「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Similarly, one the other surface side of the crystal wafer 101, a wiring line 132 passing a connection portion 114, a metallic layer 133 arranged at the frame portion 110, and an external connection layer 134 which is connected to the metallic layer 133 and arranged at a corner portion 110c and a corner portion 110d, are formed.例文帳に追加

同様に、水晶ウエハ１０１の他方の面側に、連結部１１４を通る配線１３２，枠部１１０に配設された金属層１３３，金属層１３３に接続して角部１１０ｃ及び角部１１０ｄに配設された外部接続層１３４が形成された状態とする。 - 特許庁

A first electrode layer 123 connected to the stiffener main body 121 and a second electrode layer 124 are connected to a first connection pad 103 and a second connection pad 104 through the intermediary of conductive resin bodies 143 and 144 and also connected to a wiring layer 102.例文帳に追加

スティフナ本体１２１と接続する第１電極層１２３及び第２電極層１２４は、導電樹脂体１４３，１４４を介して配線基板本体１１０の第１接続パッド１０３及び第２接続パッド１０４と接続し、さらに配線層１０２と接続する。 - 特許庁

In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side).例文帳に追加

この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

Moreover, the node supervises a data amount which is input or output and a fault of communication, and changes the connection relation between the high rank layer nodes, or the connection relation between the communication node outside of the cluster node and the high rank layer node by changing switching setting of lower rank layer nodes based on the supervised data amount.例文帳に追加

また、流入出されるデータ量または通信の異常を監視し、監視したデータ量に基づき、下位レイヤノードの切替設定の変更により、上位レイヤノード間の接続関係、または、クラスタノード外の通信ノードと上位レイヤノードとの間の接続関係を変更する。 - 特許庁

The first major surface side connection terminal 17 has such a structure as a gold plating layer 26 is formed on a copper layer 23 through an electrolytic plating layer 29 and is solder jointed to the connection terminal 76 of an electronic component 16 mounted on the first major surface 13 side of the substrate 12.例文帳に追加

第１主面側接続端子１７は、銅層２３上に電解ニッケルめっき層２９を介して金めっき層２６を形成した構造を有し、基板１２の第１主面１３側に搭載される電子部品１６の接続端子７６とはんだ接続される。 - 特許庁

An anode electrode 11 in an SBD 1 is formed on the barrier metal 12 in a way that it contacts the p poly-silicon layer 27 of the reverse connection diode 29, and an anode electrode 11a of the pn diode 2 is formed on the p^+-layer 24 in a way that it contacts the n poly-silicon layer 28 of the reverse connection diode 29.例文帳に追加

バリアメタル１２上に逆接ダイオード２９のｐポリシリコン層２７と接するようにＳＢＤ部１のアノード電極１１を形成し、ｐ^+ 層２４上に逆接ダイオード２９のｎポリシリコン層２８と接するようにｐｎダイオード部２のアノード電極１１ａを形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having wiring for layer connection on the surface and rear of a substrate in which reliability of layer connection can be enhanced by designing the profile of wiring on the surface layer arbitrarily and a semiconductor element can be protected against damage.例文帳に追加

基板の表裏に積層接続用の配線を有し多段に積層できる半導体装置において、表層の配線形状を任意に設計することができて積層時の接続の信頼性を向上させ、また、半導体素子の損傷を起こし難くすることを課題とする。 - 特許庁

This indicates the fact that even though the thickness tAF of its antiferromagnetic layer 16 is small, its switched connection is existent between its ferromagnetic layer 14 and its antiferromagnetic layer 16, and the intensity Jc thereof is larger than the intensity Jc (white circular points) of its switched connection which is determined from its switched bias magnetic field He.例文帳に追加

これは、反強磁性層１６の厚みｔAFが薄くても強磁性層１４と反強磁性層１６の間に交換結合が存在しており、その強さＪｃは、交換バイアス磁界Ｈｅから決定した交換結合の強さＪｃ（白丸）よりも大きい。 - 特許庁

To setup transport layer connection between a wired terminal and a wireless terminal in a form suitable for an application without changing transport layer implementation for a terminal connected to a wired network, and to provide a highly reliable gateway device which improves the performance of communication which uses the transport layer connection.例文帳に追加

有線網に接続された端末のトランスポート層の実装を変更することなく、有線端末と無線端末間のトランスポート層コネクションをアプリケーションに適した形で設定し、またトランスポート層コネクションを利用する通信の性能を向上させる信頼性の高いゲートウェイ装置を提供する。 - 特許庁

A connection part IJ1 is arranged for connecting an end part of the signal wiring layer GLL led out of a display area to a common wiring layer (short-circuit line layer) inside of a cut-off line CTL of a substrate, and this connection part IJ1 is placed under a configuration member such as a driver GDR.例文帳に追加

表示領域から引き出される信号配線層ＧＬＬの端部を基板の切断線ＣＴＬの内側で共通配線層（短絡線層）に接続する接続部分ＩＪ１を設け、この接続部分ＩＪ１をドライバＧＤＲ等の構成部材の下に配置する。 - 特許庁

An interconnection (e.g. M2a) connected to a first bit line BL (e.g. BL2a) is formed as a second-layer interconnection M2 on a second layer different from a layer on which the bit line BL is formed, and they are connection in a connection region 2 between a memory-cell formation region 2 and a sense amplifier region.例文帳に追加

第１のビット線ＢＬ（例えば、ＢＬ２ａ）と接続される配線（例えばＭ２ａ）をビット線ＢＬが形成される層と異なる第２の層に第２層配線Ｍ２として形成し、メモリセル形成領域２とセンスアンプ領域との間の接続領域２において接続する。 - 特許庁

The endoscopic device also includes: a mouth piece for connection 26 made substantially in a tubular shape and connected between the elastic member layer 25 of the flexible tube 17 and the curved part 16 or the main body part; and a short tube 29 externally fitted on the outer layer braided tube 18 and fixing the outer layer braided tube 18 in the mouth piece for connection 26.例文帳に追加

略管状で、可撓管１７の弾性部材層２５と、湾曲部１６または本体部との間に接続された接続用口金２６と、外層編状管１８に外嵌され、外層編状管１８を接続用口金２６に固定する短管２９とを備える。 - 特許庁

The first major surface side connection terminal 17 has such a structure as an electroless gold plating layer 26 is formed on a copper layer 23 through an electrolytic plating layer 29 and is solder jointed to the connection terminal 76 of an electronic component 15 mounted on the first major surface 13 side of the substrate 12.例文帳に追加

第１主面側接続端子１７は、銅層２３上に無電解ニッケルめっき層２９を介して無電解金めっき層２６を形成した構造を有し、基板１２の第１主面１３側に搭載される電子部品１５の接続端子７６とはんだ接続される。 - 特許庁

This intermediate connection structure is composed by peeling ends of a pair of cable cores 102 each having a superconductive conductor 201, an electric insulation layer 202 and a cable shield layer 203 stepwise to connect the exposed super conductive conductors 201 to each other through a connection member 4.例文帳に追加

超電導導体201、電気絶縁層202、ケーブルシールド層203を具える一対のケーブルコア102の端部を段剥ぎして、接続部材4を介して、露出された超電導導体201同士を接続する中間接続構造である。 - 特許庁

A compression processing is applied to an Sn plated layer 18 as the tertiary plated layer on the connection surface 11a of the chip resistor 10 as a post-process with the heated compression roller 31 of a connection surface compression apparatus 30.例文帳に追加

チップ抵抗１０の接続表面１１ａにおける３次メッキ層としてのＳｎメッキ層１８には、接続表面圧縮装置３０の加熱された圧縮用ローラ３１によって、後工程として圧縮加工が施される。 - 特許庁

For example, while a service is being provided by a higher layer, the connection time-out value of a large value is used and in a period during which a service is not being provided by a higher layer, the connection time-out value of a smaller value than that during providing service is used.例文帳に追加

例えば、上位レイヤにおけるサービス提供中は大きな値の接続タイムアウト値が使用され、上位レイヤにおけるサービス提供期間外はサービス提供中よりも小さな値の接続タイムアウト値が使用される。 - 特許庁

To provide a test method for a substrate capable of confirming the connection state of a circuit pattern formed on the substrate by confirming the connection state of an interlocking circuit layer between active elements built in the substrate without providing an additional test circuit layer.例文帳に追加

付加のテスト回路層を備えずに基板に内蔵された能動素子間の連結回路層の接続状態を確認し、基板に形成された回路パターンの接続状態を確認する基板のテスト方法を提供する。 - 特許庁

Stress migration occurs at the connection between the dummy Cu pattern 43B and the dummy via plug 47D of the lower wiring layer at the tip, and occurrence of the stress migration is prevented at the connection between the via plug 47C and the lower-layer wiring pattern 43A.例文帳に追加

ストレスマイグレーションは先端部の下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄの接続部で発生し、ビアプラグ４７Ｃと下層配線パターン４３Ａの接続部ではストレスマイグレーションの発生は防止される。 - 特許庁

A circuit board for an inner layer electrically connects with an outer layer circuit through conduction holes of an insulation base material for interlayer connection, and a hardening part is selectively formed on the insulation base material for the interlayer connection.例文帳に追加

内層用回路基板と外層回路が層間接続用絶縁基材の導通孔を介して電気的に接続され、前記層間接続用絶縁基材には選択的に硬化部が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A state display lamp is provided on the front side of the device to stop switching operation and display that the layer 1 connection is not established when layer 1 connection is not established even when switching the polarity switching relay circuit plural times.例文帳に追加

極性切替リレー回路の切替を所定回数行なってもレイヤ１接続が確立しない場合には、切替操作を中止してレイヤ１接続が確立しないことを表示する状態表示ランプを装置前面に備えている。 - 特許庁

To solve a problem wherein a deterioration in display owing to the gap unevenness of a liquid crystal layer occurs if the resistance value of connection wiring is lowered by adding a low-reflection metallic layer of chromium etc., to the connection wiring in order to reduce the deterioration in image quality owing to crosstalks.例文帳に追加

クロストークによる画質劣化改善のため、接続配線にクロム等の低反射金属層を追加して接続配線の抵抗値を下げると、液晶層のギャップムラによる表示劣化を招くという問題が起こる。 - 特許庁

A multilayer flexible wiring board is made ino a structure not providing the interlayer adhesive layer 30 (i.e., a structure providing a portion 29 where the interlayer adhesive layer is not provided) on a connection part (connection area with another circuit board 50) 40 of the multilayer flexible wiring board.例文帳に追加

多層フレキシブル配線基板の接続部（他の回路基板５０との接続エリア）４０上において、層間接着剤層３０を設けない構造（つまり、層間接着剤層が設けられない部分２９を設ける構造）とする。 - 特許庁

Specifically, the projection 60 is provided on the upper surface of the conductive pattern 11, and the interlayer connection 19 for electrically connecting the conductive pattern 11 with a first wiring layer 14 is provided in such a manner that the interlayer connection penetrates through a first insulating layer 12.例文帳に追加

具体的には、導電パターン１１の上面に突出部６０を設け、導電パターン１１と第１配線層１４とを電気的に接続させる層間接続部１９を、第１絶縁層１２を貫通して設けている。 - 特許庁

The printed circuit board comprises: an insulating layer 10; a conductive circuit 11 arranged on the insulating layer 10 and equipped with connection terminals 12 at its edge; and projections 13 each provided on the connection terminal 12 in the direction in which the conductive circuit 11 is extended.例文帳に追加

絶縁層１０と、絶縁層１０上に配置され、端部に接続端子１２を有する導通回路１１と、接続端子１２上に導通回路１１が延伸する方向に設けられた凸部１３とを備える。 - 特許庁

Each contact part 17 is formed by interlaying plated layer extension parts 20a by shearing of the plated layer 20 formed in forming the slit 14 in the superimposing part 7 between the connection surface of the flat conductor 1 and that of the connection plate part 6.例文帳に追加

重ね合わせ部７に切れ目１４を入れた際に形成したメッキ層２０の剪断によるメッキ層延伸部２０ａをフラット導体１と接続板部６との接続面間に介在させて接触部１７を構成する。 - 特許庁

Subsequently, coordinates of a through via and a signal connection layer are extracted from the design data after design completion of the printed wiring board, and it is confirmed by scanning every groups whether or not the through via is connected to a signal line, and in the case of connection, its connection number is output to a connection table (S2 to S11).例文帳に追加

続いて、プリント配線基板の設計完了後の設計データから貫通ヴィアの座標と信号接続層を抽出し、貫通ヴィアと信号線との接続の有無を各グループ毎に走査して確認し、接続がある場合は接続テーブルにその接続番号を出力する（Ｓ２〜Ｓ１１）。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of certainly performing a bonding connection without damaging any active element under a connection pad and also raising a wiring using efficiency under the connection pad, when the connection pad is arranged at an upper layer of the active element.例文帳に追加

活性素子の上層に接続パッドを配置した場合に、接続パッド下の活性素子を損傷させることなくボンディング接続を確実に行うことができ、なおかつ接続パッド下の配線使用効率も向上させることができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The projection electrode 30 is formed in the wiring substrate 20 side, and is constituted of a first connection part 30A closing an opening 24a for opening the connection land 22, and a second connection part 30B formed on an insulating layer 24 with a larger diameter than the first connection part 30A.例文帳に追加

この突起電極３０は、配線基板２０側に形成され、接続ランド２２を開口させる開口部２４ａを閉塞する第１接続部３０Ａと、この第１接続部３０Ａよりも径大に絶縁層２４上に形成された第２接続部３０Ｂとで構成する。 - 特許庁

In the assembled state of the box base and the box cover, the base side connection part and the cover side connection part are positioned, and a curable resin layer is formed by curing a curable resin over the positioned base side connection part and cover side connection part.例文帳に追加

ボックスベースとボックスカバーとの組付け状態において、ベース側連結部とカバー側連結部とが位置合わせされるとともに、当該位置合わせされたベース側連結部とカバー側連結部とにかけて、硬化性樹脂が硬化されることで硬化性樹脂層が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a conductive connection sheet that can manufacture the conductive connection sheet maintaining excellent adhesiveness between a metal layer and resin composition layers without causing a crack or a crease in the metal layer, and a connection method between terminals using the conductive connection sheet manufactured by such a manufacturing method, a method for forming a connection terminal, a semiconductor device of high reliability, and an electronic device.例文帳に追加

金属層に亀裂や皺が生じることなく、金属層と樹脂組成物層との間で優れた密着性が維持された導電接続シートを製造することができる導電接続シートの製造方法、かかる製造方法により製造された導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

An insulation layer 25 including the glass fiber as a reinforcing material is further laminated on the insulation layer 12, and the interlayer connection of the insulation layer 25 is made by forcing in a group of nearly conical conductor bumps 22a, 22,... in the thickness direction of the insulation layer 25.例文帳に追加

この絶縁層１２の上に更にガラス繊維を補強材として含む絶縁層２５を積層し、この絶縁層２５の層間接続は略円錐形の導体バンプ群２２，２２，…を絶縁層２５の厚さ方向に圧入することにより達成する。 - 特許庁

To electrically connect an aluminum metal layer to a through-hole copper plating layer not through an oxide layer on the surface of the aluminum, and to obtain low-resistance connection between the aluminum metal layer of an anode and the through-hole of a solid-state electrolytic capacitor.例文帳に追加

アルミニウムの表面の酸化被膜を介することなくアルミニウム金属層をスルーホール銅めっき層に電気的に接続し、固体電解コンデンサの陽極であるアルミニウム金属層とスルーホールとの低抵抗接続を得ることを目的とする。 - 特許庁

A bonding pad 56 comprises a second layer electrode 64 and a third layer electrode 65, and a first layer electrode 70 is receded from a bonding region 68 toward the inside for electrical connection to an element with the wiring of the first layer from the bonding pad.例文帳に追加

ボンディングパッド５６は、第２層電極６４と第３層電極６５で構成し、ボンディングパッドから第１層目の配線で素子と電気的に接続するため、第１層電極７０をボンディングエリア６８から内側に向かって遠ざけた。 - 特許庁

To provide an electron component incorporated printed board that can secure reliability in electric connection of a circuit layer formed later by strengthening the adhesive force between a polymer layer and a plating layer by roughing the polymer layer, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

ポリマー層に粗さを施してメッキ層との接着力を強化させることにより、追って形成される回路層の電気的接続の信頼性を確保することが可能な電子部品内蔵型プリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic detection element is formed of an electrode layer 35 of soft magnetic materials at both sides of a laminated body 23, and an antiferromagnetic layer 34 forming a laminate structure together with the electrode layer 35 and producing a switched connection magnetic field for the electrode layer 35.例文帳に追加

積層体２３の両側に軟磁性材料で形成された電極層３５と、前記電極層３５と積層構造を成し、前記電極層３５との間で交換結合磁界を生じさせる反強磁性層３４を形成する。 - 特許庁

The electrode resistant to distortion comprises an upper layer 28, a lower layer 26, and one or more compliant members 30 that provide an electrical connection between the upper layer and the lower layer, and the electrode is used in particular together with an actuator of piezoelectric stack type.例文帳に追加

本発明のひずみ耐性電極は、上部層２８と、下部層２６と、上部層と下部層の間の電気接続を提供する１つまたは複数のコンプライアント部材３０とを備え、特に圧電スタックタイプのアクチュエータと共に使用する。 - 特許庁

The connection portion 13 is arranged over the lower-layer wiring 11 and over ends of the conductive layer of the element 14, and comes into contact with an upper surface of the lower-layer wiring 11 and an upper surface and side surfaces of the ends of the conductive layer of the element 14.例文帳に追加

接続部１３は、下層配線１１上および素子１４の前記導電層の端部上にわたって配置され、接続部１３は、下層配線１１上面、素子１４の導電層の端部の上面および側面に接触している。 - 特許庁

The present invention relates to a method for at least partial disconnection in a double-layer communication network comprising a first communication network layer for establishing a communication channel to a terminal and a second communication network layer for establishing the connection of an application layer.例文帳に追加

ターミナルへの通信チャンネルを確立するための第１通信ネットワーク層と、アプリケーション層の接続を確立するための第２通信ネットワーク層とを備えた２層通信ネットワークで、接続の少なくとも一部分を解除するための方法である。 - 特許庁

To provide an external connection structure of a semiconductor package with high reliability by eliminating a step difference between a conductor pattern connected with external connection terminals and a surrounding insulation layer, so as to avoid variations in heights of the external connection terminals.例文帳に追加

外部接続端子が接続する導体パターンと周囲の絶縁層との間に段差をなくして、外部接続端子の高さのばらつきを解消し、信頼性の高い半導体パッケージの外部接続構造を提供する。 - 特許庁

The pressing part 32 includes a connection projection 32b and is electrically connected to an outer layer of the pipe connection end 51 by pressure-fitting a distal end part of the pipe connection end 51 riding over the removal-stop projection 26 and pressure-fitted to the insertion clearance 31S.例文帳に追加

押圧部３２は、接続用突起３２ｂを有し、抜止突起２６を乗り越えて圧入されたパイプ接続端５１の先端部を、挿入間隙３１Ｓに圧入することで、パイプ接続端５１の外層と電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can restrain deterioration of reliability of a connection hole even if misregistration is generated between the connection hole and a wiring when the connection hole is formed in a layer insulation film on a wiring.例文帳に追加

配線上の層間絶縁膜に接続孔を形成する際、その接続孔と配線との間に合わせずれが生じても接続孔の信頼性の悪化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic capacitor in which connection resistance of an anode is low and connection reliability is improved in the case of connection using conductive adhesives in a miniaturized solid-state electrolytic capacitor suited to be incorporated in an electric insulating layer.例文帳に追加

電気絶縁層に内蔵するのに適した小型の固体電解コンデンサであって、導電性接着剤を用いて接続する場合、陽極の接続抵抗が低く、接続信頼性が向上した電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

The terminal connection table is arranged in the circuit diagram in the upper layer, and the selected terminals and connection destinations to be connected to those terminals are wired so that the connection relations of the specific terminals can be listed.例文帳に追加

前記上位階層の回路図にこの端子接続表を配置して、前記選択された端子と、該端子に接続される各接続先とを配線することによって、特定の端子における接続関係が一覧可能となる。 - 特許庁

The device arranges a resistant layer 7 integrally covering an erection face of the partition wall 8; the surface of the connection layer 9 protruded from the partition wall 7 and the surface of the display electrode 5.例文帳に追加

隔壁８の起立面、隔壁７からはみ出した接続層９の表面、表示電極５の表面を一体に覆って抵抗層７が配置される。 - 特許庁

The wiring base board 200 is provided with a connection terminal 208 for connecting the solder ball 114, while the connecting terminal 208 is provided with an Au layer 212 and a Ni layer 210.例文帳に追加

配線基板２００は、はんだボール１１４を接続するための接続端子２０８を有し、この接続端子２０８にＡｕ層２１２及びＮｉ層２１０を有している。 - 特許庁