of the electrode for the external connection.例文帳に追加

外部接続用電極の金属膜の膜応力により、外部接続用電極下の半導体チップの最上層配線が断線してしまうことを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can restrain lowering of connection reliability inside a connection hole, even if an FSG film is used as a layer insulation film, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

層間絶縁膜としてＦＳＧ膜を用いても接続孔内での接続信頼性の低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration of other ATM cell transfer quality by using an existing asynchronous transfer mode ATM switch and realize switching of an AAL(ATM adaptation layer) 2 connection level.例文帳に追加

既存のATMスイッチを用いてAAL2コネクションレベルのスイッチングを実現し、他のATMセル転送品質の劣化を防ぐ。 - 特許庁

The trace 122 is provided with a group of holes 234 to 239 in a metal layer stacked on the connection pads 232a to 232f.例文帳に追加

トレース１２２は、接続パッド２３２ａ−２３２ｆと重なる金属層に、孔群２３４−２３９を備える。 - 特許庁

A reinforced layer 7 is provided on the whole outer peripheral surface from the pipe 5 to the connection part 3 including the pipe joint 11.例文帳に追加

配管５から管継手１１を含む接続部３までの外周全面には補強層７が設けられる。 - 特許庁

To provide a resin molding having an expansion layer which enables an improvement in the strength of a connection part in spite of light weight.例文帳に追加

膨張層を有する樹脂成形体において、軽量でありながら、締結部の強度を向上させる。 - 特許庁

To reduce a change with the passage of time in the alloy texture of an Sn-Bi alloy used as a conductive layer for connection.例文帳に追加

接続用導電層として用いるＳｎ−Ｂｉ合金の合金組織の経時変化を小さくする。 - 特許庁