「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A burning formation point calculating section 18d processes the picture signal in an image region based on each of a plurality of points set on a reference ellipsoid determined by the three reference points so as to calculate out burning formation points forming a burning.例文帳に追加

バーニング構成点算出部１８ｄは、３つの基準点で決定される基準楕円上に設定した複数点の各々に基づく画像領域内で映像信号を処理し、バーニングを構成するバーニング構成点を算出する。 - 特許庁

To securely grind to an optimum thickness by measuring the thickness of a recessed area and the thickness of the projected area of a wafer in a processing method of removing only a reverse-side region corresponding to a device formation region by a desired thickness and then removing the projected area of the wafer whose outer circumferential excessive region forms the projected area.例文帳に追加

デバイス形成領域に対応する裏面側の領域のみを所望厚さ除去して、その結果、外周余剰領域が凸部となったウェーハの凸部を除去する加工方法において、凹部の厚さおよび凸部の厚さを測定し、凸部を最適の厚さまで確実に研削する。 - 特許庁

By using non-selective epitaxial growth, a polycrystalline silicon layer is formed on a field oxide film simultaneously to formation of a single crystal silicon layer on an active region, a source/drain region is formed on a polycrystalline silicon layer is formed on the field oxide film 3, and a source/drain region is formed on the polycrystalline silicon layer formed on the field oxide film 3.例文帳に追加

非選択エピタキシャル成長を用いることで、アクティブ領域上に単結晶シリコン層を形成するのと同時に、フィールド酸化膜３上に多結晶シリコン層を形成し、フィールド酸化膜３上に形成された多結晶シリコン層にソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Further, a nitride semiconductor layer 20 formed on the n-type GaN substrate 10 includes a layer thickness slope region 5 which gradually decreases in layer thickness toward the recessed portion 2 (dug region 3), and a light emission formation region 6 wherein variation in layer thickness is very small.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。 - 特許庁

In the intermediate transfer belt which is used in electrophotographic equipment of performing color image formation, a region on which an image is transferred has a first coated film of a uniform thickness and the region besides the region on which the image is transferred has a second coated film thicker than the first coated film.例文帳に追加

カラー画像形成を行なう電子写真機器に用いられる、中間転写ベルトにおいて、画像が転写される領域は均一な厚さの第一の塗膜を有し該画像が転写される領域以外の領域に該第一の塗膜よりも厚い第二の塗膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device of high reliability can be prepared because electric field formed by drain voltage is relaxed, by allowing the source region or the drain region to contact the side of the island semiconductor film which is the channel formation region, thereby allowing a depletion layer to spread in a film thickness direction and in a lateral direction.例文帳に追加

かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

A second groove which is formed in accordance with the formation of a first groove provided so as to surround a light-receiving region and used for element isolation is provided in the light-receiving region, and a conduction wiring for extracting electric charges accumulated in the semiconductor substrate in the light-receiving region is provided in the second groove.例文帳に追加

受光領域内には、受光領域を囲繞して設けた素子分離に用いる第１の溝の形成にともなって形成した第２の溝を設け、この第２の溝内に、受光領域内の半導体基板に蓄積された電荷を取出す導通配線を設ける。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

An ion implantation regulation step portion 14 with a predetermined thickness is formed at a film thickness variation portion 13 formed in a border region of the element separation oxide film 5 to an element formation region 6, thereby, whole region of the film thickness variation portion 13 is configured with the predetermined thickness regulating ion implantation.例文帳に追加

素子分離酸化膜５の、素子形成領域６との境界領域に形成される膜厚変化部位１３に所定の厚さのイオン注入規制段部１４を形成することにより、膜厚変化部位１３が全域に亘りイオン注入を規制する所定の厚みで構成されるようにする。 - 特許庁

On each of these TFT formation regions PTr, a light emitting region r1 of an organic EL element 11A emitting a red color, a light emitting region g1 of the organic EL element 11A emitting a green color, or a light emitting region b1 of the organic EL element 11A emitting a blue color are arranged.例文帳に追加

これらのＴＦＴ形成領域ＰＴｒ上には、赤色を発光する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｒ１、緑色を発光する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｇ１、又は青色を発光する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｂ１が配置されている。 - 特許庁

An interconnection (e.g. M2a) connected to a first bit line BL (e.g. BL2a) is formed as a second-layer interconnection M2 on a second layer different from a layer on which the bit line BL is formed, and they are connection in a connection region 2 between a memory-cell formation region 2 and a sense amplifier region.例文帳に追加

第１のビット線ＢＬ（例えば、ＢＬ２ａ）と接続される配線（例えばＭ２ａ）をビット線ＢＬが形成される層と異なる第２の層に第２層配線Ｍ２として形成し、メモリセル形成領域２とセンスアンプ領域との間の接続領域２において接続する。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

A primary core film 3 and a secondary core film 3 are formed in the memory cell portion and the peripheral circuit part, respectively, by removing an upper part of a wiring formation schedule region of the memory cell portion of the second insulating film 3 and an upper part of a wiring formation schedule region of the peripheral circuit part of the second insulating film 3.例文帳に追加

第２絶縁膜のメモリセル部の配線形成予定領域の上方の部分および周辺回路部の配線形成予定領域の上方の部分を除去することによって、メモリセル部および周辺回路部において第１心材膜３および第２心材膜３がそれぞれ形成される。 - 特許庁

The optical device includes a substrate 11, a plurality of optical elements 13 formed in an element formation region 12 of the substrate 11, a plurality of lenses 15 formed over the element formation region 12 so as to correspond to the plurality of optical elements 12, and a protective layer 17 formed so as to cover the plurality of lenses 15.例文帳に追加

光学デバイスは、基板１１と、基板１１における素子形成領域１２に形成された複数の光学素子１３と、素子形成領域１２の上に、複数の光学素子１２と対応して形成された複数のレンズ１５と、複数のレンズ１５を覆うように形成された保護層１７とを備えている。 - 特許庁

The plane optical waveguide chip 1 is formed by providing a waveguide formation region 10 equipped with a circuit of an optical waveguide on a substrate 11 and a plurality of top plates 20 are arranged at at least one end side of the plane optical waveguide chip 1 on the waveguide formation region 1 along an end surface of the optical waveguide chip 1.例文帳に追加

平面光導波路チップ１は、基板１１上に、光導波路の回路を備えた導波路形成領域１０を設けて形成し、平面光導波路チップ１の少なくとも一端側に、複数の上板２０を平面光導波路チップ１の端面に沿って導波路形成領域１０上に配置する。 - 特許庁

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

For instance, in a semiconductor device formation region surrounded by dicing streets 22, the solder paste layers 12a printed corresponding to the columnar electrodes 10 nearest to the right and left dicing streets 22 are printed at positions shifted to the center side in the horizontal direction of the semiconductor device formation region.例文帳に追加

例えば、ダイシングストリート２２で囲まれた半導体装置形成領域内において、左右のダイシングストリート２２に最も近接する柱状電極１０に対応して印刷された半田ペースト層１２ａを当該半導体装置形成領域の左右方向における中心側にずれた位置に印刷する。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

When development is carried out, the section corresponding to the columnar electrode formation region as the non-exposure section in the plating resist film 25 for columnar electrode formation is formed with an opening, and the thickness of the region as the semi-exposure section other than the peripheral section of the opening is turned to be almost the half of the thickness of the peripheral section of the opening.例文帳に追加

現像を行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、非露光部である柱状電極形成領域に対応する部分に開口部が形成され、開口部の周囲部以外であって半露光部である領域における厚さが開口部の周囲部の厚さのほぼ半分程度と薄くなる。 - 特許庁

The exposure mask 1 for transferring a pattern onto a wafer by exposure includes: a pattern formation region 15 where a pattern 16 having a size not smaller than a resolution limit after being transferred onto the wafer, and a sub-pattern formation region 18 where a sub-pattern 19 having a size less than the resolution limit after being transferred onto the wafer, on a substrate 11.例文帳に追加

露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。 - 特許庁

On surfaces of a first substrate and a second substrate in a filled region of a liquid crystal panel, a region in which a first electrode 7 and a second electrode 6 are placed opposite to each other is subjected to homogeneous alignment treatment (formation of alignment layers 101a, 201a) and other regions 11, 21 are subjected to homeotropic alignment treatment (formation of alignment layers 101b, 201b).例文帳に追加

液晶パネルの封入領域内の、第１及び第２の基板の表面のうち、第１の電極７と第２の電極６とが対向する領域に平行配向処理（配向膜１０１ａ、２０１ａの形成）を、その他の領域１１、２１には垂直配向処理（配向膜１０１ｂ、２０１ｂの形成）を施す。 - 特許庁

An array substrate 1 has a structure having a drive circuit formation region 24 where the driver circuit of a signal line 9, an electrostatic shield member 19, etc., are formed, a flattening layer 23 formed on the drive circuit formation region 24, and the pixel electrode 15 and common electrode 18 forme don the flattening layer 23.例文帳に追加

アレイ基板１は、信号線９、静電遮蔽部材１９等の駆動回路が形成された駆動回路形成領域２４と、駆動回路形成領域２４上に形成された平坦化層２３と、平坦化層２３上に形成された画素電極１５および共通電極１８とを備えた構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device also includes: a silicon oxide film 107 which is formed within a trench 104 provided in the semiconductor substrate 100 and defines the FET formation region; a gate insulating film 110 which is formed on the FET formation region and the silicon oxide film 107; and a gate electrode 111 which is formed on the gate insulating film 110.例文帳に追加

半導体基板１００に設けられたトレンチ１０４内に形成され、ＦＥＴ形成領域を区画するシリコン酸化膜１０７と、ＦＥＴ形成領域及びシリコン酸化膜１０７の上に形成されたゲート絶縁膜１１０と、ゲート絶縁膜１１０の上に形成されたゲート電極１１１とを備えている。 - 特許庁

An approximate rectangular region surrounded with a chamfering division line L2 defined by the chamfering break groove 165 is a non-product region R2, which becomes a waste material after a division step, and the chamfering break groove 165 is formed by the non-product region R2 and a capacitor formation region R1 while the external electrode layer is electrically connected.例文帳に追加

面取り用ブレイク溝１６５によって画定される面取り用分割線Ｌ２で囲まれた略矩形状の領域は、分割工程後に捨て材となる非製品領域Ｒ２であり、非製品領域Ｒ２とコンデンサ形成領域Ｒ１とで外部電極層が電気的に接続された状態で面取り用ブレイク溝１６５が形成される。 - 特許庁

In formation of the opening in the first conductive film, a remaining part after the opening in the first conductive film is formed is connected to the second conductive film formed to be electrically connected to an active region on the active region in a semiconductor substrate positioned in a region outside the memory cell array forming region.例文帳に追加

第１の導電膜における開口部の形成は、第１の導電膜における開口部形成後の残存部分が、メモリセルアレイ形成領域の外部領域に位置する半導体基板中の活性領域上にて、活性領域と電気的に接続されるように形成された第２の導電膜と接続されるように行なわれる。 - 特許庁

A mask is formed on a permeable substrate, a first region having an optically catalytic film on the substrate and the mask is formed, light is allowed to penetrate the substrate to irradiate light to the optically catalytic film, a second region is formed by partially reforming the first region, and a pattern is formed by delivering a composition containing a pattern formation material to the second region.例文帳に追加

透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。 - 特許庁

By forming a PSG layer on a substrate, a protective film on a region in which a depletion layer is spread, a protective film for the protection from external contamination can be formed simply, and phosphorus treatment and formation of an emitter region can be practiced simultaneously.例文帳に追加

本発明は、基板上にＰＳＧ層を設けることにより、空乏層の拡がる領域の保護膜と外部からの汚染を防止する保護膜の形成を簡略化し、リン処理およびエミッタ領域形成が同時に行える。 - 特許庁

Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.例文帳に追加

続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。 - 特許庁

To prevent formation of a print dot at a ground part by outputting data corresponding to the ground surely as white data, similarly to the case of clipping, without decreasing the use region of output color reproduction region.例文帳に追加

出力色再現域の使用域を減少させることなく、かつ、クリップ処理を行う場合と同様に、下地に応じた出力データを確実に白色データとして出力させ、下地部分における印字ドットの形成を防止する。 - 特許庁

The conductor 38 is connected to a ground wiring through a contact hole 21, and connected to the element separation region 11 through a contact part 40 (40a and 40b) at a prescribed position of the element formation region 11.例文帳に追加

導電体３８は、コンタクトホール２１を介して接地配線に接続してあるとともに、素子形成領域１１の予め定めた位置において、コンタクト部４０（４０ａ、４０ｂ）を介して素子形成領域１１に接続してある。 - 特許庁

Moreover, an insulating film 207 is formed on the whole surface of the substrate 201, an upper wiring layer 208 is formed on a memory cell region on the film 207 and at the same time, alignment marks 208-a are formed on the alignment mark formation region.例文帳に追加

さらに、全面に絶縁膜２０７を形成し、絶縁膜２０７上のメモリセル領域に上層配線層２０８を形成すると同時に、位置合わせマーク形成領域に位置合わせマーク２０８−ａを形成する。 - 特許庁

In the view from the upper part, the shape of the body region 22 is a U shape, and a body part 22a extending in the short side direction of an FET formation region and an extension part 22b extending in a long side direction from the body part 22a are formed.例文帳に追加

上方から見て、ボディ領域２２の形状はコ字状であり、ＦＥＴ形成領域の短辺方向に延びる本体部２２ａと、本体部２２ａから長辺方向に延出した延出部２２ｂとが形成されている。 - 特許庁

Moreover, in the case where the amorphous whose crystal grain sizes are small or fine crystal grain size hetero semiconductor is formed as the hetero semiconductor region, it is allowable that re-crystallization annealing process may be conducted after formation of the film to generate polycrystal silicon from the hetero semiconductor region.例文帳に追加

さらには、前記ヘテロ半導体領域として非晶質もしくは微結晶のヘテロ半導体を成膜させた場合、成膜後に、多結晶シリコンに変化させる再結晶化アニール処理を施すようにしても良い。 - 特許庁

In a predetermined conductor layer of the intermediate product 10, a conductor layer 11 for products corresponding to a plurality of products is formed in the product formation region R1, and a dummy conductor layer is formed in the region R2 outside products.例文帳に追加

中間製品１０の所定の導体層においては、製品形成領域Ｒ１には複数の製品に対応する製品用導体層１１が形成され、製品外領域Ｒ２にはダミー導体層が形成される。 - 特許庁

When a local impact force P2 acts upon the range where the formation density of the slits 7 is low, the impact force is dispersed to a wide region and is transmitted to the first layer 3 in the whole range corresponding to the wide region.例文帳に追加

スリット７の形成密度が低い範囲に局部的な衝撃力Ｐ２が作用すると、広い領域に衝撃力が分散し、その広い領域に対応する範囲全体で衝撃力が第１層３へと伝わる。 - 特許庁

When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加

半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁

Since the bone defect region is clogged by the membrane member 3 other than the periosteum, a fibrous connective tissue, etc., existing in a peripheral tissue but not involved in the new bone formation is prevented from moving to the bone defect region.例文帳に追加

本発明によれば、骨膜以外の膜部材３によって骨欠損部が閉塞されているので、周辺組織に存在する骨新生に関与しない繊維性結合組織等が骨欠損部に移動することが防止される。 - 特許庁

At the time, through the crystal defects 8 are recovered at positions where the silicide films are formed, since the acquisition layer formation region Y is masked with the silicon oxide film 10, the crystal defects 8 are not recovered in the region.例文帳に追加

このとき、シリサイド膜が形成された位置において結晶欠陥８が回復するが、捕捉層形成領域Ｙをシリコン酸化膜１０によってマスクしているため、この領域においては結晶欠陥８が回復しない。 - 特許庁

An insulating film 5 is formed on a channel formation impurity region 4 formed inside a semiconductor substrate 1, and the insulating film 5 in a gate forming region is subjected to first gate etching up to a halfway point in the insulating film 5 in a thickness direction (thickness of the residual part of the film 5:d1).例文帳に追加

半導体基板１内に形成されたチャネル形成不純物領域４上に絶縁膜５を成膜し、そのゲート形成箇所に対し膜厚途中まで第１のゲートエッチングを行う（残膜厚：ｄ１）。 - 特許庁

Thereby, a region of ceramic raw material ejected by means of the thermal spray gun 13 can be enlarged and the second working apparatus 2 enables the working processing (ejection processing) of a protective coated film even for the oxygen sensor having a large formation region of the protective coated film.例文帳に追加

これにより、溶射ガン１３によるセラミックス原料の噴射領域を拡大でき、第２加工装置２は、保護被膜の形成領域の大きい酸素センサに対しても保護被膜の加工処理（噴射処理）が可能となる。 - 特許庁

The image forming apparatus determines whether the bias current is a suitable current value, by energizing a dummy video signal in a scanning region which is other than an image forming region for each line scanning, even during the formation of an image to paper.例文帳に追加

用紙に画像を形成している最中であっても、１行走査する度に、画像形成領域以外の走査領域において、ダミービデオ信号を通電してバイアス電流が適切な電流値であるか否かを判定する。 - 特許庁

A semiconductor chip 11 includes an element formation region 12 and a chip position identification pattern 13 outside the region 12, and the pattern 13 consists of the position information in an exposure shot 14 and the exposure shot position information 15.例文帳に追加

半導体チップ１１には素子形成領域１２とその素子形成領域１２外にチップ位置識別パターン１３があり、このチップ識別パターン１３は露光ショット内位置情報１４と、露光ショット位置情報１５とからなっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-breakdown voltage semiconductor device, which can avoid increase in a junction leakage, due to a damaged region generated on a semiconductor substrate at the formation of an LDD low-concentration impurity diffusion structure in the case where an offset region is provided.例文帳に追加

オフセット領域を設ける場合、ＬＤＤ構造を形成する際に半導体基板に生成するダメージ領域に起因して接合リークが増加することを回避できる高耐圧半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the sneaking around of the adhesive into the region 107 in which the optical fiber 100 is not arranged from a region 106 in which the optical fiber is arranged is prevented and the formation of bubbles in the vicinity of an optical fiber located at the outermost position is prevented.例文帳に追加

そのため、光ファイバ配列領域１０６から光ファイバ非配列領域１０７への接着剤の回り込みが防止され、一番外側に位置する光ファイバ付近に気泡が形成されることが防止される。 - 特許庁