「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A radiation source includes a chamber, a fuel supply configured to supply a fuel to a plasma formation region in the chamber, and a laser configured to emit a radiation beam to the plasma formation region so that plasma for emitting extreme ultraviolet radiation is generated when the radiation beam impacts the fuel.例文帳に追加

放射ソースは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ形成部位に燃料を供給するように構成された燃料供給と、放射ビームが燃料と衝突した場合に極端紫外線を放つプラズマが生成されるようにプラズマ形成部位に放射ビームを放つように構成されたレーザとを含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a channel formation region, a charge holding layer, and a tunnel insulating film provided between the channel formation region and charge holding layer and containing silicon particles each having a first nitride-containing layer on a surface.例文帳に追加

チャネル形成領域と、電荷保持層と、前記チャネル形成領域と前記電荷保持層との間に設けられ、表面に第１の窒素含有層を有するシリコン粒を含むトンネル絶縁膜と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

This method is used for cleaning a liquid injection device including an injection head having an injection surface including a first nozzle formation region where a first nozzle capable of injecting a first liquid is formed, and a second nozzle formation region where a second nozzle capable of injecting a second liquid is formed.例文帳に追加

第１液体を噴射可能な第１ノズルが形成される第１ノズル形成領域、及び第２液体を噴射可能な第２ノズルが形成される第２ノズル形成領域を含む噴射面を有する噴射ヘッドを備える液体噴射装置のクリーニング方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high quality in which an IGBT type formation region and a formation region for a control circuit thereof etc., are separated by a PN junction separating method, a leakage current from an IGBT is not generated, and a CMOS transistor such as the control circuit never latches up and so on.例文帳に追加

ＩＧＢＴ形成領域とその制御回路等形成領域とをＰＮ接合分離法で分離し、且つＩＧＢＴからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のＣＭＯＳトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。 - 特許庁

In the test pattern, a first region where the formation density of first dots is higher than that of second dots, and a second region where the formation density of second dots is higher than of the first dots are mixed in main and sub-scanning directions.例文帳に追加

このテストパターンは、第１のドットの形成密度が第２のドットの形成密度よりも高い第１の領域と、第２のドットの形成密度が第１のドットの形成密度よりも高い第２の領域とが、主走査方向および副走査方向に混在するテストパターンである。 - 特許庁

An oral cavity organizer for a robot comprises an oral cavity formation part which is formed in a shape of a bag having flexibility and elasticity and can be put on and taken off easily in an oral region, and a tongue-shaped hollow protruding portion which is formed integrally with the oral cavity formation part and covers a false tongue mechanism part arranged in the oral region.例文帳に追加

可撓性及び伸縮性を有する袋状に形成され口部に着脱自在に装着される口腔形成部と、口腔形成部と一体に形成され口部に配設される疑似舌機構部に覆設される舌状中空突起部と、を備えている。 - 特許庁

A polycrystalline semiconductor film is formed and thereafter, rare gas element ions are selectively implanted, in only the channel formation region of the semiconductor film and the regions in the vicinity of the channel formation region and in such a way, that the center of the range of charged particles in the ions is positioned from the interface under the lower side of the semiconductor film to be within a distance of 10 nm ±10 nm.例文帳に追加

多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜のチャネル形成領域およびその近傍領域にのみ選択的に、また、飛程中心が該半導体膜の下側界面から１０ｎｍ±１０ｎｍ内になるよう注入する。 - 特許庁

The developing roller is manufactured by injection molding a resin composition into a mold provided with the unevenness at least at a part corresponding to an image formation region part, wherein the surface roughness (Ra: arithmetic mean roughness) of the developing roller in the image formation region part is 0.5 to 5.0 μm.例文帳に追加

樹脂組成物を少なくとも画像形成領域部に対応する部分に凹凸を設けた金型に射出成形することにより現像ローラを製造し、画像形成領域部の現像ローラの表面粗さ（Ｒａ：算術平均粗さ）が、０．５〜５．０μｍであることを特徴とする現像ローラ。 - 特許庁

A fifth oxide film which is a thick oxide film is formed in a front side of the semiconductor substrate 10 in a scheduled region of thick oxide film formation, and a sixth oxide film which is a thin oxide film is formed in a front side of the semiconductor substrate 10 in a scheduled region of thin oxide film formation.例文帳に追加

そして、厚い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面側に厚い酸化膜である第５酸化膜２４を形成し、薄い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面側に薄い酸化膜である第６酸化膜２６を形成する。 - 特許庁

Then, the control part 11 of the terminal equipment secures a region for storing the IP address of the image formation apparatus 20 as the output of a job in the RAM of a control part 11, and changes the storage content of the region to the IP address of the image formation apparatus 20 installed in the neighborhood of the specified position of the movement destination.例文帳に追加

続いて、ジョブの出力となる画像形成装置２０のＩＰアドレスを格納する領域を制御部１１のＲＡＭに確保し、その領域の記憶内容を特定した移動先の位置の近傍に設置された画像形成装置２０のＩＰアドレスへと切り替える。 - 特許庁

This hard mask is constituted by overlapping a first hard mask 32 formed in a direction parallel to an element formation region 17 with a second hard mask 34 formed in a direction intersecting the element formation region 17, these hard masks being manufactured at the other lithography steps, respectively.例文帳に追加

このハードマスクはそれぞれ別のフォトリソグラフィ工程により作製され、素子形成領域１７と平行な方向に形成された第１のハードマスク３２と、素子形成領域１７と交差する方向に形成された第２のハードマスク３４との重ね合わせで構成されている。 - 特許庁

A slit 16 which serves such that a deformation produced in a formation region of the hole part 8 on assembling the housing 2 does not affect the attachment region of the metal piece 12 is formed on the front housing 3.例文帳に追加

筐体２の組付けの際に孔部８の形成領域に生じる変形が、金属片１２の取付領域には及ばないようにするスリット１６が、フロント筐体３に形成されている。 - 特許庁

For example, the top height of the metal projections 19-22 gradually becomes lower, for example in every 0.5-1 μm from a peripheral region of the corner section region on the semiconductor device formation plane toward a corner section.例文帳に追加

例えば半導体素子形成平面の角部領域の周辺領域から角部に向かって金属突起１９〜２２の登頂高さが例えば０．５ｕｍ〜１ｕｍ刻みで徐々に低くなる。 - 特許庁

To provide a producing method of a trench isolation structure which prevents the formation of a divot in a trench element isolation region and, further, capable of more effectively suppressing the generation of voids in the trench element isolation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域にディボットが生成されることを防止し、さらにトレンチ領域内のボイド発生をより効果的に抑制できるトレンチ分離構造の作成方法を提供する。 - 特許庁

To offer an imaging device and an imaging method which can easily confirm a saturation region in a photographing image, and can easily control formation of the saturation region according to user's preference.例文帳に追加

撮像画像内に形成される飽和領域が容易に確認でき、ユーザの好みに応じて当該飽和領域の形成を容易に制御可能な撮像装置及び撮像方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore a passage, in which heat is dissipated through the element isolation region 6 and the embedded conductor 9 by the semiconductor device formed in the element formation region 5a from the backside, is formed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域５ａに形成した半導体素子が発生する熱を素子分離領域６を介して埋め込み導体９により裏面側に放熱させる経路を形成する。 - 特許庁

A first conducting layer 205 is formed on the whole surface of a semiconductor substrate 201, the layer 205 is made to remain on an alignment mark formation region and storage electrodes 205 are formed on a memory cell region.例文帳に追加

半導体基板２０１の全面に第１の導電層２０５を形成し、位置合わせマーク形成領域に第１の導電層２０５を残存させ、メモリセル領域に蓄積電極２０５を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which a frame region can be narrowed by employing multi-layer wiring and also formation of wiring coupling and induction of carriers in an LDD region can be eliminated.例文帳に追加

液晶表示装置において、多層配線化による額縁領域の狭小化を実現すると同時に、配線カップリングの形成やＬＤＤ領域のキャリアの誘起を解消可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including, in an area under a channel region, a crystal layer for generating distortion to improve charge mobility in a channel region and controlling formation of a leak current route.例文帳に追加

電荷移動度を向上させる歪みをチャネル領域に発生させる結晶層をチャネル領域下に有し、かつリーク電流経路が形成されることを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A SOI substrate 2 where a semiconductor layer 5 is formed through a silicon oxide film 4 on a silicon substrate 3, is divided into a semiconductor layer 5 and an element formation region 5a by an element isolation region 6.例文帳に追加

シリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介して半導体層５を形成したＳＯＩ基板２を、素子分離領域６により半導体層５を分離して素子形成領域５ａとする。 - 特許庁

The second electrode layer 32 is formed on a region R2 different from a formation region R1 of the first electrode layer 31 in a surface of the dielectric layer 2, separated from the first electrode layer 31.例文帳に追加

第２電極層３２は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１とは異なる領域Ｒ２上に、該第１電極層３１から離間させて形成されている。 - 特許庁

Ions are implanted with a dammy gate electrode formed right on a channel formation region of a semiconductor substrate 1 as a mask to form a source and drain region 5 self-alignedly against the dummy gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１のチャネル形成領域直上に形成したダミーゲート電極４ａをマスクにイオン注入し、ダミーゲート電極に対して自己整合的にソース・ドレイン領域５を形成する。 - 特許庁

A side wall is formed on the lateral sides of a gate electrode 4 in an n-channel transistor formation schedule region 51n by etching back the insulating film 6, and an n-type impurity introduced region is formed within the n-channel transistor formation scheduled region 51n by introducing an n-type impurity in the top surface of the semiconductor substrate 1 using the side wall as a mask.例文帳に追加

絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内のゲート電極４の側方にサイドウォールを形成し、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内において、このサイドウォールをマスクとして半導体基板１の表面にｎ型不純物を導入してｎ型不純物導入領域を形成する。 - 特許庁

To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁

In the light-emitting apparatus with the cap layer 24 on a second electrode 23 and a contact part 15 that is disposed in the external region 18 outside the light-emitting region 17 and which electrically connects the second electrode 23 to a drive circuit 110, a formation end 241 of the cap layer 24 is located in a side nearer to the light-emitting region 17 than a formation end 231 of the second electrode 23.例文帳に追加

第２電極２３の上にあるキャップ層２４と、発光領域１７外の外部領域１８にあり、第２電極２３と駆動回路１１０とを電気的に接続するためのコンタクト部１５と、を有する発光装置において、キャップ層２４の形成端２４１が、第２電極２３の形成端２３１よりも発光領域１７側にある。 - 特許庁

The VCSEL includes a p-side upper electrode 130 which is electrically connected to the contact layer 114 of the post P, and where an opening 132 is formed for regulating the emitting region of the laser beam; and a second upper electrode 140 which is formed on the pad formation region, and electrically connects the contact layer 114 of the pad formation region to the lower DBR 106.例文帳に追加

ポストＰのコンタクト層１１４に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部１３２が形成されたｐ側の上部電極１３０と、パッド形成領域１１８上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層１１４を下部ＤＢＲ１０６に電気的に接続するための第２の上部電極１４０とを有している。 - 特許庁

The pattern mask comprises a mask substrate 10 which contacts a pattern formation layer 2 on a substrate 1, a plurality of electron beam shielding region 11 formed on the mask substrate 10, a plurality of electron beam transmission region 12 formed on the mask substrate 10, and a plurality of minute adhesive layers 14 for increasing the degree of contact of the electron beam shielding region 11 which contacts the pattern formation layer 2.例文帳に追加

基材１上のパターン形成層２に接触するマスク基材１０と、マスク基材１０に形成される複数の電子線遮蔽領域１１と、マスク基材１０に形成される複数の電子線透過領域１２と、パターン形成層２に接触する電子線遮蔽領域１１の接触度を高める複数の微粘着層１４とを備える。 - 特許庁

In this semiconductor device formed on a semiconductor substrate, and including an element formation region, and a dicing line region arranged to surround the element formation region, first and second superposition inspection marks 15 formed with different shots are formed in the dicing line region, and the first and second superposition inspection marks 15 include auxiliary marks 18 for discriminating the first and second superposition inspection marks from each other.例文帳に追加

半導体基板上に形成され、素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５が形成され、第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５は、第１および第２の重ね合わせ検査マークを識別するための補助マーク１８を含む。 - 特許庁

In the display device having a reverse stagger thin-film transistor of channel stop type, the reverse stagger thin-film transistor of the channel stop type has a microcrystalline semiconductor film including a channel formation region, and the channel formation region of the microcrystalline semiconductor film has an impurity region containing an impurity element for selectively providing a conductivity type for a region not overlapping a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing formation of a channel-stop implantation layer in a reactive region and degradation in transistor characteristics.例文帳に追加

チャネルストップ注入層が活性領域に形成されることを防止して、トランジスタ特性の低下を防止した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC semiconductor element, capable of maintaining a high-quality element formation region even if subjected to an SiC element forming step.例文帳に追加

ＳｉＣ素子形成工程を経ても高品質な素子形成領域を維持できるＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A square opening is provided at the central portion of a formation region for the coil conductor CW, with a magnetic core 1 inserted into the opening.例文帳に追加

コイル導体ＣＷの形成領域の中心部には矩形の開口が設けられていて、その開口に磁性体コア１が挿入されている。 - 特許庁

The methods for the detection of non-target cleavage products via the formation of a complete and activated protein binding region are also provided.例文帳に追加

本発明はまた、完全な活性化されたタンパク質結合領域の形成により非標的開裂産物を検出する方法を提供する。 - 特許庁

A pair of box masks for measuring the relative positions of a lower layer pattern with upper layer pattern of a semiconductor device are provided in a box mark formation region.例文帳に追加

半導体装置の下層パターンと上層パターンとの相対位置を測定するための１対のボックスマークをボックスマーク形成領域に設ける。 - 特許庁

In other words, the capacitor formation region 14 is formed by achiving etching with its size different from those of the other vias and wiring regions formed in the same process.例文帳に追加

すなわち、同一工程で形成される他のビアや配線領域と異なる寸法でエッチングして容量形成領域１４を構成する。 - 特許庁

Halftone dot cells serving as a unit for formation of a halftone dot region are arranged in irregular shapes at random and divided into two groups.例文帳に追加

網点領域が形成される単位となる網点セルを不規則な形状にてランダムに配置し、さらに網点セルを２つのグループに分ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon substrate that enables formation of a region where p/n type inversion occurs, in a range of depth deeper than the conventional case.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer by which the wafer having a reinforcing portion at the outer circumference of a device formation region can be divided in a shorter period of time.例文帳に追加

素子形成領域の外周に補強部を形成したウェハーをより短時間で分割可能なウエハーの加工方法を提供する。 - 特許庁

With the above structure, when erasing operation is performed, charges accumulated in the floating gate are extracted to the metal wiring through the channel formation region.例文帳に追加

上記構造により、消去動作において、浮遊ゲートに蓄積された電荷はチャネル形成領域を介して金属配線に引き抜かれる。 - 特許庁

On the sealing film 11, dummy surface treatment layers 13 and dummy solder balls 15 are provided in the wiring formation inhibition region 7.例文帳に追加

封止膜１１上において配線形成禁止領域７内にはダミー表面処理層１３およびダミー半田ボール１５が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having a shallow trench isolation structure with high integration density in which crystal defects generated in an element formation region are reduced.例文帳に追加

素子形成領域に発生する結晶欠陥が低減された高集積密度のシャロウ・トレンチ分離構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide the formation of an element isolation region of a semicon ductor device having high dielectric strength and moreover making high integra tion feasible.例文帳に追加

高い耐圧を有し、しかも、半導体装置の高集積化を図り得る半導体装置の素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

Each of a plurality of wells of a memory array formation region is formed to be continuous with a corresponding well of memory cells adjoining in a column direction.例文帳に追加

メモリアレイ形成領域の複数のウェルの各々は、列方向に隣接するメモリセルの対応するウェルと連続するように形成される。 - 特許庁

Diffusion regions 170 are formed in a substrate 100 located in the element formation region 104 and serve as a source and a drain of a transistor 110.例文帳に追加

拡散領域１７０は素子形成領域１０４に位置する基板１００に形成され、トランジスタ１１０のソース及びドレインとなる。 - 特許庁

This damper device includes a bending formation means 4 for bending an abutting region of the rack gear having flexibility with the pinion gear in a radial direction of the pinion gear.例文帳に追加

可撓性を有するラックギアのピニオンギアとの当接領域を該ピニオンギアのラジアル方向に撓ませる撓み形成手段４を備える。 - 特許庁