「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

More specifically, at the ends of the channel formation portion 10 on the source 4 side and on the drain 5 side, a higher- concentration region 11 whose impurity concentration is higher than at the central part is formed.例文帳に追加

すなわち、チャネル形成部１０のソース４、ドレイン５側の端部に、中央部と比べて不純物濃度の高い高濃度領域１１が設けられている。 - 特許庁

Preferably, the sum of the width on the straight line for connecting the connection sections 3a, 3b at the opening 4 is not less than 4L/7 in the opening formation region 100.例文帳に追加

またかつ、開口部４の接続部３ａ、３ｂ間を結ぶ直線上における幅の総計は、開口部形成領域１００内に４Ｌ／７以上であることが好ましい。 - 特許庁

The non-magnetic member 145 is made of a non-magnetic material which is provided in an area in the non-coil formation region which the heater 144 abuts on, and does not have a glass transition temperature.例文帳に追加

非磁性部材１４５は、コイル非形成領域中の、ヒータ１４４が隣接する箇所に設けられた、ガラス転移点を有しない非磁性材料からなるものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can have a high breakdown voltage of transistor, and can reduce a surface area occupied by a region for formation of such transistors.例文帳に追加

トランジスタを高耐圧に保持することができ、しかも、トランジスタが形成される領域の占有面積を縮小することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A grid-shaped groove 16 is formed on the lower face of a fan casing 7 as a heat sink, and a circular ditch 15 surrounding the formation region of the grid-shaped groove 16 is formed.例文帳に追加

ヒートシンクとしてのファンケーシング７の下面に格子状溝１６を形成すると共に、この格子状溝１６の形成領域を取り巻く環状堀１５を形成する。 - 特許庁

It is set so that a carbon is added to a region of an external base layer 51, and a formation of a point defect is prevented as occurring at the time of a boron injection for the external base.例文帳に追加

外部ベース層５１の領域にカーボンを添加し、外部ベース用ボロン注入時に発生する点欠陥生成を防止するように設定したものである。 - 特許庁

To optimize formation region of the dielectric convex portion for preventing a wrong discharge and discharge leakage, and prevent the break-off of the partition top portion that may accompany turning into high minuteness.例文帳に追加

誤放電や放電漏れ防止のための誘電体凸部の形成領域を最適化し、高精細化に伴い生じ得る隔壁頂部の欠損をも防止する。 - 特許庁

To provide a dual gate field-effect transistor (DGFET) structure, with a significantly reduced parasitic capacity in the source/drain region and its formation method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減した二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびそれを形成する方法を提供する。 - 特許庁

In a reformed region formation process, a cutting predetermined line DL is set along a (111) surface forming an angle of 54.7° from a substrate surface 21a which is a (100) surface.例文帳に追加

改質領域形成工程において、割断予定ラインＤＬは、（１００）面である基板面２１ａから５４．７°の角度をなす（１１１）面に沿って設定される。 - 特許庁

In the method for element separate formation, a high concentration region of a well is formed by self-alignment manner on the side surface of STI(shallow trench isolation).例文帳に追加

本発明に係る素子分離形成方法は、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）側面に、ウェルの高濃度領域を自己整合的に形成する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The liquid droplet discharging device includes a discharging head 30 having nozzles N1-N180 of the number more than the nozzles compared with the number of cells of the raw direction of the cord formation region S.例文帳に追加

そして、コード形成領域Ｓの行方向のセル数に比べて多いノズル数のノズルＮ１〜Ｎ１８０を備えた吐出ヘッド３０を液滴吐出装置に備えた。 - 特許庁

To provide a mask holding apparatus capable of holding a mask while securing planarity of a pattern formation region of the mask, an exposure apparatus, an exposure method, and a method of manufacturing a device.例文帳に追加

マスクのパターン形成領域の平面性を確保しつつ、マスクを保持することができるマスク保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An opening part 14a with opening width 0.13 μm is formed in the gate formation region on the substrate protective film 13 and the first mask film 14.例文帳に追加

次に、基板保護膜１３及び第１のマスク膜１４上のゲート形成領域に該ゲート形成領域に開口幅が０．１３μｍの開口部１４ａを形成する。 - 特許庁

Then, when the MOS transistor formation region is subjected to sacrifice oxidation and a sacrificial oxide film 5 is formed (process (c)), the factor 3 for preventing oxidation is taken into the sacrificial oxide film 5.例文帳に追加

次に、ＭＯＳトランジスタ形成領域を犠牲酸化して犠牲酸化膜５を形成する（（ｃ）工程）と、酸化を阻害する要因３が犠牲酸化膜５中に取り込まれる。 - 特許庁

The correction electrode 16' is connected to the output voltage electrode 16 in a region different from that on a formation surface of the magnetoresistive elements MR1, MR2 of the semi-insulating substrate 11.例文帳に追加

補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。 - 特許庁

The formation method has a process of coating a buffer material 6A containing a conductive polymer of non-fluidity by extrusion by a dispenser 5 along a light-emitting region 1A.例文帳に追加

発光領域１Ａに沿って、ディスペンサ５による押し出しにより非流動性の導電性高分子を含む緩衝層材料６Ａを塗布する工程を有する。 - 特許庁

A first conductor layer 5, a dielectrics layer 8, and a second conductor layer 10 are laminated on a circuit element formation region DA to form a solid capacity element.例文帳に追加

回路素子形成領域ＤＡ上に第１の導体層５、誘電体層８および第２の導体層１０とを積層して立体的に容量素子を形成する。 - 特許庁

A protective film 43 consisting of an ITO film is formed on the entire upper surface of the over coating film 36 in the non panel forming region 4 simultaneously with the formation of a pixel electrode 7.例文帳に追加

非パネル形成領域４におけるオーバーコート膜３６の上面全体にＩＴＯ膜からなる保護膜４３を画素電極７の形成と同時に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated electronic component which can prevent deformation of a laminated chip while minimizing a region for formation of a step difference accommodation layer.例文帳に追加

段差吸収層の形成領域を極力少なくしながら、積層チップの変形を防止することができる積層電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a junction leakage current by a silicide layer formation without increasing any area of a source-drain region, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の面積を増大することなく、シリサイド層形成による接合リーク電流の低減が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrical characteristics between the measurement pad region 14c and the semiconductor substrate 11 are measured to evaluate damage to a gate insulating film 13 due to formation of the via hole 15b.例文帳に追加

測定パッド領域１４ｃと半導体基板１１の間の電気的特性を測定し、ヴィア１５ｂの形成によるゲート絶縁膜１３へのダメージを評価する。 - 特許庁

Memory transistors M11, etc., comprise charge storage means which are, in a gate insulating film between a substrate surface and a gate electrode, discretized in the plane facing a channel formation region.例文帳に追加

メモリトランジスタＭ１１，…は、基板表面とゲート電極間のゲート絶縁膜内にチャネル形成領域と対向する面内で離散化されている電荷蓄積手段を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a junction leakage due to silicidation is prevented by suppressing formation of a divot (depression) on an interface between an active region and a device isolation insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、活性領域と素子分離絶縁膜の界面に形成されるディボット(窪み)を抑制して、シリサイド化による接合リークの発生を防止する。 - 特許庁

To effectively prevent the crack of an antireflective film from extending into a microlens formation region in a solid-state imaging device having a microlens array and the antireflective film.例文帳に追加

マイクロレンズアレイと反射防止膜とを備えた固体撮像装置において、反射防止膜におけるクラックがマイクロレンズ形成領域に進入することを効果的に防止する。 - 特許庁

A region including the defect location coordinates on the second coordinate system of the element formation surface is imaged by the defect imaging device (S8, S9).例文帳に追加

前記欠陥撮影装置により前記素子形成面の前記第２の座標系上における前記欠陥位置座標を含む領域の撮影を行う（Ｓ８、Ｓ９）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving stress applied to a channel formation region while suppressing deterioration in short-channel characteristics with respect to a field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、短チャネル特性の劣化を抑制しつつ、チャネル形成領域に与える応力を向上させることが可能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

The memory transistor TR2 is provided on the memory transistor TR1, and a gate electrode 5b is formed on the B plane and a C plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ２はメモリトランジスタＴＲ１の上部に設けられ、ゲート電極５ｂが素子形成領域１００の側面のＢ面及びＣ面に形成される。 - 特許庁

The pattern for chromaticity measurement and the pattern for haze value measurement are formed in parallel with formation of the display part on the region other than the display part of the transparent substrate.例文帳に追加

表示部以外の透明基板上に、表示部の形成と同時に色度測定用パターンを形成し、表示部の形成と同時にヘイズ値測定用パターンを形成すること。 - 特許庁

The peptide of the region having an effect on these physiological activity and the DNA encoding such peptide are made as the granule formation inhibitor of the JC virus and the preventing and treating agent of the PML.例文帳に追加

これら生理活性的に効果のある領域のペプチドや、これらペプチドをコードするＤＮＡを、ＪＣウイルスの粒子形成阻害剤やＰＭＬの予防・治療剤とする。 - 特許庁

A polysilicon film 86 is removed by etching so that the polysilicon film 86 is left on the whole face of a source line formation region 88, and one part of a floating gate is patterned.例文帳に追加

ソース線形成領域８８全面にポリシリコン膜８６が残るように、ポリシリコン膜８６をエッチング除去し、フローティングゲートの一部分のパターンニングをしている。 - 特許庁

To accurately control the formation position of polycrystalline silicon during a crystallization stage by forming an alignment mark on a non-display region, and to form an active layer with optimum characteristics.例文帳に追加

非表示領域にアラインマークを形成して結晶化工程中に多結晶シリコンの形成位置を正確に制御及び最適特性のアクティブ層を形成する。 - 特許庁

A p-type region 7 for a guard ring is formed on the surface layer, at the outer side from formation regions of the layers 4 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上面におけるｎ型エピタキシャル層４の形成領域よりも外側での表層部にガードリング用ｐ型領域７が形成されている。 - 特許庁

A second gate layer 46 is subjected to pattern formation to the first gate layer and extended to cover a prescribed region of the gate insulation layer 40 and to cover the LDD structure 36.例文帳に追加

第二ゲート層４６は前記第一ゲート層にパターン形成され、延伸して前記ゲート絶縁層４０の所定領域を被覆し、その下の前記LDD 構造３６を被覆する。 - 特許庁

To restrain projection structure formation in the selective growth of a semiconductor layer using a mask at manufacturing an optical semiconductor integrated device with an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域を有する光半導体集積装置の製造において、マスクを使った半導体層の選択成長時における突起構造の形成を抑制する。 - 特許庁

A scaling processing part 14 recognizes the size of a region (sub-image) where an image displayed by the input image signal is formed in an image formation panel 12.例文帳に追加

スケーリング処理部１４は、入力された画像信号によって表示される画像が画像形成パネル１２中で形成する領域（サブイメージ）の領域サイズを認識する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which formation of a step in an element isolated region is suppressed and high reliability can be attained in a short process.例文帳に追加

素子分離領域での段差の形成を抑制して高い信頼性を短い工程で得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma confinement cylinder 113 that confines the scatter region of the ECR plasma delivered from a plasma formation chamber 102 is provided below the bottom of a target 105 (container 105a).例文帳に追加

ターゲット１０５（容器１０５ａ）の下部に、プラズマ生成室１０２より引き出されたＥＣＲプラズマの飛散領域を制限する筒状のプラズマ制限筒１１３を備える。 - 特許庁

Then, the non-doped semiconductor layer 14 is present so that impurity in the semiconductor layer 15 can be prevented from going through the gate electrode 13 and spreading to a channel formation region 17.例文帳に追加

そして、ノンドープの半導体層(14)の存在によって半導体層(15)中の不純物がゲート電極(13)を突き抜け、チャネル形成領域(17)に拡散することを防ぐ。 - 特許庁

The vectors have structures relating to formation of an intrastrand base pair of at least one region in the heterologous sequence or capable of rapidly forming such constructions.例文帳に追加

ベクターは、異種配列における少なくとも１つの領域の鎖内塩基対形成に関する構造を有すか、または、急速にこのような構造をとることが可能である。 - 特許庁

Then, by using a mask 73 with a narrow opening, a B ion is injected with a weak acceleration voltage to form a high-resistance layer 75 wide than a gate formation region.例文帳に追加

次に、狭い開口部を有するマスク７３を用いて、Ｂイオンを弱い加速電圧で注入して、ゲート形成領域よりも広く高抵抗層７５を形成する。 - 特許庁

Next, a boundary between the unnecessary part of the optical waveguide mother board and an optical wageguide formation region is cut with a dicing blade and the unnecessary part of the optical waveguide mother board is removed.例文帳に追加

ついで、ダイシングブレードで光導波路親基板の不要部分と光導波路形成領域との境界を切断し、光導波路親基板の不要部分を除去する。 - 特許庁

To allow stable stratified combustion in a wide operation region, by securing ignitability in a low load, by avoiding the formation of an excessively thick air-fuel mixture in a high load.例文帳に追加

高負荷時における過濃混合気の形成を回避するとともに、低負荷時における着火性を確保して、広い運転領域で安定した成層燃焼を可能とする。 - 特許庁

A bonding portion 8 for bonding a plurality of wiring layers 2 formed on a semiconductor substrate 3 to each other is provided nearby a dicing position on the side of a device formation region 10.例文帳に追加

ダイシング位置のデバイス形成領域１０側近傍において、半導体基板３上に形成された複数の配線層２同士を接合する接合部８を設ける。 - 特許庁

A plurality of connection terminals 34 are disposed in parallel each other on the back surface of the driving substrate 31, and a terminal formation region formed with the connection terminals 34 is covered with resist 35.例文帳に追加

駆動基板３１の裏面には、複数の接続端子３４が並設され、接続端子３４が形成された端子形成領域がレジスト３５で覆われている。 - 特許庁

Then gate electrode material layers are formed which fill the gate formation the opening parts and cover the entire top surface of the buried insulating films and respective element region layers.例文帳に追加

このゲート形成用開口部の内側を埋め込むとともに、埋め込み絶縁膜、及び各素子領域層の上側全面を覆うゲート電極材料層を形成する。 - 特許庁