「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper part of the stepped part is filled with a conductive material to serve as a strap 904, and N-type ions are implanted for the formation of a source region 61 inside the substrate 10.例文帳に追加

段差上部に導電材料を充填してストラップ９０４とし、ｎ型イオンを注入してソース領域６１を基板１０内に形成する。 - 特許庁

After formation of an element isolation region (S2) and a p-type well (S3) in a semiconductor substrate (S3), a gate insulating film is formed on the surface of the p-type well (S4).例文帳に追加

半導体基板に素子分離領域を形成し（Ｓ２）、ｐ型ウエルを形成（Ｓ３）した後、ｐ型ウエルの表面にゲート絶縁膜を形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

At least a part of the ejection port 14 is positioned outside of an effective foaming region 20 which substantially contributes to formation of the bubble at the heating element 18.例文帳に追加

吐出口１４の少なくとも一部が発熱素子１８における実質的に気泡の生成に寄与する有効発泡領域２０の外側に位置している。 - 特許庁

By evaluating formation of the focus as to the heights Ha-Hd from these light quantity values of the black, white and gray, the height as to each region Y is identified.例文帳に追加

この黒，白，灰色の光量値に基づき高さＨａ〜Ｈｄについて合焦評価を行うことで、各領域Ｙについての高さを同定できる。 - 特許庁

To determine a dot region of an image as a target of image formation which is acquired by an image forming apparatus more correctly than in a conventional method.例文帳に追加

画像形成装置で取得した画像形成の対象とする画像について、その画像中の網点領域を従来よりも正確に判定する。 - 特許庁

After formation of a gate oxide film 1 and a first gate material 2, the gate oxide film 1 and the first gate material 2 are etched to form an element isolation region 4.例文帳に追加

ゲート酸化膜１及び第１のゲート材２の形成後、ゲート酸化膜１及び第１のゲート材２をエッチングして素子分離領域４を形成する。 - 特許庁

The through-hole 15 as a region, where a side part wiring channel is to be formed, is exposed to the outside by a larger part, promoting formation of a metal film (plating) to satisfactory conditions.例文帳に追加

側部配線溝形成予定領域としての貫通孔１５はより大きく外部に晒され、金属膜の形成（メッキ）を良好な状態へと促す。 - 特許庁

The heat radiation member and the thermally conductive sheet come into contact with each other in a part excluding a part corresponding to the land formation region in the horizontal direction.例文帳に追加

そして、放熱部材と熱伝導シートとが、横方向において、ランド形成領域に対応する部分を除く部分で、互いに接触している。 - 特許庁

As each of a first transistor and a second transistor, a transistor including an oxide semiconductor for a channel formation region is used.例文帳に追加

第１のトランジスタ及び第２のトランジスタとして、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用した半導体メモリ装置とする。 - 特許庁

In such a case, since the recording signal is steeply changed in accordance with the formation of a mark, only the stable region of a recording power irradiating time is sample-held.例文帳に追加

この場合記録信号は、マーク形成に従い急峻に変化するため、記録パワー照射時間のうち安定した領域のみサンプルホールドする。 - 特許庁

To provide a pattern drawing method capable of drawing a pattern so that both ends on an inner peripheral side and an outer peripheral side of a formation region are linearly formed.例文帳に追加

形成領域における内周側および外周側の両端が直線的になるようにパターンを描画し得るパターン描画方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multifunctional and reliable semiconductor device by preventing a stress relaxation layer material from entering a first bonding pad formation region.例文帳に追加

第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料の侵入を防止して多機能かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

A capacity formation section contact plug 10b is formed through an interlayer insulation film 9 so that part of it may reach the source region 8b.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜９を貫通してソース領域８ｂに一部が到達するように形成された容量形成部コンタクトプラグ１０ｂが形成されている。 - 特許庁

The outer seal 2 is removed at the time of unsealing, whereby the indication layer 5 only in the region of formation of the release layer 6 is adhered to the outer seal 2 and taken off.例文帳に追加

開封時に外側シール２を剥がすことにより、剥離層６を形成した部位の表示層５のみが外側シール２に付着して取れる。 - 特許庁

To provide an antenna assembly in which failures of communication can be prevented by preventing formation of a sub-communicable region at the antenna coil section of a read/write unit.例文帳に追加

読み出し書き込み装置のアンテナコイル部に形成される副通信可能領域を抑止することで通信不良を防止できるアンテナ装置を提供する。 - 特許庁

A channel formation region of a TFT with multi-gate structure is formed under wiring that is formed between adjacent pixel electrodes (or electrodes of an element).例文帳に追加

隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマルチゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。 - 特許庁

To increase layout flexibility of wiring on a fuse formation region of a semiconductor integrated circuit device and to reduce the surface area occupied by fuses and wiring.例文帳に追加

半導体集積回路装置のヒューズ形成領域上の配線のレイアウトの自由度を向上させ、ヒューズや配線の占有面積を縮小する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus, an image formation supporting device, method and program capable of enhancing reproducibility in low density region.例文帳に追加

低濃度領域の再現性を向上させることができる画像形成装置、画像形成支援装置、画像形成支援方法、及びプログラムを提供する。 - 特許庁

An alignment pattern consisting of a trench groove 21 is formed in an alignment mark formation region A1 and a light transmitting film material 3a is formed covering the alignment pattern.例文帳に追加

アライメントマーク形成領域Ａ１にトレンチ溝２１からなるアライメントパターンを形成し、該アライメントパターンを覆う態様で透光性の膜材３ａを成膜する。 - 特許庁

The method includes formation of an impurity region 314 that has a second conduction type and extends from a surface of a substrate to a first depth position.例文帳に追加

本方法は、第２の伝導型を有しかつ基板の表面から第１の深さまで延びる不純物領域３１４を形成することを含む。 - 特許庁

Then, an amorphous silicon layer which is an element formation region 103 is formed on the foundation layer 102, and the layer is crystallized by laser irradiation or other method.例文帳に追加

下地層１０２上に素子形成領域１０３の非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層をレーザ照射などによって結晶化させる。 - 特許庁

In a first discharge process, liquid droplets are discharged with a pitch larger than the diameter of a liquid droplet after landing at a substrate over the whole wiring formation region.例文帳に追加

第１吐出工程では、液滴を配線形成領域全体に前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する。 - 特許庁

The photomask 11 includes, in a prescribed region, a mask pattern evaluating pattern 13 as well as a mask pattern 12 which takes part in the formation of an element on a semiconductor wafer.例文帳に追加

フォトマスク１１は、半導体ウェハ上への素子形成に関するマスクパターン１２と共にその評価パターン１３を所定領域に含んでいる。 - 特許庁

The volume of resin ink for spacer formation jetted by an ink jet method is set large enough to make an ink droplet project from the light shield region.例文帳に追加

インクジェット法によって吐出するスペーサ形成用樹脂インクの体積はインク液滴が遮光領域からはみ出る程度に大きく設定する。 - 特許庁

Furthermore, the conventional source/drain diffusion region can be replaced by including the formation of the electrical junction by impressing the voltage to the sub gate.例文帳に追加

さらに、本発明はサブゲートに電圧を印加することにより電気接合の形成を誘起し、従来のソース／ドレイン拡張領域を置換することができる。 - 特許庁

To provide a laser dicing method improving the deflection strength of a chip by controlling a formation situation of a modifying region, and to provide a laser dicing device.例文帳に追加

改質領域の形成状況を制御しチップの抗折強度を向上させるレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置を提供すること。 - 特許庁

After injecting boron ions 9 for extension region formation by using the gate electrode 6a as a mask, a sidewall 12 is formed on the side wall of a gate electrode 6a.例文帳に追加

ゲート電極６ａをマスクとしてエクステンション領域形成用のボロンイオン９を注入した後、ゲート電極６ａ側壁にサイドウォール１２を形成する。 - 特許庁

The toner is thereby prevented from being held by the elastic blade 81 and the residual toner after transfer is prevented from passing through the latent image forming region during latent image formation.例文帳に追加

よって、弾性ブレード８１で保持されずに、潜像画像形成中に転写残りトナーが潜像形成領域を通過するのを抑制することができる。 - 特許庁

A capacitor formation region 14 includes a wiring layer 13 in other vias and wiring regions formed in the same process as a lower electrode 131.例文帳に追加

容量形成領域１４は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層１３を下部電極１３１として含む。 - 特許庁

To prevent occurrence of a crack in a circuit formation region during dicing while preventing oxidation or corrosion of a seal ring having a copper layer on the uppermost layer.例文帳に追加

最上層に銅の層を有するシールリングの酸化および腐食を防止しつつ、ダイシングの際の回路形成領域におけるクラック発生を防止する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a first film 18 is formed which includes a first opening 27 and a second opening corresponding to a first well formation region 3.例文帳に追加

半導体基板１上に、第１開口２７と、第１のウェル形成領域３に対応した第２開口とを含む第１の膜１８を形成する。 - 特許庁

To provide an optical material which suppresses the formation of coloring sites due to UV absorption and can be used in the UV region.例文帳に追加

紫外線吸収による着色中心の生成を減少させ、紫外線領域において使用することのできる光学材料を提供すること。 - 特許庁

By using the abbreviation single crystal grain for the channel formation region of the thin film transistor, a thin film transistor excellent in property can be obtained stably.例文帳に追加

この略単結晶粒を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることで、特性の優れた薄膜トランジスタを安定して得ることができる。 - 特許庁

In a third discharge process, liquid droplets are discharged with a pitch smaller than the pitch of the first discharge process over the whole wiring formation region.例文帳に追加

第３吐出工程では、前記液滴を配線形成領域全体に前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する。 - 特許庁

To provide a projection optical system capable of securing a sufficient image side working distance while obtaining an image formation region with a sufficient size on an image surface.例文帳に追加

像面上で十分な大きさの結像領域が得られるとともに十分な像側作動距離を確保できるような投影光学系を提供する。 - 特許庁

The mask for film formation 100 includes the individual mask 101, the supporting substrate 102, a frame 103, an electroconductive region 104 and an electroconductive adhesive part 105.例文帳に追加

成膜用マスク１００は、個別マスク１０１、支持基板１０２、フレーム１０３、導電性領域１０４、導電性接着剤部１０５を備えている。 - 特許庁

At the time of the film formation, the gas 9 for preventing deposition is constantly fed to the surface of the non-film forming region 3b in the object 3 to be film-formed.例文帳に追加

成膜の際には、成膜対象物３の非成膜領域３ｂの表面に対して防着用のガス９を絶えず供給し続ける。 - 特許庁

Thereby, a flaw of a light incident surface can be prevented and the drawing region on a label surface side can be expanded without interfering with formation of the cover layer.例文帳に追加

このため光入射面の傷つきを防止し、カバー層の形成の邪魔をすることなく、レーベル面側の描画領域を拡大することができる。 - 特許庁

To make both of complete depletion operation and reduction of parasitic resistance in a source/drain region compatible, without damage to a channel surface, and with easy formation of a gate electrode.例文帳に追加

チャネル表面にダメージがなく、ゲート電極の形成が容易で、完全空乏動作とソース・ドレイン領域の寄生抵抗の低減との両立を可能にする。 - 特許庁

Preferably, the through-hole region has a size which does not obstruct formation of a meniscus of the solution in the vicinity of the through-hole.例文帳に追加

上記貫通領域は、上記貫通孔近傍における前記溶液のメニスカス形成の支障とならない大きさを有するものであることが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first island-like reinforcement film over a substrate having flexibility; a semiconductor film including a channel formation region and an impurity region over the first island-like reinforcement film; a first conductive film over the channel formation region with a gate insulating film interposed therebetween; and a second island-like reinforcement film covering the first conductive film and the gate insulating film.例文帳に追加

可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 - 特許庁

A p-well region 9 is formed at a substrate surface layer section around a device formation region on a semiconductor substrate 1, and at the same time rings GFP and FP5 at the innermost- and outermost-periphery sides of a group 11 of field plate rings are electrically connected to gate and collector terminals, respectively, on a LOCOS oxide film 10 around the device formation region.例文帳に追加

半導体基板１でのデバイス形成領域の周囲における基板表層部にｐウェル領域９が形成されるとともに、デバイス形成領域の周囲のＬＯＣＯＳ酸化膜１０の上において、フィールドプレートリング群１１の最も内周側のリングＧＦＰがゲート端子と、最も外周側のリングＦＰ５がコレクタ端子と電気的に接続されている。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory part where, provided in an element formation region within a chip region of a wafer, a cell is formed using a trenched capacitor, a bonding pad 304 provided around the element formation region, and a dummy trench 303 formed, at least, either above a dicing line 305 of the wafer or below the bonding pad 304.例文帳に追加

ウェハにおけるチップ領域中の素子形成領域に設けられ、セルがトレンチ型キャパシタを用いて形成されたメモリ部と、前記素子形成領域の周辺に設けられたボンディングパッド３０４と、前記ウェハにおけるダイシングライン３０５上、前記ボンディングパッド３０４下方の少なくともいずれかに形成されたダミートレンチ３０３とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

In a channel protected thin film transistor in which an oxide semiconductor is used for a channel formation region, an oxide semiconductor layer which is dehydrated or dehydrogenated by heat treatment is used as an active layer, a crystal region formed of nanocrystals is included in a superficial portion of the channel formation region, and the other portion is amorphous or is formed of a mixture of amorphous materials and microcrystals, where an amorphous region is dotted with microcrystals.例文帳に追加

チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、チャネル形成領域の表層部にはナノクリスタルで構成された結晶領域を有し、その他の部分は非晶質、または非晶質領域中に微結晶が点在した非晶質と微結晶の混合物で形成されている。 - 特許庁