「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor substrate 10 has a circuit formation region A1 provided on the silicon layer 16.例文帳に追加

この半導体基板１０は、シリコン層１６に設けられた回路形成領域Ａ１を有している。 - 特許庁

The East Asia Summit will play an important role in the formation of a community in the region例文帳に追加

東アジアサミットは、この地域における共同体形成において、重要な役割を果たす - 経済産業省

In these treatments, LDD width WD11, WD13 are each set separately, by setting a source region/drain region implantation process of the Tr 33 after the formation of the first sidewall, and a source region/drain region implantation process of the Tr 35 after the formation of the second sidewall, respectively.例文帳に追加

これらの処理において、第１のサイドウォール形成後にＴｒ３３のソース領域／ドレイン領域インプラ工程を、第２のサイドウォール形成後にＴｒ３５のソース領域／ドレイン領域インプラ工程を、それぞれ打ち込むことにより、各ＬＤＤ幅ＷＤ１１，ＷＤ１３を別個に設定する。 - 特許庁

By elongating an end of a element formation region Ac, in which nonvolatile memory cells are formed, by length D using a region under a dummy conductive film DSG, stress added from an insulating film 6 surrounding the element formation region Ac is concentrated to the elongated region.例文帳に追加

不揮発性メモリセルが形成される素子形成領域Ａｃの端部を、ダミー導電性膜ＤＳＧの下の領域を利用して長さＤだけ伸長することにより、かかる伸長した領域に、素子形成領域Ａｃを囲む絶縁膜６から加わる応力を集中させる。 - 特許庁

The ESD protection element has an n-type well region 19 superposed on the formation position of a contact hole 15a below an n-type drain region 15, and the MOS transistor has an n-type low concentration impurity region 17 superposed on the formation position of a contact hole 7a below an n-type drain region 7.例文帳に追加

静電保護素子はＮ型ドレイン領域１５の下にコンタクトホール１５ａの形成位置に重畳してＮ型ウェル領域１９を備え、ＭＯＳトランジスタはＮ型ドレイン領域７の下にコンタクトホール７ａの形成位置に重畳してＮ型低濃度不純物領域１７を備えている。 - 特許庁

To solve the following problem: when a source region of a high-concentration impurity is formed by implanting phosphorus into a source region, only a surface of the source region undergoes enhanced oxidation to cause formation of a step between surfaces of a well region and of the source region, resulting in an increase in channel resistance.例文帳に追加

ソース領域を燐注入によって高濃度不純物のソース領域を形成すると、ソース領域表面のみ増速酸化され、ウェル領域とソース領域表面との間に段差を生じるため、チャネル抵抗が増大する。 - 特許庁

Namely, if the impurity region to which n-type impurities are added is treated as an n-type region and the impurity region to which p-type impurities are added is treated as a p-type region, a transistor in which a channel formation region is sandwiched by the n-type region and the p-type region is used as a MOS capacitative element.例文帳に追加

具体的には、ｎ型の不純物が添加された不純物領域をｎ型領域、ｐ型の不純物が添加された不純物領域をｐ型領域とすると、本発明ではチャネル形成領域がｎ型領域とｐ型領域の間に挟まれているトランジスタを、ＭＯＳ容量素子として用いる。 - 特許庁

A central heat sink 26 (cold junction formation region) is provided at the center of a silicon substrate 22, and an outer-periphery-side heat sink 27 (cold junction formation region) is provided at the outer periphery while being separated by a cavity part 24.例文帳に追加

シリコン基板２２の中央に中央ヒートシンク２６（冷接点形成領域）を設け、その外周に空洞部２４を隔てて外周側ヒートシンク２７（冷接点形成領域）を設ける。 - 特許庁

The multilayer substrate 11 is divided into a product formation region 15 in which a plurality of portions to be a product are arranged along a substrate plane direction, and a frame portion 16 surrounding the product formation region 15.例文帳に追加

積層基板１１は、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域１５と、製品形成領域１５を包囲する枠部１６とに区画される。 - 特許庁

The system comprises a semiconductor layer 10, an element isolation insulating layer 20 that comparts an element formation region 10HV, and an insulated gate field effect transistor 100 provided in the element formation region 10HV.例文帳に追加

半導体層１０と、素子形成領域１０ＨＶを画定する素子分離絶縁層２０と、前記素子形成領域１０ＨＶに設けられた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１００。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises a protective film formation step of forming a protective film 30 on an introduction region 8 and a plasma step of exposing the introduction region 8 into a plasma containing negative ions after the protective film formation step.例文帳に追加

導入領域８上に保護膜３０を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、導入領域８を負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程を備えている。 - 特許庁

A manufacturing method includes a process of forming a bank B surrounding the lens formation region L', a process of dyeing the bank B, and a process of forming lens parts L by discharging liquid droplets in the lens formation region L'.例文帳に追加

レンズ形成領域Ｌ’を囲むバンクＢを形成する工程と、バンクＢを染色する工程と、レンズ形成領域Ｌ’に液滴を吐出してレンズ部Ｌを形成する工程とを有する。 - 特許庁

While an NiSi film 110A is formed as a gate electrode in an n-type MIS transistor formation region, an Ni_3Si film 110B is formed as a gate electrode in a p-type MIS transistor formation region.例文帳に追加

Ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉＳｉ膜１１０Ａを形成すると共にＰ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂを形成する。 - 特許庁

The gate electrode 5a and gate electrode 5b on the B plane form a channel formation region CH1, and the gate electrode 5b and gate electrode 5c on the C plane form a channel formation region CH2.例文帳に追加

Ｂ面のゲート電極５ａ及びゲート電極５ｂによりチャネル形成領域ＣＨ１が形成され、Ｃ面のゲート電極５ｂ及びゲート電極５ｃによりチャネル形成領域ＣＨ２が形成される。 - 特許庁

The surface of a semiconductor substrate 10 in a predetermined region of thin oxide film formation is made higher by H3 than the surface of a semiconductor substrate 10 in a predetermined region of thick oxide film formation.例文帳に追加

厚い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面の高さより、薄い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面に高さを、Ｈ３だけ高くする。 - 特許庁

A control part recognizes an isolated image as an invalid image in a peripheral region where a valid image region sticks out of an image formation validating region, and removes the isolated image from base data related with the setting of the valid image region.例文帳に追加

制御部は、有効画像領域が画像形成可能領域の外にはみだしている周辺領域では、孤立画像を無効な画像とみなして、有効画像領域の設定に係る基礎データから除外する。 - 特許庁

The hollow part of the gate electrode 3 is formed as the formation scheduled region of a source diffusion region 3 and a diffusion area 9 for a body contact, and the source diffusion region 3 is selectively formed in the body diffusion region 2.例文帳に追加

そのゲート電極３の中抜き部分をソース拡散領域３及びボディーコンタクト用拡散領域９の形成予定領域とし、ボディー拡散領域２内にソース拡散領域３を選択的に形成する。 - 特許庁

A substrate face is divided into a plurality of regions and after a droplet is formed in one region, the next droplet formation is carried out in another region.例文帳に追加

基板面を複数の領域に分割し、或る領域に液滴を形成した次の液滴の形成は別の領域に対して行う。 - 特許庁

A mold mask pattern 450 is formed on the object layer 430 for pattern formation in the first region and on the mask layer 432 in the second region.例文帳に追加

第１領域ではパターン形成対象層４３０上に、第２領域ではマスク層４３２上にモールドマスクパターン４５０を形成する。 - 特許庁

Bidirectional image formation is carried out while performing switching processing of writing data being used in the going stroke scanning region and the returning stroke scanning region.例文帳に追加

往路走査領域と復路走査領域に対して使用する描画データの切替え処理を行いながら双方向画像形成を行う。 - 特許庁

To arrange a light emitting region with a variety of patterns without relying on an arrangement pattern in the formation region of a TFT or the like in an organic EL display device.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置において、ＴＦＴ等の形成領域の配列パターンに依らずに、発光領域を多様なパターンで配置する。 - 特許庁

Then, the laminated film on the bit line formation region of a memory cell part and on the STI region of a peripheral circuit part and a logic circuit part is removed.例文帳に追加

次に、メモリセル部のビット線形成領域上と周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域上の積層膜を除去する。 - 特許庁

The surface of the silicon substrate 11 inside the element formation region 10A is low from a boundary to the isolation region 10B toward a center of the element formation region 10A viewed in an extension direction of the gate wiring 15, and then is high sequentially.例文帳に追加

素子形成領域１０Ａ内のシリコン基板１１の表面は、ゲート配線１５の延長方向に見て、素子分離領域１０Ｂとの境界から素子形成領域１０Ａの中央に向かって一旦低くなり、次いで、順次に高くなる。 - 特許庁

Further, the semiconductor device has a gate electrode 4 formed on the element formation region 1, and the gate electrode 4 extends over first and second regions 2a and 2b which face each other across the element formation region 1 in the element isolation region 2.例文帳に追加

更に、素子形成領域１上に形成されたゲート電極４を有し、ゲート電極４は、素子分離領域２において素子形成領域１を介して互いに対向する第１及び第２領域２ａ、２ｂの上にそれぞれ延伸している。 - 特許庁

Source and drain regions for a plurality of first transistors in the transistors 12 are included in the formation region of the plurality of transistors 12, and an impurity region 19 for setting a threshold voltage of the transistors 12 is also formed in the transistor 12 formation region to be deeper than the source and drain regions.例文帳に追加

複数のトランジスタ１２の形成領域に、複数の前記第１のトランジスタのソース、ドレイン領域を含み、その領域の深さよりも深く、トランジスタ１２の閾値電圧を設定する不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

The light distribution characteristics of the reflecting mirror plane 14 are changed by changing the surface shape, formation area, formation region or the like of the base coat layer 12.例文帳に追加

このとき、ベースコート層１２の表面形状、形成面積、形成領域などを変えることによって、反射鏡面１４の配光特性を変える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the channel formation region can be thinned without adversely affecting a source region and a drain region through a simple process, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

簡単な工程でソース領域及びドレイン領域に悪影響を与えることなくチャネル形成領域の薄膜化が可能な半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

The distance between the horizontal transfer electrodes 42 is larger in a boundary part between the element formation region 11 and the element isolation region 12 than at the center part of the horizontal channel region 41.例文帳に追加

水平転送電極４２同士の間隔は、素子形成領域１１と素子分離領域１２との境界部分において、水平チャネル領域４１の中央部よりも広い。 - 特許庁

A semiconductor element 1 with a built-in contact type sensor comprises a sensor region 1b, formed on a circuit formation surface 1a and a bump 1c provided in a region other than the sensor region 1b.例文帳に追加

接触型センサ内蔵半導体素子１は、回路形成面１ａに形成されたセンサ領域１ｂと、センサ領域１ｂ以外の領域に設けられたバンプ１ｃとを有する。 - 特許庁

The pattern formation inhibition region 19 is spread from an outer rim of a dicing region 13 to an outer rim of a region where, in an exposure apparatus, the light passing through inside a blind enters.例文帳に追加

パターン形成禁止領域１９は、ダイシング領域１３の外縁から露光装置においてブラインドの内側を通過した光が当たる領域の外縁までの領域である。 - 特許庁

By this structure, the lateral diffusion width of a P-type diffusion layer 13 in the separation region 1 is suppressed, and the formation region of the separation region and the device size of the MOS transistor are reduced.例文帳に追加

この構造により、分離領域１のＰ型の拡散層１３の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びＭＯＳトランジスタのデバイスサイズが低減される。 - 特許庁

Namely, a radiation effect is improved by forming the heat sink of the same material as in a channel formation region.例文帳に追加

即ち、チャネル形成領域と同一材料でヒートシンクを形成することで放熱効果が向上する。 - 特許庁

A plurality of the bumps 80 having an aspect ratio of 0.7 or more are arranged for each bump formation region on a substrate.例文帳に追加

基板上のバンプ形成領域毎に、アスペクト比が０．７以上のバンプ８０を複数個配置する。 - 特許庁

Thus, the connection surface of the via plug 17 is prevented from lying off the formation region of the aluminum wiring 15.例文帳に追加

これにより、アルミ配線１５の形成領域からビアプラグ１７の接続面がはみ出ることを抑える。 - 特許庁

To uniformize a film thickness of a thin film in a given thin film formation region further more surely and simply.例文帳に追加

より確実にかつより簡易に所定の薄膜形成領域における薄膜の膜厚を均一化する。 - 特許庁

To increase an improvement effect of breakdown strength by a surf layer circulating around a semiconductor element formation region.例文帳に追加

半導体素子形成領域を一巡するリサーフ層による破壊耐量の向上効果を増大させる。 - 特許庁

A first gate layer 42 is subjected to pattern formation in the gate insulation layer, and is positioned over the channel region.例文帳に追加

第一ゲート層４２は前記ゲート絶縁層にパターン形成され、前記チャネル領域上に位置する。 - 特許庁

In the heat radiation member, a through-hole is formed corresponding to a land formation region of a heat radiation component.例文帳に追加

放熱部材には、発熱部品のランド形成領域に対応して貫通孔が形成されている。 - 特許庁

The voltage conversion element includes a transistor having the oxide semiconductor film in the channel formation region.例文帳に追加

当該電圧変換素子は、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを有する。 - 特許庁

To provide a technology eliminating the necessity of a photomask dedicated to formation of a high-concentration region.例文帳に追加

高濃度領域の形成に専用のフォトマスクが不要となる技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

To realize the formation high in aspect ratio in the region to be machined in the case of performing a line machining using a pulse laser beam.例文帳に追加

パルスレーザを用いたライン加工に際して、アスペクト比の高い被加工領域の形成を実現する。 - 特許庁

A pattern formation region 9 where the pattern is to be formed is provided on a ceramic green sheet 1 (a).例文帳に追加

セラミックグリーンシート１上に、パターンを形成すべきパターン形成領域９が設けられている（ａ）。 - 特許庁

An insulating layer 200 is formed on the element formation region 104 and the gate electrode 140.例文帳に追加

絶縁層２００は、素子形成領域１０４上、及びゲート電極１４０上に形成されている。 - 特許庁