「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

When the voltage of the battery reaches a lower limit voltage VL of the film formation voltage region R, discharge is stopped, and charge is started.例文帳に追加

そして，被膜形成電圧領域Ｒの下限電圧ＶＬに達したら，放電を停止するとともに，充電を開始する。 - 特許庁

To provide a line sensor which is enabled to read out more optically generated charge in a photo diode formation region.例文帳に追加

フォトダイオード形成領域に発生した光発生電荷をより多く読み出すことができるようにしたラインセンサを提供する。 - 特許庁

The substrate 30 has a plurality of salients 32 in a resistive-element formation region 40 including the plurality of resistive elements 10.例文帳に追加

基板３０は、複数の抵抗素子１０を有する抵抗素子形成領域４０において複数の凸部３２を有している。 - 特許庁

Thus, the polysilicon film 86 and the polysilicon film which is a control gate can be laminated on the source line formation region 88.例文帳に追加

このため、ソース線形成領域８８上には、ポリシリコン膜８６とコントロールゲートとなるポリシリコン膜とが積層されることになる。 - 特許庁

A gate electrode 5a of the memory transistor TR1 is formed on an A plane and a B plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ１のゲート電極５ａが素子形成領域１００の側面のＡ面及びＢ面に形成される。 - 特許庁

A mask 4 for active region formation is formed in a part on an Si layer 2 via a thermal oxide film 3.例文帳に追加

半導体領域となるＳｉ層２の上の一部に、熱酸化膜３を介して活性領域形成用マスク４を形成する。 - 特許庁

To suppress breakage of a vibrator formation region of a wafer when piezoelectric vibrators such as crystal vibrators are made of the wafer.例文帳に追加

ウエハから水晶振動子などの圧電振動子を製造するにあたり、ウエハの振動子形成領域の破損を抑えること。 - 特許庁

The rear side of the semiconductor substrate 2 is covered for forming a protective layer 12 having the opening in a sidewall electrode formation region.例文帳に追加

次に、半導体基板２の裏面側を被覆し、側壁電極形成領域に開口部を有する保護層１２を形成する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of improving reproducibility of a low-concentration region, and an image formation supporting apparatus.例文帳に追加

低濃度領域の再現性を向上させることができる画像形成装置及び画像形成支援装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, liquid adhesive 38 is applied on the electrode formation region, then the oscillator 10 and relay substrate 30 are superposed.例文帳に追加

その後、電極形成範囲に液状接着剤３８を塗布し、振動子１０および中継基板３０を重ね合わせる。 - 特許庁

Phosphorus is diffused selectively into the polysilicon layer 12 as a whole, in a region for the formation of a split gate type flash EEPROM cell (MC).例文帳に追加

そして、スプリットゲート型フラッシュEEPROMセル（ＭＣ）の形成領域における、ポリシリコン層１２の全体に選択的にリンを拡散する。 - 特許庁

A mask material 4 is first formed on a p^- semiconductor substrate 3 so that a variable capacitance diode formation region is opened.例文帳に追加

まず、ｐ^-半導体基板３上に可変容量ダイオード形成領域上が開口するようにマスク材料４を形成する。 - 特許庁

After a circuit element is formed on a principal surface of a semiconductor substrate, a plurality of recesses 3 are formed in an electrode formation scheduled region.例文帳に追加

半導体基板の主面に回路素子を形成した後、電極形成予定領域に複数の凹部３を形成する。 - 特許庁

Liquid-shedding and gelatinous first ink droplets I1 are arranged in a region other than pixel electrodes 10 on a circuit formation layer Sb.例文帳に追加

回路形成層Ｓｂ上の画素電極１０以外の領域に、撥液性で且つゲル状の第１インク滴Ｉ１を配置した。 - 特許庁

A gate electrode 12 for NMOS formed of an electrode material 34 for NMOS is formed at the NMOS formation region 8.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域８には、ＮＭＯＳ用電極材料３４からなるＮＭＯＳ用ゲート電極１２を形成する。 - 特許庁

The color filter pattern 31 of the first color having an arrangement that surrounds a pattern non-formation region is formed on a substrate 1 to be treated.例文帳に追加

被処理基板１上に、パターン非形成領域を取り囲む配置をもつ１色目のカラーフィルタパターン３１を形成する。 - 特許庁

Further, when the rear end of the image formation region reaches the development section 41a, the V2 is turned off and the V3 is turned off y/v later.例文帳に追加

また、画像形成領域の後端が現像部４１ａに到達したときにＶ２をオフし、ｙ／ｖ経過後にＶ３をオフする。 - 特許庁

In a region Z2 of an LDMOS, which is different from a formation region Z1 of an IGBT inside a chip, a P-type well region 13 and an N+-type impurity diffusion regions 14, 15 are formed in a surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

チップ内でのＩＧＢＴの形成領域Ｚ１とは異なるＬＤＭＯＳの領域Ｚ２において、エピタキシャル層３の表層部にＰ型ウエル領域１３およびＮ^+ 型不純物拡散領域１４，１５が形成されている。 - 特許庁

An active region 6 for specifying a transistor formation region is formed on the upper part of an Si substrate 1, and trenches 2 are formed in the part of the substrate 1 so as to split the region 6 into a plurality of active regions 6a to 6f.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上部に、トランジスタの形成領域を規定する活性領域６を形成し、活性領域６を複数の活性領域６ａ〜６ｆに分割するように、Ｓｉ基板１の部分にトレンチ２を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a light shielding film 11A is arranged to cover a non-pattern formation region 51 which is in a region between the pixel region 10P and the perpendicular driving circuit 40 and in which the gate line GL and the sustaining capacity line SC are not formed.例文帳に追加

そして、画素領域１０Ｐと垂直駆動回路４０の間の領域であって、ゲート線ＧＬ及び保持容量線ＳＣが形成されていない非パターン形成領域５１を覆う遮光膜１１Ａが配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device having an island semiconductor film which is to be a channel formation region, and a semiconductor film which contacts a side of the island semiconductor film and is to be a source region or a drain region and a preparing method of the same are provided.例文帳に追加

本発明は、チャネル形成領域となる島状半導体膜と、前記島状半導体膜の側面に接し、ソース領域又はドレイン領域となる半導体膜を有する半導体装置及びその作製方法に関する。 - 特許庁

On the outer peripheral surface of the dielectric layer 13, an insulating layer 16 having an electric insulation property is formed in a region nearby an anode terminal 3, and the first cathode layer 14 is formed in a region different from the formation region of the insulating layer 16.例文帳に追加

誘電体層13の外周面には、陽極端子３の近傍領域に、電気絶縁性を有する絶縁層16が形成され、第１陰極層14は、絶縁層16の形成領域とは異なる領域に形成されている。 - 特許庁

Then the colored parts 31A to 35A present in the pixel formation region 54 are left as pixel parts 51 to 53, colored parts 34A and 35A present in the gap region 55 are removed, and a light shield part 50 is formed in the gap region 55.例文帳に追加

次に画素形成領域５４に存在する着色部３１Ａ〜３３Ａを画素部５１〜５３として残して、間隙領域５５に存在する着色部３４Ａ，３５Ａを除去し、間隙領域５５に遮光部５０を形成する。 - 特許庁

Ni is introduced to the growth source region 1, and heat treatment is carried out at a temperature of 550 to 650°C, thus allowing a crystal grain generated in the growth source region 1 to be subjected to crystal growth to the element formation region 2 via the path 3.例文帳に追加

成長源領域１にＮｉを導入した後、５５０〜６５０℃の温度で熱処理を施すと、成長源領域１で発生した結晶粒が経路３を経由して素子形成領域２まで結晶成長する。 - 特許庁

A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁

The NiSi layer 110 is provided to be contacted with the element formation surface; and made up of a NiSi region 111 substantially not containing nitrogen and a nitride region 117 provided to be contacted with the upper part of the NiSi region 111, and containing nitrogen.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層１１０は、素子形成面に接して設けられ、窒素を実質的に含まないＮｉＳｉ領域１１１と、ＮｉＳｉ領域１１１の上部に接して設けられ、窒素を含む窒化領域１１７と、からなる。 - 特許庁

To realize a method of forming a grooved element isolation region which surely enables formation, with higher accuracy and on the self-alignment basis, of a grooved element isolation region having the region including impurity only at the upper part of the sidewall of the groove.例文帳に追加

溝部の側壁の上部にのみ不純物含有領域を有する溝型素子分離領域を確実に且つ高い精度で、しかも自己整合的に形成すること可能とする溝型素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily arranging a dummy pattern relative to a conventional one, and preventing an interlayer insulation film from being thinned in a formation region of a semiconductor chip adjacent to a scribe region.例文帳に追加

従来よりも簡単にダミーパターンを配置し、スクライブ領域に隣接した半導体チップの形成領域において、層間絶縁膜が薄くなるのを抑制する方法を提供する。 - 特許庁

A first well 210 is formed in the first element forming region 12 using a first mask pattern, and a second well 410 is formed in the second element formation region 13 using a second mask pattern.例文帳に追加

第１マスクパターンを用いて第１素子形成領域１２に第１ウェル２１０を形成し、第２マスクパターンを用いて第２素子形成領域１３に第２ウェル４１０を形成する。 - 特許庁

After parts except the pit region part 13 are masked and a surface treatment by a fluorine processing agent is executed only at the pit region part 13, dyestuff application by a spin coat (formation made of a recording film) is executed.例文帳に追加

ピット領域部１３以外の部分をマスクし、ピット部領域１３にのみフッ素加工剤による表面処理を施した後、スピンコートにより色素塗布（記録膜の形成）を行った。 - 特許庁

To provide substrate treating apparatus capable of surely removing contaminant from the peripheral region of the surface of a substrate, without affecting a device formation region on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

After that, by means of lithography using the chemical amplification resist, a resist pattern 10a with an opening in a trench formation region including the region where the via-hole 8 is formed, is formed.例文帳に追加

その後、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、ビアホ−ル８が形成された領域を含むトレンチ形成領域に開口部を持つレジストパターン１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, the storage density of which is increased by optimizing a contact hole formation region in a backing region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

裏打ち領域におけるコンタクトホール形成領域を最適化することにより、記憶密度が向上された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a substrate (for example, a P-type semiconductor substrate 3) and an element isolation region 2 isolating an element formation region 1 formed on the substrate from other regions.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（例えば、Ｐ型半導体基板３）と、基板に形成され素子形成領域１を他の領域と分離する素子分離領域２と、を有している。 - 特許庁

The first semiconductor region is located adjacent to a second semiconductor region that has second type formation and a second refractive index that is different from the first refractive index.例文帳に追加

第１の半導体領域は、第２の型の形態と、第１の屈折率とは異なった第２の屈折率とを有する第２の半導体領域に隣接して位置付けされている。 - 特許庁

In the X-ray inspection device, an inner region setting section 31b sets a region inside the edge section of the can for an X-ray image created by an image formation section 31a.例文帳に追加

Ｘ線検査装置１０では、画像形成部３１ａによって作成されたＸ線画像について、内部領域設定部３１ｂが缶の縁部分よりも内側の領域を設定する。 - 特許庁

While the trade volume started to increase within the region in the late 1950s, the formation of the European Economic Community (EEC) facilitated the unification of the markets within the region and enhanced the division of labor as well.例文帳に追加

また、1950 年代後半より域内の貿易量は増加していたが欧州経済共同体（EEC）が成立し域内市場が統一されたことで域内での分業体制が強化された。 - 経済産業省

Thereafter, a gate electrode 5 of rich silicon state is formed in the nMOS region and a gate electrode 6 of rich Ni state is formed in the pMOS region by conducting the annealing process through formation of a mask layer 4 only to the pMOS region and silicon ion implantation only to the nMOS region.例文帳に追加

その後、ｐＭＯＳ領域のみにマスク層４を形成して、ｎＭＯＳ領域のみにシリコンをイオン注入し、アニール処理することにより、ｎＭＯＳ領域にはシリコンリッチ状態のゲート電極５を、ｐＭＯＳ領域にはＮｉリッチ状態のゲート電極６を形成する。 - 特許庁

Consequently, a punch through stopper region 4 is formed in a region for forming a submicron CMOS transistor while preventing formation of the punch through stopper region in a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

それによって、サブミクロンＣＭＯＳトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域４を形成するとともに、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。 - 特許庁

The sheet material (20) is provided with a sound transmission restricting means for setting apparent density to 0.5g/cm^3 or less in a region corresponding to the engaging-element-formation region (B) or the non-sewing region (D), or for forming a through-hole (21), for example, in the same region.例文帳に追加

同シート材（２０）は、少なくとも前記係合素子形成領域（Ｂ） 又は非縫着領域（Ｄ） に対応する領域を、例えば見掛け密度を０．５ｇ／ｃｍ^３ 以下としたり、同領域に例えば貫通孔（２１）を形成するなどの音の伝達抑制手段を設ける。 - 特許庁

A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加

Ｐ基板１３の上面内部に第１分離領域１４及び第２分離領域８を形成し、第１分離領域１４内にソース５ｃ、チャネル１５及びドレイン５ｂを形成してその上部にゲート５ａを配置することによりＮＭＯＳＦＥＴ５を形成する。 - 特許庁

By using SiO2 targets 8-1 to 8-4 containing Ge of a same compsn. for the formation of the core region 3 and clad region 2, 4, the Ge contents of the core region 3 and of the clad region 2, 4 can be controlled to match with each other with high accuracy.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４の形成に用いるＧｅを含有するＳｉＯ_2 ターゲット８−１〜８−４として同一組成のものを用いれば容易にコア領域３とクラッド領域２、４におけるＧｅの含有量を高精度で一致させることができる。 - 特許庁

An air flow of an air knife is supplied so that the carrier liquid removed from a liquid developer agent layer for forming a developed toner image is moved toward a non-image formation region provided at the longitudinal direction outside of an image formation region of an image carrier.例文帳に追加

エアナイフのエア流は、現像されたトナー像を形成する液体現像剤層中から除去したキャリア液が画像担持体の画像形成領域よりも長手方向の外側に設けられる非画像形成領域に向かって移動するように供給される。 - 特許庁

The silicon nitride film 21 as a hydrogen-containing film is formed by means of plasma CVD method on the entire surface of a substrate including the formation region of the light receiving part 2 and a low temperature annealing is then selectively performed and the silicon nitride film 21 in the formation region of the light receiving part 2 is then removed.例文帳に追加

受光部２の形成領域を含む基板全面に水素含有膜としてのシリコン窒化膜２１をプラズマＣＶＤ法によって成膜した後、低温アニールを行い、その後、受光部２の形成領域にあるシリコン窒化膜２１を選択的に除去する。 - 特許庁

The activated argon (Ar) gas 60 serving as a first gas is applied to the resin layer formation target region by guidance of a nozzle 36, and a second gas 70 containing ≥40 vol% of oxygen is applied to the resin layer formation target region by guidance of a gas nozzle 37.例文帳に追加

第１のガスである活性化させたアルゴン（Ａｒ）ガス６０をノズル３６の誘導により樹脂層形成予定領域にあてるとともに、酸素を４０体積％以上含む第２のガス７０をガスノズル３７の誘導により樹脂層形成予定領域にあてる。 - 特許庁