「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device includes an MIS transistor which is formed in an FET formation region in a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００におけるＦＥＴ形成領域に形成されたＭＩＳトランジスタを備えている。 - 特許庁

A nitride film 3 is interposed between a layer insulation film 2 formed on an element formation region 1 and the pad film 4.例文帳に追加

素子形成領域１上に形成された層間絶縁膜２とパッド膜４との間に、窒化膜３を介在させる。 - 特許庁

A first nitride film 103 is formed in a first gate electrode formation region on the first oxide film 102.例文帳に追加

第１酸化膜１０２上における第１ゲート電極形成領域に第１窒化膜１０３が形成されている。 - 特許庁

In the same manner, a gate electrode 3a at the nMOS formation region is silicified fully by a prescribed amount of metal.例文帳に追加

そして、これと同様の手順でｎＭＯＳ形成領域のゲート電極３ａを所定量の金属でフルシリサイド化する。 - 特許庁

There, the photoresist film 18 is formed so as to partially overlap the protective film 17, at the bevel region of the wafer 1 for formation.例文帳に追加

この時、フォトレジスト膜１８の一部は、ウェハ１のベベル領域において保護膜１７上に重なるように形成する。 - 特許庁

The European Commission (1996g) states that this was due to the advance of the qualitative division of labor within the EU region as a result of the formation of a single market.例文帳に追加

これについて、European Commission（1996g）は、単一市場形成に伴って、域内で質的な分業が進んだためだとしている。 - 経済産業省

Thus the element formation region 11 is grounded through the conductor 38, avoiding an electric floatation state.例文帳に追加

これにより、素子形成領域１１は、導電体３８を介して接地され、電気的浮遊状態が回避されている。 - 特許庁

A channel formation region 12 in stripe structure of which a planar shape is band-like, an n^+-source region 13, an n^+-drain region 20, and a gate electrode, are formed on a top layer of n well layers on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板でのＮウェル層の表層部に、平面形状が帯状をなすストライプ構造のチャネル形成領域１２、Ｎ^＋ソース領域１３、Ｎ^＋ドレイン領域２０、ゲート電極が形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 130 has, at each of both ends, a high work function region 124 having a higher work function than any other region at least on a part of the border between the element formation region and element isolation film 200.例文帳に追加

ゲート電極１３０は、両端それぞれにおいて、素子形成領域と素子分離膜２００の境界上の少なくとも一部に、他の領域より仕事関数が高い高仕事関数領域１２４を有する。 - 特許庁

In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

A first thermal oxide film 109 is formed in a second bipolar transistor forming region A2 and a second MOSFET forming region B2 on a semiconductor substrate 100, and a second thermal oxide film 111 having film thickness different from that of the first thermal oxide film 109, in a first bipolar transistor formation region A1 and a first MOSFET formation region B1.例文帳に追加

半導体基板１００上の第２のバイポーラトランジスタ形成領域Ａ__2 と第２のＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｂ_2 とに第１の熱酸化膜１０９を形成し、第１のバイポーラトランジスタ形成領域Ａ_1 と第１のＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｂ_1 とに第１の熱酸化膜１０９とは膜厚の異なる第２の熱酸化膜１１１を形成する。 - 特許庁

In carrying out a salicide process, at least in a part of an exposure region of a semiconductor substrate surface other than an element formation region, a salicide block used as a mask preventing a silicide layer from being formed on the semiconductor substrate surface in the exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region is formed on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

サリサイド工程を行うに際し、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の少なくとも一部に、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の半導体基板表面にシリサイド層が形成されることを防止するマスクとなるサリサイドブロックを半導体基板表面上に形成する。 - 特許庁

After each gate electrode 14 and each gate insulating film 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and the ferroelectrics FET are formed, respectively, the formation of each source region 15 and each drain region 16 of the nMOSFET and the ferroelectrics FET and the formation of each source region 17 and each drain region 18 of the pMOSFET are carried out separately by ion implantation of impurities.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。 - 特許庁

The isolation separation trenches are formed so that each element formation region forming the dual-face electrode element includes a p-conductivity type semiconductor region and an n-conductivity type semiconductor region forming the pn column region, and the dual-face electrode elements are formed to use the p- or n-conductivity type semiconductor region as a drift region.例文帳に追加

そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がｐｎコラム領域を構成するｐ導電型半導体領域とｎ導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成し、両面電極素子がｐ導電型半導体領域又はｎ導電型半導体領域をドリフト領域とするようにした。 - 特許庁

A p-type well area 8 and an n-type collector region 6 are separately formed in a p-type element formation region 3a that is a portion of a p-type silicon layer 3 as a semiconductor layer, and an n-type emitter region 5 is formed at the surface side of the well region 8.例文帳に追加

半導体層たるｐ形シリコン層３の一部のｐ形の素子形成領域３ａ内に、ｐ形のウェル領域８とｎ形のコレクタ領域６とを離間して形成し、ｎ形のエミッタ領域５をウェル領域８の表面側に形成してある。 - 特許庁

Consequently, the region isolation film functions as a margin of a formation place for a gate, and formation places for the gate oxide film and gate of the MOS transistor for the high breakdown voltage can be fixed.例文帳に追加

これにより、領域分離膜がゲートの形成場所のマージンとして機能し、高耐圧用ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜とゲートの形成場所を固定することができる。 - 特許庁

The first internal electrode 20 has a main electrode portion 22 comprising a slit-like non-capacity formation region 28 and capacity formation regions 26a and 26b, and an extraction electrode portion 24.例文帳に追加

第１の内部電極２０は、スリット状の非容量形成領域２８と容量形成領域２６ａ、２６ｂとを含む主電極部分２２と、引き出し電極部分２４とを有する。 - 特許庁

To provide film formation treating equipment which can make effective ozone having oxidation effect come into contact effectively with a film formation region of a substrate, and realize miniaturization and cost reduction of equipment.例文帳に追加

酸化作用を有する有効なオゾンを効率よく基板の成膜領域に触れさせることができ、装置の小型化と低コスト化をはかることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁

To reduce bit line delay due to a wiring parasitic capacity in an SRAM in which an nMOS transistor formation region and a pMOS transistor formation region are arranged so as to be extended to the Same direction as a bit line.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ形成領域およびｐＭＯＳトランジスタ形成領域がそれぞれビット線と同じ方向に延在するように配置された構成を有するＳＲＡＭにおいて、配線寄生容量に起因したビット線遅延を低減させる。 - 特許庁

Each of the wafers has a chip formation region 110 on which a semiconductor chip is formed, and the outflow prevention structure 120 is formed so as to surround the chip formation region 110 and have an inlet 221 and a flow outlet 222 of resin.例文帳に追加

各ウエハは、半導体チップが形成されたチップ形成領域１１０を有し、流出防止構造体１２０は、チップ形成領域１１０を取り囲み且つ樹脂の注入口２２１及び流出口２２２を有するように形成される。 - 特許庁

Then, an inter-layer insulating film 6 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the inter-layer insulating film 6 is selectively etched thereafter, and a contact hole 7 is formed for respectively partially exposing a source formation region and a drain formation region.例文帳に追加

次に、半導体基板１の全面に層間絶縁膜６を形成し、その後当該層間絶縁膜６を選択的にエッチングし、ソース形成領域及びドレイン形成領域をそれぞれ一部露出させるコンタクトホール７を形成する。 - 特許庁

The first secondary coil 21 and first auxiliary coil 41 are each formed in a plate-like and annular shape, and a coil formation region of the first secondary coil 21 and a coil formation region of the first auxiliary coil 41 are disposed so as to superpose each other.例文帳に追加

第１の２次コイル２１と、第１の補助コイル４１とが、いずれも平板状かつ環状に形成されており、第１の２次コイル２１のコイル形成領域と、第１の補助コイル４１のコイル形成領域とが、重なるように配置されている。 - 特許庁

Also, parts between the adjacent second fins 4n in the nMIS formation region are completely filled by the gate electrode 6, and the parts between the adjacent first fins 4p of the pMIS formation region are filled by the gate electrode 6 and an insulating film formed in the upper layer.例文帳に追加

また、ゲート電極６でｎＭＩＳ形成領域の隣接する第２フィン４ｎ間を完全に埋め込み、ゲート電極６およびその上層に形成される絶縁膜でｐＭＩＳ形成領域の隣接する第１フィン４ｐ間を埋め込む。 - 特許庁

The internal stress generated in the channel formation region of the n-channel conductivity field-effect transistor is a tensile stress, and the internal stress generated in the channel formation region of the p-channel conductivity field-effect transistor is a compressive stress.例文帳に追加

前記ｎチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記ｐチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。 - 特許庁

To prevent unwanted pattern fragments remaining in a region, except for the formation region for a cylinder type stacked capacitor from causing various defects at its formation.例文帳に追加

シリンダ型スタックドキャパシタを形成する際に、その形成領域以外の領域に不要なパターン片が残存して種々の欠陥を発生させる原因となることを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The threshold voltage of a transistor can be changed by using stress of a thin film formed on a first semiconductor layer having a first channel formation region and a second semiconductor layer having a second channel formation region.例文帳に追加

第１のチャネル形成領域を有する第１の半導体層と、第２のチャネル形成領域を有する第２の半導体層に対して、それらの上に形成された薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を異ならせることができる。 - 特許庁

In a Schottky electrode formation region on a nitride semiconductor, the total length of a borderline where a Schottky electrode is in contact with a surface of a nitride semiconductor layer is formed to be longer than the outer periphery length of the Schottky electrode formation region.例文帳に追加

窒化物半導体上のショットキー電極形成領域において、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計が、前記ショットキー電極形成領域の外周長よりも長くなるように形成する。 - 特許庁

After forming gate structures 6a and 6b for which doped polysilicon film 4a and 4b TEOS oxide films 5a and 5b are laminated in a DRAM formation region and a logic formation region, impurity diffusion regions 7a1, 7a2 and 7b are formed in the respective regions.例文帳に追加

ドープトポリシリコン膜４ａ，４ｂ及びＴＥＯＳ酸化膜５ａ，５ｂが積層されたゲート構造６ａ，６ｂを、ＤＲＡＭ形成領域及びロジック形成領域に形成した後、不純物拡散領域７ａ１，７ａ２，７ｂを各領域に形成する。 - 特許庁

An exposure mask 26 for columnar electrode formation is configured of a light shielding section 26a as a section corresponding to a columnar electrode formation region, a transparent section 26b as the periphery of the light shielding section 26a, and a semi-transparent section 26c as the other region.例文帳に追加

柱状電極形成用露光マスク２６は、柱状電極形成領域に対応する部分を遮光部２６ａとされ、遮光部２６ａの周囲を透過部２６ｂとされ、それ以外の領域を半透過部２６ｃとされたものからなっている。 - 特許庁

Wiring 105 to be measured is placed at the center, and wiring width W, wiring interval S, wiring formation region X/Y, and data ratio D of wiring to be actually wired in the wiring formation region X×Y are variably changed so that the test pattern of wiring can be prepared.例文帳に追加

被測定配線１０５を中心に置き、配線幅Ｗ、配線間隔Ｓ、配線の形成領域Ｘ、Ｙ、配線形成領域Ｘ×Ｙに実際に配線される配線のデータ率Ｄを種々変えた配線のテストパターンを作成する。 - 特許庁

Two regions having different potential in a high breakdown voltage IC chip 10 (concretely speaking, a high breakdown voltage junction termination structure 23 and a GND reference circuit formation region 22 for surrounding a floating potential reference circuit formation region 21) are further surrounded by a trench structure 7.例文帳に追加

高耐圧ＩＣチップ１０内の電位が異なる２つの領域（具体的には浮遊電位基準回路形成領域２１を囲う高耐圧接合終端構造２３及びＧＮＤ基準回路形成領域２２）を、さらにトレンチ構造７で囲う。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Transistor elements Tr corresponding to each of the plurality of pixels PX are formed in a plurality of element formation regions 401, separated from one another by non-element formation regions 425, out of an image circuit formation region 10b overlapping with the image display region 10a on a TFT array substrate 10.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに重なる画素回路形成領域１０ｂのうち非素子形成領域４２５によって互いに隔てられた複数の素子形成領域４０１領域に、複数の画素ＰＸの夫々に対応するトランジスタ素子Ｔｒが形成されている。 - 特許庁

The film-formation treatment system for film-forming a substrate has the carrying region for carrying the substrate, the carrying means with a substrate putting-in/out means housing and putting out the substrate having the carrying region so as to be movable, and a plurality of film-formation units conducting the film formation of the substrate.例文帳に追加

基板を成膜するための成膜処理システムは、基板を搬送するための搬送領域と、搬送領域を移動可能に設置された搬送手段であって、基板の収容及び取り出しを行う基板出し入れ手段を備える搬送手段と、前記基板の成膜を行う複数の成膜ユニットと、を有する。 - 特許庁

In the second process, the resist layer 6 is leveled to generate a difference in exposure amount needed for insolubilization between the resist layer 6 on the pedestal formation region 1a and the resist layer 6 on the pedestal non-formation region 1b, and in the third process, exposure conditions of the exposure light are so set that the resist pattern is formed in the pedestal formation region 1a in the fourth process.例文帳に追加

そして、第２工程でレジスト層６を均すことにより、台座形成領域１ａ上のレジスト層６と台座非形成領域１ｂ上のレジスト層６との間に、不溶化するのに必要な露光量の差を生じさせ、第４工程にて台座形成領域１ａにレジストパターンが形成されるように、第３工程にて露光光の露光条件を設定する。 - 特許庁

In some embodiments, a growth substrate on which an n-type region, an active region, and a p-type region grow are removed, to facilitate formation of a photonic crystal in the n-type region of the device and to facilitate forming a reflector on the surface of a p-type region underlying the photonic crystal.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、ｎ型領域と、活性領域と、ｐ型領域とが成長する成長基板は、装置のｎ型領域に光結晶を形成することを容易にし、光結晶の下にあるｐ型領域の表面上に反射体を形成することを容易にするために除去される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the depth of an element isolation region is adjusted for each of different element formation regions such as a contact region, selective gate region, and memory cell region, for easy embedding of an insulating film for each element isolation region, resulting in improved reliability in electrical characteristics of element isolation regions.例文帳に追加

コンタクト領域、選択ゲート領域及びメモリセル領域等の異なる素子形成領域毎に素子分離領域の深さを調整して、素子分離領域毎に絶縁膜の埋め込みを容易にし、各素子分離領域の電気的特性の信頼性を向上する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the base unit structure of a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the doping concentration at a channel formation section 3c of the well region 3 is minimum at the top surface, and the doping concentration at the bottom of the well region 3 is the same in the lower part 3a of the source region 4 and the lower part 3b of the channel formation section 3c.例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの基本単位構造において、ウェル領域３のチャネル形成部３ｃのドーピング濃度は上面部で最小になり、ウェル領域３の底部のドーピング濃度はソース領域４の下の部分３ａとチャネル形成部３ｃの下の部分３ｂとで同じである。 - 特許庁

P^+ body contact regions 14 are intermittently formed in an extending direction of the channel formation region 12 within the channel formation region 12, and a connection with the n^+-source region 13 for a source electrode is performed between adjacent p^+ body contact regions 14 in an extending direction of the p^+ body contact regions 14.例文帳に追加

Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４が、チャネル形成領域１２内においてチャネル形成領域１２の延設方向に断続的に延設され、ソース電極についてのＮ^＋ソース領域１３との接続を、Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４の延設方向における隣り合うＰ^＋ボディコンタクト領域１４間において行っている。 - 特許庁

Such exceptions are allowed from the viewpoint of trade liberalization, on the condition that the formation of a customs union or free-trade areas and conclusion of the interim agreement concerning such formation should not have the purpose of raising barriers against trade between the nations within a region and the nations outside the region, but should have the purpose of facilitating trade within the region.例文帳に追加

それはあくまで関税同盟、自由貿易地域の設定及びそのための中間協定の締結の目的が、域内と域外国との貿易に対する障害を引上げることではなく、域内の貿易を容易にすることである場合に、貿易自由化の見地から例外的に認められているものである。 - 経済産業省

The illumination region LA which is superposed on the image formation area 448 has a rectangular shape with a longitudinal dimension X and a lateral dimension Y (X≤Y).例文帳に追加

これらの寸法α、β、Ａ、Ｂ、Ｘ、Ｙの間には、定数Ｃ（Ｃ＜Ａ≦Ｂ）を用いて、次式(１)〜(３)の関係が成立する。 - 特許庁

To prevent the increase of the junction leak resulting from the excess of the reaction between a source region and silicide caused by the formation of a local source line.例文帳に追加

ローカルソース線の形成で、ソース領域とシリサイド反応が過剰になってジャンクションリークが増大するのを防止する。 - 特許庁

To decrease an influence of a defective region involved in a formation of a trench type insulating film for separating an element on a semiconductor element.例文帳に追加

トレンチ型の素子分離用絶縁膜の形成に伴って生じる欠陥領域の半導体素子への影響を低減する。 - 特許庁

In addition, a metal wiring for erasing is provided in a lower side of the channel formation region so as to face the floating gate.例文帳に追加

さらに、チャネル形成領域の下側に、浮遊ゲートと対向する位置に消去用の金属配線を設けた構造とする。 - 特許庁

By the argon implantation process, the polysilicon film PF1 in the n-channel type MISFET formation region NTR is amorphized.例文帳に追加

このアルゴン注入工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１はアモルファス化する。 - 特許庁