例文 (999件) |
formation regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1711件
In an image processing unit, an image formation section has an image formation region setting section for setting an image formation region in which a significant image should be formed, and a correction execution section for correcting target image data indicating a target image to generate corrected image data indicating a corrected image that should be formed in the image formation region.例文帳に追加
画像処理装置は、画像形成部に、有意な画像が形成されるべき画像形成領域を設定する画像形成領域設定部と、対象画像を表す対象画像データを補正して、画像形成領域に形成されるべき補正済み画像を表す補正済み画像データを生成する補正実行部と、を備える。 - 特許庁
The formation of the high flow rate region 25 divides the reactor core fuel region 2 into low flow rate regions 26A and 26B.例文帳に追加
高流量領域25の形成によって炉心燃料領域2が2つの低流量領域26A,26Bに分割される。 - 特許庁
In a bipolar transistor 20 formation region, a collector region 22 is formed in the n-type semiconductor layer 14.例文帳に追加
また、バイポーラトランジスタ20が形成される領域においてはn型半導体層14内にコレクタ領域22が形成されている。 - 特許庁
Moreover, source and drain regions 31 and 32 of the J-FET element are formed simultaneously with the formation of an emitter region 30 in the region 28.例文帳に追加
更に、エミッタ領域30を形成すると同時的にJ−FET素子のソース・ドレイン領域31、32を形成する。 - 特許庁
Here, the impurity concentration of each impurity region is set higher receding from the channel formation region 102.例文帳に追加
この時、各不純物領域の不純物濃度はチャネル形成領域102から遠くなるほど高くなるように設けられる。 - 特許庁
A resist pattern 35a is formed in a region other than an opening formation region, and the core material film 31 is etched using the pattern as a mask.例文帳に追加
開口の形成領域以外の領域にレジストパターン35aを形成し、これをマスクに芯材膜31をエッチングする。 - 特許庁
The self-annealing formation in a preC region of HBV (hepatitis B virus) can be inhibited by the method for inhibiting the self-annealing formation.例文帳に追加
本発明のセルフアニーリング形成阻害方法は、例えば、HBVのpreC領域におけるセルフアニーリングの形成を阻害できる。 - 特許庁
The formation step of the functional thin film has a film formation step of self-integrally supplying molecules by chemical absorption to the region.例文帳に追加
機能性薄膜の形成工程は、前記領域に、化学吸着により分子を自己集積的に供給する成膜工程を有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that has high prevention effect of movement of electrons from a formation region of an output transistor to a formation region of other elements and is capable of preventing malfunction of the elements.例文帳に追加
出力トランジスタの形成領域から他の素子の形成領域への電子の移動を抑制する効果が高く、素子の誤動作を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
A resist pattern 53 for gates corresponding to a trench gate pattern is formed at the resist 49 of the cell formation region 3, and a dummy resist pattern 55 is formed in the resist 49 of the termination formation region 5.例文帳に追加
セル形成領域3のレジスト49にトレンチゲートパターンに対応するゲート用レジストパターン53を形成し、終端部形成領域5のレジスト49にダミーレジストパターン55を形成する。 - 特許庁
Using a photolithography technique and an etching technique, there is eliminated a laminate film formed in a low withstand voltage MISFET formation region and a high withstand voltage MISFET formation region.例文帳に追加
そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して、低耐圧MISFET形成領域および高耐圧MISFET形成領域に形成されている積層膜を除去する。 - 特許庁
A gate structure 6 and a low-concentration diffusion layer that becomes LDD regions 15, 21 are formed in a high breakdown voltage MOS transistor formation region and a high-drive MOS transistor formation region.例文帳に追加
高耐圧MOSトランジスタ形成領域と高駆動MOSトランジスタ形成領域とにゲート構造6と、LDD領域15,21となる低濃度拡散層を形成する。 - 特許庁
A semiconductor storage device comprises: a semiconductor film including a channel formation region; and a first insulation layer, a floating gate electrode, a second insulation layer, and a control gate electrode provided on the channel formation region of the semiconductor film.例文帳に追加
チャネル形成領域を有する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に、第1の絶縁層、浮遊ゲート電極、第2の絶縁層、制御ゲート電極を設ける。 - 特許庁
An LDMOSFET is formed in each of a driver stage LDMOSFET formation region 20A of an SOI substrate 20 and an output stage LDMOSFET formation region 20B.例文帳に追加
SOI基板20のドライバ段LDMOSFET形成領域20Aおよび出力段LDMOSFET形成領域20BのそれぞれにLDMOSFETが形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for which crystal defects are eliminated in an element formation region and the crystal defects are left in a part different from the element formation region, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加
素子形成領域では結晶欠陥を無くし、素子形成領域とは異なる部分で結晶欠陥を残存させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
An insulation film is so formed as to cover first gate electrodes on a memory cell section formation region, and then a second gate oxide film 9 is formed in a periphheral transistor formation region.例文帳に追加
メモリセル部形成領域上の第1のゲート電極4を被覆するように絶縁膜を形成した後、周辺トランジスタ形成領域に第2のゲート酸化膜9を形成する。 - 特許庁
Then resist R3 having the element formation region D1 opened is used as a mask to inject boron into the entire surface of the element formation region D1 to adjust the threshold voltage of an FET 20.例文帳に追加
その後、素子形成領域D1を開口したレジストR3をマスクとして、FET20のしきい値電圧を調整するために、素子形成領域D1の全面にボロンを注入する。 - 特許庁
Region parts of the embedded insulating films disposed in gate electrode formation expected regions are removed and the removed region parts are regarded as gate formation opening parts.例文帳に追加
そして、ゲート電極形成予定領域内に位置する埋め込み絶縁膜の領域部分を除去することによって、除去された領域部分をゲート形成用開口部とする。 - 特許庁
A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.例文帳に追加
モニター用マーク形成領域の下層配線層Maのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Maのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁
The potential gradient formation part 3 has a first potential gradient formation region forming a potential gradient decreasing along the second direction, and a second potential gradient formation region forming a potential gradient increasing along the second direction.例文帳に追加
電位勾配形成部3は、第2方向に沿って低くされた電位勾配を形成する第1電位勾配形成領域と、第2方向に沿って高くされた電位勾配を形成する第2電位勾配形成領域とを有する。 - 特許庁
In the semiconductor device regarding the trench 7 for composing the fixed potential insulating electrode 5, one end 71 of the trench is arranged outside the formation region of a gate region 9, and the other end 72 of the trench is arranged in the formation region of the gate region.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、固定電位絶縁電極5を構成するトレンチ7に関し、トレンチの一端71はゲート領域9の形成領域外に配置し、トレンチの他端72がゲート領域の形成領域内に配置されるようにする。 - 特許庁
The concentration of impurities in a channel formation region CH is inhibited to nearly the same as the conventional D-MOSFET, and at the same time a lower high-concentration region 34 where the concentration of impurities is higher than that of the channel formation region CH is provided at the lower section of a body region 36.例文帳に追加
チャネル形成領域CHの不純物濃度を従来のD−MOSFETと同程度に抑えつつ、不純物濃度がチャネル形成領域CHのそれより高い下部高濃度領域34をボディ領域36の下部に設けている。 - 特許庁
In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加
ディープトレンチ6に取り囲まれる素子形成領域9には、エピタキシャル層5の表層部に、P型のドレインバッファ領域10、ドレインコンタクト領域11およびドリフト領域12が形成されている。 - 特許庁
The electrode formation region Ra includes a first region R1 and a second region R2 which has a greater exposed area of the solar cell substrate 20 per unit area than that of the first region R1.例文帳に追加
電極形成領域Raは、第1領域R1と、第1領域R1よりも単位面積当たりにおける太陽電池基板20の露出面積が大きい第2領域R2とを含む。 - 特許庁
The feature of the invention is that a peeling prevention mark formation region AR2 is provided to surround a product identification mark formation region AR1, and a plurality of peeling prevention marks EMK are formed in the peeling prevention mark formation region AR2.例文帳に追加
本願発明における特徴は、製品識別用マーク形成領域AR1を囲むように剥離防止用マーク形成領域AR2が設けられており、この剥離防止用マーク形成領域AR2の内部に複数の剥離防止用マークEMKが形成されている点にある。 - 特許庁
An image processor accepts designation of a medium having a medium base including a first formation region in which an image is formed and at least one convex section including a second formation region and formed at the periphery of the medium base, and designation of image information to be formed in the second formation region.例文帳に追加
画像の形成を受ける第1形成領域を含む媒体基部と、第2形成領域を含み、媒体基部の外周部に少なくとも一つ設けられた凸部と、を有する媒体の指定と、第2形成領域に形成するべき画像情報の指定とを受け入れる。 - 特許庁
Gas that is chemically inert to a semiconductor wafer (4) is sprayed to an element formation region (7) of the semiconductor wafer (4), a probe needle (3) is brought into contact with the element formation region (7), and at the same time an electrical signal is received from the probe needle (3) to inspect the electrical characteristics of the element formation region (7).例文帳に追加
半導体ウエハ(4)に対して化学的に不活性なガスを半導体ウエハ(4)の素子形成領域(7)に吹き付け、素子形成領域(7)にプローブ針(3)を当接させと共に、プローブ針(3)から電気的信号を受信して素子形成領域(7)の電気的特性を検査する。 - 特許庁
A region for formation of runway form, which extends leading to the region for formation of the loop form of the metallic fine line 400, is secured, and this region for formation of runway form connects flatly with the surface of the inner lead 320, thus performing the bonding.例文帳に追加
このE,F点の経路を設けることにより、金属細線400のループ形状形成領域につながって延びる、滑走路形状形成用領域が確保され、この滑走路形状形成用領域がインナーリード320の表面にフラットに接続してボンディング接続される。 - 特許庁
The guard ring 5 passes through a guard ring bypass region 1w of the opposite side to the edge part 1y with respect to the pad formation region 12 and is not formed in the edge region 1z.例文帳に追加
ガードリング5は、パッド形成領域12に対して縁部1yとは反対側のガードリング迂回領域1wを通っており、縁領域1zには形成されていない。 - 特許庁
On the silicon substrate 1, a dummy region 5 is arranged adjacent to the element formation region 4 where an element is formed, and the nitride film is arranged in the dummy region 5.例文帳に追加
シリコン基板1において、素子を形成する領域である素子形成領域4に隣接する位置にダミー領域5を配置させ、このダミー領域5に窒化膜を配置する。 - 特許庁
To control leak current flowing through a substrate in formation of a contact hole in a boundary region between an active region and an element isolation region in the substrate.例文帳に追加
基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁
In a region of the sub-pixel region where the slits are positioned, an electrode non-formation region is provided where the second electrode is not formed opposite the first electrode.例文帳に追加
サブ画素領域におけるスリットが位置する領域には、第1の電極に対向して第2の電極が形成されない電極非形成領域が設けられている。 - 特許庁
In an in-layer lens formation region 402 including the photoelectric conversion region 400 and the peripheral region, a plurality of in-layer lenses are formed at constant pitches.例文帳に追加
光電変換領域400および上記周辺の領域を含む層内レンズ形成領域402に、一定のピッチで複数の層内レンズが形成されている。 - 特許庁
After that, a channel formation region, a source region, and a drain region can be formed with the use of the regions with different conductivities formed in the oxide semiconductor layer.例文帳に追加
その後、酸化物半導体層に形成された導電率が異なる領域を用いて、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 - 特許庁
An active region is partly etched for the formation of a cell trench region 61, and spacer shaped floating gates 65a are formed on the sidewalls of the cell trench region 61.例文帳に追加
活性領域の一部分をエッチングしてセルトレンチ領域61を形成し、このセルトレンチ領域61の側壁にスペーサ形態の浮遊ゲート65aを形成する。 - 特許庁
Furthermore, when a dicing region is diced, stress is hard to transmit up to the passivation film 120 on the circuit formation region due to existence of the opening part 123, and can be prevented from cracking in the circuit formation region.例文帳に追加
さらに、開口部123の存在により、ダイシング領域をダイシングする際の応力は回路形成領域上のパッシベーション膜120にまで伝り難く、回路形成領域にクラックが入ってしまうことを防止することができる。 - 特許庁
The semiconductor device 100 comprises: a substrate (a semiconductor substrate 1); an element isolation film 2 that is formed on the substrate and separates an element formation region 4 from the other region; and a semiconductor layer 3 formed on the substrate, in the element formation region 4.例文帳に追加
半導体装置100は、基板(半導体基板1)と、基板に形成され、素子形成領域4を他の領域と分離する素子分離膜2と、素子形成領域4にて基板上に形成された半導体層3と、を有する。 - 特許庁
An intermediate product 10 of a wiring board in the present invention comprises a core board and a build-up layer, and its planar structure is divided into a product formation region R1 and a region R2 outside products surrounding the product formation region R1.例文帳に追加
本発明の配線基板の中間製品10は、コア基板とビルドアップ層とを備え、その平面構造は製品形成領域R1と、この製品形成領域R1を取り囲む製品外領域R2とに区分されている。 - 特許庁
Each transistor formation region of an SOI layers 3 is separated by a partial oxide film 31, in which lower layer portion a well region is formed.例文帳に追加
SOI層3の各トランジスタ形成領域は下層部にウェル領域が形成される部分酸化膜31によって分離される。 - 特許庁
On the surface of a silicon substrate 1, an active region 3 as an islet-shaped element formation region is separated by an element isolation insulation film 2.例文帳に追加
シリコン基板1の表面は素子分離絶縁膜2により島状の素子形成領域である活性領域3に分離されている。 - 特許庁
In the region for absorbing noise charges, a P-N junction is formed simultaneously with the formation of a photodiode, and one end of the region is fixed to a power source voltage.例文帳に追加
ノイズ電荷吸収領域には、フォトダイオードと同時にPN接合が形成され、その一端が電源電圧に固定される。 - 特許庁
Therefore, the thickness of the film to be etched on the source line formation region 88 can be made the same as that on a region in which a storage element is formed.例文帳に追加
よってソース線形成領域88上の被エッチング膜の厚みは、記憶素子が形成される領域上のそれと同じになる。 - 特許庁
The pad 18 is inside a circuit formation region D1 of the semiconductor chip and is provided in a region that is not overlapped with the inductor 16.例文帳に追加
パッド18は、半導体チップの回路形成領域内D1であって、インダクタ16と重ならない領域に設けられている。 - 特許庁
The visible toner image is formed on a margin region of the paper, and the invisible toner image is formed on a normal image formation region of the paper.例文帳に追加
可視トナー像は用紙の余白領域に形成され、不可視トナー像は用紙の通常の画像形成領域に形成される。 - 特許庁
A source and drain region 12SD and a formation region of the gate electrode 141 in the oxide semiconductor layer 12 are spaced apart from each other.例文帳に追加
酸化物半導体層12におけるソース・ドレイン領域12SDとゲート電極141の形成領域とは、互いに離隔している。 - 特許庁
Further, the transistor may have a source or drain formed in the region where the semiconductor film is deformed in addition to the channel formation region.例文帳に追加
また上記トランジスタは、チャネル形成領域に加え、ソースまたはドレインが半導体膜の歪んでいる領域に形成されていても良い。 - 特許庁
To provide a resin window panel which prevents the formation of a trace of liquid coating agent flowing-in in a window part region.例文帳に追加
液状コーティング剤の流れ込みの跡が窓部領域に形成されるのを防止する。 - 特許庁
The one end 40a of the leaf spring 40 is fixed to the formation region of the orifice passage 34.例文帳に追加
板ばね40の一方端部40aは、オリフィス通路34の形成領域に固定されている。 - 特許庁
IMAGE PROCESSOR SUITABLE FOR REPRODUCING FACE REGION, IMAGE FORMATION APPARATUS, IMAGE PROCESSING METHOD AND PROGRAM例文帳に追加
顔領域の再現に好適な画像処理装置、画像形成装置、画像処理方法、およびプログラム - 特許庁
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