「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, the second metal film that lies in a wiring formation region to which the impurity elements should be added is left, while the second metal film that lies in a wiring formation region to which no impurity elements need to be added is partially removed (step S3).例文帳に追加

次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The IO cell is formed inside the formation region of an isosceles triangle, and the power supply track is disposed so as to extend along the base of the formation region of the isosceles triangle, from one side to the other side that is in contact with the base.例文帳に追加

ＩＯセルは、二等辺三角形の形成領域内に形成され、電源トラックが、二等辺三角形の形成領域の底辺に沿って、かつ、底辺に接する一方の辺から他方の辺まで延びるように配置されている。 - 特許庁

A gate width WD of drive transistors Q3, Q4, expressed by the width W11a of a drive transistor formation region 11a, is larger than a gate width WT of transfer transistors Q1, Q2 expressed by a width W11b of a transfer transistor formation region 11b.例文帳に追加

駆動トランジスタ形成領域１１ａの幅Ｗ_11aで表される駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4のゲート幅Ｗ_Dは、転送トランジスタ形成領域１１ｂの幅Ｗ_11bで表される転送トランジスタＱ_1、Ｑ_2のゲート幅Ｗ_Tよりも大きい。 - 特許庁

When the ceramic substrate 1 is bump-joined with the resin substrate 6, a BGA formation region is defined as a size range wherein the bump connection portion is not broken, and bumps are gathered only at a part of the ceramic substrate to form the BGA formation region.例文帳に追加

セラミック基板１を樹脂基板６にバンプ接合した際に、バンプ接続部の破壊が生じない寸法範囲をＢＧＡ形成領域とし、セラミック基板の一部にのみバンプを集めてＢＧＡ形成領域を形成する。 - 特許庁

Specifically, the resistive element 6 of the low side current control circuit is arranged on the proximity side to the formation region of the FET 4 and the transistors Tr3 and Tr4 configuring a current mirror circuit are arranged on the remote side of the formation region.例文帳に追加

具体的には、ＦＥＴ４の形成領域に対してロウサイド電流制御回路の抵抗素子６を近接側に配置し、カレントミラー回路を構成するトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４を上記形成領域の遠隔側に配置する。 - 特許庁

The adhesion sheet S is peeled to peel the adhesion sheet S in a state where the remaining edge portion W2 is bonded, from a formation region of the recessed portion W1a while dividing the formation region of the recessed portion W1a and the remaining edge portion W2.例文帳に追加

接着シートＳを剥離することで、凹部Ｗ１ａの形成領域と残存縁部Ｗ２とを分割しつつ、残存縁部Ｗ２が接着したままの接着シートＳを凹部Ｗ１ａ形成領域から剥離する。 - 特許庁

The dummy conductor pattern 12 is caused to prevent the formation region of the lead-out conductor pattern 7 from falling from the formation region of the main conductor pattern 5, and damages of the lead-out conductor pattern 7 caused by the falling can be avoided.例文帳に追加

ダミー導体パターン１２によって、メイン導体パターン５の形成領域に対する引き出し導体パターン７の形成領域の落ち込みが防止されて、その落ち込みに起因した引き出し導体パターン７の損傷を回避できる。 - 特許庁

Subsequently, an upper opening 13a as the top formation region of the gate electrode is made in the upper resist film 13, and a lower opening 12a as a leg-part formation region of the gate electrode is made in the lower resist film 12.例文帳に追加

続いて、上層レジスト膜１３にゲート電極の頂部形成領域となる上層開口部１３ａを形成すると共に、下層レジスト膜１２にゲート電極の脚部形成領域となる下層開口部１２ａを形成する。 - 特許庁

A side wall 6a is formed on lateral sides of a gate electrode 4 in a p-channel transistor formation scheduled region 51p by etching back an insulating film 6 while leaving a part which covers an n-channel transistor formation scheduled region 51n.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎを覆う部分を残しながら絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｐチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｐ内のゲート電極４の側方にサイドウォール６ａを形成する。 - 特許庁

Since the perimeter and bottom surface of the transistor 10, 20 formation region are surrounded with the STI2 and the barrier layer 7, effects to adjacent elements voltage fluctuation of the transistor 10, 20 formation region on an adjoining element when α ray enters are suppressed.例文帳に追加

トランジスタ１０、２０形成領域の周囲及び底面がＳＴＩ２及びバリア層７により囲まれるから、α線入射時のトランジスタ１０、２０形成領域の電圧変動が、隣接する素子へ及ぼす影響が抑制される。 - 特許庁

Along diagonals in the IC chip internal region 12, an element inhibition region 13 where the formation of the elements such as a transistor, a resistor and a capacitance is inhibited is provided.例文帳に追加

このＩＣチップ内部領域１２中の対角線に沿うように、トランジスタ、抵抗、容量等の素子の形成を禁止する素子禁止領域１３が設けられている。 - 特許庁

A female screw formation region D and a counter bore region E are formed on the inner face of a mounting hole 22 of the pulley mounting boss 21 supporting the idler pulley 61 of a belt driving system.例文帳に追加

ベルト駆動システムのアイドラプーリ６１を支持するプーリ取り付けボス２１の取付孔２２内面に雌ネジ形成領域Ｄとカウンタボア領域Ｅとを形成する。 - 特許庁

An n-type offset layer 20 is formed at the site that serves as an electric current path provided by a trench gate electrode 16 between a channel formation region 10 and a drain region 13.例文帳に追加

ｎ型のオフセット層２０が、チャネル形成領域１０とドレイン領域１３との間のトレンチゲート電極１６による電流経路となる部位に形成されている。 - 特許庁

By this, the surface tension of the peripheral region RP becomes lower than that of the central region RC before the complition of the formation of a liquid immersion state.例文帳に追加

これにより、液浸状態の完成前において、周縁領域ＲＰの表面張力が中央領域ＲＣの表面張力よりも低くなっている。 - 特許庁

It is also possible to simplify a manufacturing process by forming a channel formation region simultaneously with a low concentration side isolation layer, and an island lower region simultaneously with a high concentration side isolation layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を低濃度側分離層と、島下部領域を高濃度側分離層と同時に形成し、製造プロセスの簡単化を図ることもできる。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device in which both formation of a window region and resistance enhancement of a semiconductor layer corresponding to the window region are achieved with satisfactorily controlling impurities.例文帳に追加

窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

In the pixel formation region 4, an element isolation layer 12 protruded on the semiconductor substrate and an element isolation region 11 embedded in the substrate isolate elements from each other.例文帳に追加

画素形成領域４においては、半導体基板上に突出した素子分離層１２と基板内に埋め込まれた素子分離領域１１とが、素子間を分離する。 - 特許庁

To provide a means for improving the recognition rate of a semiconductor wafer such as an SOS wafer without narrowing a setting region of chip forming region for semiconductor chip formation.例文帳に追加

半導体チップを形成するチップ形成領域の設定領域を狭くすることなく、ＳＯＳウェハ等の半導体ウェハの認識率を向上させる手段を提供する。 - 特許庁

When a request for formation of image data 23 is accepted (S11), a character region 24 and an image region 25 are discriminated in the image data 23 by a discriminating means (S12).例文帳に追加

画像データ２３の形成の要求を受付けると（Ｓ１１）、判別手段により、画像データ２３の文字領域２４と画像領域２５とを判別する（Ｓ１２）。 - 特許庁

A P^+-type impurity introduction region 24 is formed in the upper surface of a substrate 80 including a part adjacent to a channel formation region at lower parts of gate structures 10 and 14.例文帳に追加

Ｐ^+型不純物導入領域２４は、ゲート構造１０，１４の下方のチャネル形成領域に隣接する部分を含んで、基板８０の上面内に形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 104 has a pattern with an aperture above at least the region 120 out of the element formation region 10HV as viewed from the top.例文帳に追加

ゲート電極１０４は、平面視したときに、素子形成領域１０ＨＶのうち少なくとも第１不純物領域１２０の上方に開口を有するパターンを有している。 - 特許庁

A region T1 where the thickness of the substrate is smallest and a region T2 provided with a stack ring 4 are made overlap each other in the radial direction by formation of the annular groove.例文帳に追加

リング状溝の形成によって該基板の厚みの最も薄くなっている領域T1と前記スタックリング4の設けられている領域T2が半径方向にオ−バ−ラップさせた。 - 特許庁

After a body region 320 and a source region 322 are formed, a BPSG film 326 is formed on the gates 308A, 308B followed by formation of a metal film 324.例文帳に追加

ボディ領域３２０とソース領域３２２とが形成された後、ゲート３０８Ａ、３０８Ｂ上にＢＰＳＧ膜３２６が形成され、金属膜３２４が形成される。 - 特許庁

With this structure, formation of the gate finger region in the groove narrows the gate finger region by which the number of effective transistor cells is increased.例文帳に追加

この構造では、ゲートフィンガー領域を溝内に形成することにより、ゲートフィンガー領域の幅を縮小することができ、その分有効トランジスタのセル数を増やすことができる。 - 特許庁

The element isolation region 108 is formed so that the flattened surface of the element isolation regions other than both electrode formation region is lower than the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

素子分離領域１０８は、両電極形成領域以外の素子分離領域の平坦化された表面が半導体基板１０１より低く形成されている。 - 特許庁

The light diffusion part 61 is provided in the range of light diffusion part formation 60 on the backside 23 so as to generate a correction region 71 and a peripheral region 72.例文帳に追加

光拡散部６１は、裏面２３上の光拡散部形成範囲６０内に、補正領域７１および周辺領域７２が生じるように設けられる。 - 特許庁

A holding member 19 is formed on a region outside the element formation region 12 in the protective layer 17, and the holding member 19 holds a bottom surface of a transparent member 21.例文帳に追加

保護層１７における素子形成領域１２の外側の領域の上には保持部材１９が形成され、透明部材２１は保持部材１９に下面を保持されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device has the reflection region at least corresponding to a reflection plate formation part in a unit pixel and the reflection region is driven with an in-plane switching mode and a normally white mode.例文帳に追加

単位画素内に少なくとも反射板の形成部に対応した反射領域を有し、前記反射領域が横方向電界モード、ノーマリホワイトで駆動される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and a polishing method wherein a device formation region on a semiconductor substrate in which region any transistor is formed prevents any scratch or any damage from occurring therein or thereon.例文帳に追加

半導体基板のトランジスタを形成する素子形成領域にスクラッチやダメージを発生させない半導体装置の製造方法及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the ESD protection element 4, a frame-like p well block region 11 in which the p well 2 is not formed is provided between a transistor formation region 8 and a guard ring 12.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子４においては、トランジスタ形成領域８とガードリング１２との間に、Ｐウエル２を形成しない枠状のＰウエルブロック領域１１を設ける。 - 特許庁

To provide a surface wave excitation plasma CVD device wherein the periphery of a workpiece substrate is a proper film formation region.例文帳に追加

被処理基板周辺を適正な成膜可能領域とする表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

Formation of wiring using such a method allows to form the wiring suited for each different region.例文帳に追加

これを用いて配線を形成することにより、異なる領域にそれぞれに適した配線を形成することが可能になる。 - 特許庁

To reduce leakage current by reducing defects in an element formation region in which memory cells of a nonvolatile memory are formed.例文帳に追加

不揮発性メモリのメモリセルが形成される素子形成領域内の欠陥を低減させ、リーク電流の低減を図る。 - 特許庁

To suppress the film formation of B compound at the inner wall of a nozzle disposed, in a high-temperature region inside a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、Ｂ化合物の膜の形成を抑えるようにする。 - 特許庁

To improve detection sensitivity without having to enlarge the region of diaphragm formation in a piezoresistance type pressure sensor.例文帳に追加

ピエゾ抵抗型圧力センサにおけるダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上を図る。 - 特許庁

The light shielding film 28 covers the region of the semiconductor layer where the stress distortion is generated by the formation of the contact 25.例文帳に追加

遮光膜２８は、コンタクト２５の形成により応力歪みが生じる半導体層の領域を覆うものである。 - 特許庁

An element useable as a TEG and a pad 8 for TEG are formed in the element formation region 50.例文帳に追加

そして、ＴＥＧとして利用可能な素子およびＴＥＧ用パッド８は、素子形成領域５０内に形成されている。 - 特許庁

A wiring 9 is provided at a circumference of the wiring formation inhibition region 7 on the top surface of the upper-layer insulator film 5.例文帳に追加

上層絶縁膜５の上面の配線形成禁止領域７の周囲には配線９が設けられている。 - 特許庁

In this case, fluorine is introduced by a low-acceleration voltage, that is, it is introduced shallowly from the upper surface of the channel formation planned region.例文帳に追加

このとき、フッ素は、低加速電圧で、すなわちチャネル形成予定領域の上側表面から浅く導入する。 - 特許庁

As a result, formation of a liquid-tight layer between a substrate opposed surface 50a and a flat region FP is prevented, without fail.例文帳に追加

その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 - 特許庁

A gate insulating film 33 in the memory cell formation region 25 is made thin, and its peripheral gate oxidation film 34 is made thick.例文帳に追加

メモリセル形成領域２５のゲート絶縁膜３３は薄く、その周辺のゲート酸化膜３４は厚く形成されている。 - 特許庁

After that, a gate insulating film, a gate electrode and the like are formed on an element formation region 29 and an element, such as a transistor, is formed.例文帳に追加

その後、素子形成領域２９に、ゲート絶縁膜、ゲート電極等を形成し、トランジスタ等の素子を作製する。 - 特許庁

To prevent the formation of deep slits, even when a contact hole is moved into a trench separation region due to deviation in alignment.例文帳に追加

コンタクト孔がアライメントずれによってトレンチ分離領域にかかった場合でも深いスリットができないようにする。 - 特許庁

At the charge and discharge repeating step D2, charge and discharge are repeated within the range of the film formation voltage region R.例文帳に追加

充放電繰り返し工程Ｄ２では，被膜形成電圧領域Ｒの範囲内で充電と放電とを繰り返す。 - 特許庁