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「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索
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formation regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1711



例文

At patterning the remaining part of the floating gate and the control gate, a recessed part prevented from being formed due to the excessive etching of the source line formation region 88 is eliminated.例文帳に追加

したがって、フローティングゲートの残りの部分及びコントロールゲートのパターンニングをする際、ソース線形成領域88が過度にエッチングされ、凹部が形成されるということがなくなる。 - 特許庁

A part of P-type type substrate 2 is etched to form a P-type layer 1 comprising an insulation region 3, over which an element formation layer comprising an N-type operation layer 5 is formed.例文帳に追加

P型基板2の一部にエッチングを施して絶縁領域3を備えたP型層1を形成し、その上にN型の動作層5を含む素子形成層を形成する。 - 特許庁

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other.例文帳に追加

nMOS保護回路1gはp型(第2導電型)ウェル4内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部10とp^+型ウェルタップ領域30を備えている。 - 特許庁

Further, since the latent image region is retained without being collapsed, even when a latent image is made sharp, i.e., a fine latent image is formed, development and image formation are made possible with high precision.例文帳に追加

また、潜像領域が崩れることなく維持されることから、潜像をシャープ、即ち、微細な潜像を形成しても、精度良く現像・画像形成がなされる。 - 特許庁

例文

A direction value image formation unit 14 forms a direction value image in which a direction value corresponding to the concentration gradient of a pixel included in the inspection region is the pixel value of each of the pixels.例文帳に追加

方向値画像生成部14は、検査領域に含まれる画素の濃度勾配に対応付けた方向値を各画素の画素値とする方向値画像を生成する。 - 特許庁


例文

To provide a glass production apparatus which can prevent bubble formation in a glass region near a platinum container without causing cost rise, and to provide a glass production method using the same.例文帳に追加

コスト高を招来させることなく、白金容器近傍のガラス領域において泡の発生を防止し得るガラス製造装置及びガラス製造方法を提供する。 - 特許庁

With the first opening 27 as an alignment mark, at least a third opening 102 corresponding to a second well formation region 4 is formed in the first film 18.例文帳に追加

第1開口27を位置合わせマークに用いて、第1の膜18に、第2のウェル形成領域4に対応した第3開口102を少なくとも形成する。 - 特許庁

On this occasion, the formation is carried out so that the distance between the opening and the neighboring active region can be varied by the width of the element isolation film pattern under the selected opening.例文帳に追加

この時、開口部とこれに隣接する活性領域との間の距離を選択された開口部の下の素子分離膜パターンの幅によって変えるように形成する。 - 特許庁

To provide a composite image formation system capable of separating a region of a hand-written element from an image read by a scan unit, even when the memory resource is not abundant.例文帳に追加

メモリ資源が潤沢でない場合であってもスキャンユニットで読み取った画像から手書き要素の領域を分割できる合成画像形成システムを提供する。 - 特許庁

例文

The flexible printed circuit substrate 90 is connected to a pad formation region 12 of a first substrate 10 used for various kinds of electrooptical devices with an anisotropic conductive material 95.例文帳に追加

各種電気光学装置に用いる第1基板10のパッド形成領域12に異方性導電材95によりフレキシブル配線基板90を接続する。 - 特許庁

例文

To reduce the influence of shutter voltage on a non-forming region of a light-receiving section than the formation area thereof, and to suppress failures due to the application of the shutter voltage as well.例文帳に追加

受光部の形成領域よりも受光部の非形成領域におけるシャッタ電圧の影響を低減し、シャッタ電圧の印加による不具合を抑制する。 - 特許庁

On the waveguide formation region 10, the top plates 20 are bonded and fixed and the end surface of the plane optical waveguide chip 1 and end surfaces of the top plates 20 are polished in one body.例文帳に追加

導波路形成領域10上に上板20を接着固定し、平面光導波路チップ1の端面と上板20の端面を一体的に研磨する。 - 特許庁

To provide a DC power cable for preventing the formation of a high local electric field region and the lowering of a breakdown voltage, even when a DC voltage is applied thereto.例文帳に追加

直流電圧を印加しても局所的な高電界領域の形成が防止され、破壊電圧低下の防止を実現しうる直流電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

By a rotary blade 10, a circuit board 1 and a sealing resin 2 resin-sealed by a batch formation method are cut altogether for each semiconductor chip loading region.例文帳に追加

回転ブレード10により、一括形成法により樹脂封止された回路基板1と封止樹脂2とを半導体チップ搭載領域ごとに一括で切断する。 - 特許庁

Simultaneously with formation of first layer aluminum interconnections 63B, 64B, a dummy pattern of aluminum layer is formed in a region where a beam part 2B and an etching liquid injection opening 72B are formed.例文帳に追加

1層目アルミ配線63B、64Bの形成と同時に、梁部2Bおよびエッチング液注入口72Bが形成される領域にアルミ層からなるダミーパターンを形成する。 - 特許庁

Then, the removed regions are backfilled with a single insulating material (f), and a hole is formed using etching in the plug formation scheduled region of the backfilled regions.例文帳に追加

次に、除去された領域を、単一の絶縁材料で埋め戻し(f)、埋め戻された領域のうちのプラグ形成予定領域に、エッチングを用いてホールを形成する。 - 特許庁

Thus, deflecting force F1 generated during formation of the reformed region 7a in the workpiece 1 can be released and canceled by the crack Cb.例文帳に追加

従って、加工対象物1において改質領域7aを形成する際に生じる反る力F1を、亀裂Cbによって解放して相殺することができる。 - 特許庁

To easily measure eccentricity quantity in a state of a transparent substrate immediately after formation in an optical disk whose groove interval in a data region is ≤0.6μm.例文帳に追加

データ領域におけるグルーブの間隔が0.6μm以下の光ディスクにおいて、成形直後の透明基板の状態で、容易に偏芯量を測定できるようにする。 - 特許庁

The determining part 433 determines whether a film formation state is right or wrong on the board, based on the region to be inspected and a distance from the outer peripheral end of the board 30.例文帳に追加

判定部433は、その検査対象領域と、基板30の外周端からの距離とに基づいて、前記基板における膜の形成状態の良否を判定する。 - 特許庁

During conducting of this process, an application type film formation apparatus is used which is provided with a gas blow nozzle 7 having the function of blowing gas composed of the air or nitrogen against a specified region.例文帳に追加

この処理を行うに際して、所定の領域に気体吹き付ける機能を持ったエアー又は窒素からなる気体ブローノズル7を具備する塗布型成膜装置を用いる。 - 特許庁

To provide a direct cylinder injection internal combustion engine allowing the formation of a relatively larger stratified mixture block with no lean mixture region left in a central portion.例文帳に追加

中央部に希薄な混合気領域が残されることのない比較的大きな成層混合気塊を形成可能な筒内直接噴射式内燃機関を提供する。 - 特許庁

At formation of the offset drain region 3 around the trench 2, the impurity ions are implanted only to the side face part of the trench 2 through oblique ion implantation.例文帳に追加

トレンチ溝2の周囲にオフセットドレイン領域3を形成するにあたり、斜めイオン注入によりトレンチ溝2の側面部分にのみ不純物イオンを注入する。 - 特許庁

In the element formation regions demarcated by the isolation 105, a diffusion layer region 111 is formed, and a diffusion layer electrode 113b is formed thereon.例文帳に追加

上記素子分離105により画成された素子形成領域には、拡散層領域111、その上部にシリサイドで構成された拡散層電極113bが形成されている。 - 特許庁

A recessed groove 54 extended vertically straightly and having depth shallower than that of the recessed part 53 is formed in the lateral part on each right and left side in a burner port formation region on the front face of the combustion plate 5.例文帳に追加

燃焼プレート5の前面の炎孔形成領域の左右各側の側部に、上下方向に真直にのびる、凹部53より深さが浅い凹溝54を形成する。 - 特許庁

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。 - 特許庁

As a result, formation of air bubbles of air and vapor that obstructs cooling having heat insulation effect in a region on an uppermost side of the cooling space is avoided with simplified means.例文帳に追加

結果として、冷却空間の最も上側の領域における、断熱効果を有して冷却を害する空気や蒸気の気泡の形成を簡単な手段で避ける。 - 特許庁

To improve characteristics of a plurality of ferroelectric capacitors formed in a memory cell region or the like of a semiconductor having a capacitor regardless of a position for formation.例文帳に追加

キャパシタを有する半導体装置に関し、メモリセル領域などに形成される複数の強誘電体キャパシタの特性を形成位置に関わらずに向上させること。 - 特許庁

By making the laser beam of the BD standard passing through the second region F2 not contribute to spot formation, an optical super resolution image is achieved by the BD standard.例文帳に追加

そして、第2領域F2を通過したBD規格のレーザー光をスポット形成に寄与させない事により、BD規格で光学的超解像を実現している。 - 特許庁

Further, on a region corresponding to a shield electrode formation position, a superposition amount between the pixel electrode 23 and the signal line 42 is made smaller than that in other regions.例文帳に追加

そして、シールド電極形成位置に対応する領域において、画素電極23と信号線42の重なり量が他の領域に比べて少なくされている。 - 特許庁

The semiconductor constitution body 6 is mounted only in a semiconductor device formation region where the first lower-layer wiring 2 is determined to be formed as expected.例文帳に追加

そして、この検査により、第1の下層配線2が所期の通り形成されていると判定された半導体装置形成領域のみに半導体構成体6を搭載する。 - 特許庁

In the piston 10 with such a constitution, preferably, the small groove 14 formed at the boot groove 12 may be formed over the whole periphery along the formation region of the booth groove 14.例文帳に追加

このような構成のピストン10では、ブーツ溝12に形成した小溝14は、ブーツ溝14の形成領域に沿って全周に亙って形成されることが望ましい。 - 特許庁

The transistor and the diode are formed on an insular formation region 26, which is separated by insulating with an insulating trench 25 on a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

そして、トランジスタ18及びダイオード20を、半導体基板21上において絶縁用トレンチ25により絶縁分離された島状の形成領域26に形成する。 - 特許庁

A second MIS transistor formed in a high-voltage transistor formation region B includes a gate insulating film 5 and a second gate electrode composed of a polycrystalline silicon film 9.例文帳に追加

高電圧系トランジスタ形成領域Bに形成された第2のMIS型トランジスタは、ゲート絶縁膜5と、多結晶シリコン膜9からなる第2のゲート電極とを含む。 - 特許庁

By adjusting the remaining film percentage of the photoresist pattern, a photolithography process can be provided which can secure the doping angle which enables the formation of an uneven doping region.例文帳に追加

フォトレジストパターンの残膜率を調節することによって、不均一なドーピング領域を形成できるドーピング角を確保するフォトリソグラフィー工程を提供できる。 - 特許庁

A transistor used as the switching element includes, in a channel formation region, a semiconductor having bandgap wider than silicon and an intrinsic carrier density lower than silicon.例文帳に追加

そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 - 特許庁

To provide a trypsin inhibitor capable of preventing or improving pancreatic inflammation and clot formation, and dermal inflammation or diaper rash in a surrounding region of excretory organs, or the like.例文帳に追加

膵臓炎症や血栓形成、排泄器官周辺部位における皮膚炎症やおむつかぶれなどを予防もしくは改善することができるトリプシン阻害剤の提供。 - 特許庁

A channel formation region of the first transistor is formed using an oxide semiconductor, while that of the second transistor is formed using silicon.例文帳に追加

第1のトランジスタはチャネル形成領域が酸化物半導体により形成され、第2のトランジスタはチャネル形成領域がシリコンにより形成されたものを用いることができる。 - 特許庁

The transistor has a channel formation region including a semiconductor with a wider bang gap and lower intrinsic carrier density than silicon semiconductor and has extremely small off current.例文帳に追加

上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。 - 特許庁

A semiconductor device includes a transistor having a buffer layer provided between a source electrode layer and a drain electrode layer, and a semiconductor layer forming a channel formation region.例文帳に追加

チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられたトランジスタを有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a particle ray irradiation apparatus which prevents a radiation dose-deficient region from being generated to allow formation of a precise distribution of radiation dose.例文帳に追加

本発明の課題は、線量不足の領域が発生してしまうことを防ぎつつ、精細な線量分布形成を可能とする粒子線照射装置を提供することにある。 - 特許庁

Even when the region inside the pixel 4, in which the vertical division line 34 is formed, is small, the variation of the electrical parameters of the pixel 4 due to the formation of the vertical division line 34 is reduced.例文帳に追加

画素4内の垂直分割線34を形成する領域が小さくても垂直分割線34の形成による画素4の電気的パラメータの変動を小さくできる。 - 特許庁

A transfer part 101 of the apparatus 1 for forming the thermal transfer image forms a dummy image 41 out of a re-transferring region 33 besides formation of a transferred image 35.例文帳に追加

熱転写画像形成装置1の転写部101は、転写画像35の形成とは別に、再転写領域33外において、ダミー画像41を形成する。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、pチャネル型MISFETをpMIS形成領域1Aに有し、nチャネル型MISFETをnMIS形成領域1Bに有する半導体装置の製造方法であって、HfON膜5上にAl膜8aを形成する工程と、Al膜上にTiリッチなTiN膜7aを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor device has: a semiconductor substrate; an element formation region having a semiconductor element formed on the semiconductor substrate; one or more embedded electrode plugs provided so as to penetrate through the semiconductor substrate; and a groove-type electrode embedded in a trench located in the semiconductor substrate between the element formation region and the embedded electrode plug.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された半導体素子を有する素子形成領域と、半導体基板を貫通するように設けられた1以上の埋め込み電極プラグと、素子形成領域と埋め込み電極プラグの間の半導体基板内に位置するトレンチ内に埋め込まれた溝型電極と、を有する半導体装置。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

MOS型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ge又はSiをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる2種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

After a first thermal-oxidation film 10 is formed by a first thermal process on a first transistor formation region, where a first MOS transistor of high threshold voltage is formed and a second transistor formation region where a second MOS transistor of low threshold voltage is formed, a CVD oxide film 11 is laminated over it.例文帳に追加

高しきい値電圧の第1MOSトランジスタを形成するための第1トランジスタ形成領域1と、低しきい値電圧の第2MOSトランジスタを形成するための第2トランジスタ形成領域2との上に、第1回目の熱処理を行なって第1の熱酸化膜10を形成した後、その上にCVD酸化膜11を積層する。 - 特許庁

In the diffraction grating layer 30, a diffraction grating formation region 31, in which an uneven diffraction grating 33 is formed, and a diffraction grating non-formation region 32, in which the diffraction grating 33 is not formed, are formed by turns periodically in a range affected by an evanescent field of the stimulated emission light, which is subjected to wave guide in the active layer 40.例文帳に追加

そして、回折格子層30において、活性層40を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子33が形成された回折格子形成領域31と、前記回折格子33が形成されていない回折格子非形成領域32とが、交互に周期的に形成されている。 - 特許庁

First and second light receiving elements receiving light from an image formation point with equal distance are used before and after image formation of converged light, each of the light receiving elements has a first light receiving region receiving a luminous flux of almost the center of a received laser beam and a second light receiving region receiving only light excluding a luminous flux of almost the center of a received laser beam.例文帳に追加

集光された光を結像前後で、結像点から等距離で受光する第1、第2の受光素子を用い、それぞれの受光素子は、受光するレーザー光の略中心の光束を受光する第1の受光領域と、受光するレーザー光の略中心の光束を含まない光のみを受光する第2の受光領域とを有する。 - 特許庁

The first gate electrode and the second gate electrode have tapered portions at their ends, and the first semiconductor layer has a first channel formation region, a pair of first impurity regions, and a pair of second impurity regions, and then the second semiconductor layer has a second channel formation region and a pair of third impurity regions.例文帳に追加

前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第1の半導体層は、第1のチャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、及び一対の第2の不純物領域を有し、前記第2の半導体層は、第2のチャネル形成領域、及び一対の第3の不純物領域を有する。 - 特許庁

例文

This semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 containing first conductivity type impurities and having an element formation region 170; gate electrodes 125 formed on the element formation region 170 by interposing gate insulation films 132; and source/drain regions 150 formed on both sides of the gate electrodes 125 and containing second conductivity type impurities.例文帳に追加

半導体装置は、第1導電型の不純物を含み、素子形成領域170を有する半導体基板101と、素子形成領域170上にゲート絶縁膜132を挟んで形成されたゲート電極125と、ゲート電極125の両側方に形成され、第2導電型の不純物を含むソース/ドレイン領域150とを備える。 - 特許庁




  
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