「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, silicide films 6a, 3a and 4a are formed on the surfaces of a gate electrode 6, a source region 3 and a drain region 4.例文帳に追加

これにより、ゲート電極６やソース領域３及びドレイン領域４の表面に、シリサイド膜６ａ、３ａ、４ａが形成される。 - 特許庁

A select gate electrode SL is disposed on the semiconductor substrate between the common source region CSL and the cell source region 218s.例文帳に追加

共通ソース領域ＣＳＬ及びセルソース領域２１８ｓの間の半導体基板上に選択ゲート電極ＳＬが配置される。 - 特許庁

Thereafter, n-type impurities are introduced to the gate electrodes in the narrow NMOS region 101n and the wide NMOS region 102n.例文帳に追加

次いで、狭幅ＮＭＯＳ領域１０１ｎ及び広幅ＮＭＯＳ領域１０２ｎ内のゲート電極にｎ型不純物を導入する。 - 特許庁

A source and drain region 12SD and a formation region of the gate electrode 141 in the oxide semiconductor layer 12 are spaced apart from each other.例文帳に追加

酸化物半導体層１２におけるソース・ドレイン領域１２ＳＤとゲート電極１４１の形成領域とは、互いに離隔している。 - 特許庁

A source/drain region which includes a low-doped region is made within the substrate by the ion implantation, using a gate structure as a mask.例文帳に追加

ゲート構造をマスクとして使用したイオン注入により基板内に低ドーピング領域を含むソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The memory cell has a source region 4 and a drain region 5 formed in the silicon layer 3, an ONO film 6 and a gate electrode 7.例文帳に追加

メモリセルは、シリコン層３内に形成されたソース領域４およびドレイン領域５と、ＯＮＯ膜６と、ゲート電極７とを有する。 - 特許庁

Thereafter, gate electrodes are formed in the N-channel MOSFET forming region 106 and the P-channel MOSFET forming region 107.例文帳に追加

その後、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０６およびＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域に１０７ゲート電極を形成する。 - 特許庁

The trench gate electrode 30 reaches up to the drift region 23 piercing the body region 24 from the surface of the semiconductor substrate 20.例文帳に追加

トレンチゲート電極３０は、半導体基板２０の表面からボディ領域２４を貫通してドリフト領域２３にまで達している。 - 特許庁

Unlike the conventional structure of an insulated-gate bipolar transistor, a well electrode 8 is formed on the region 2, and a source electrode 9 is formed on the region 3.例文帳に追加

従来構造と異なり、ウエル領域２上にウエル電極８を形成し、ソース領域３上にソース電極９を形成する。 - 特許庁

An island lower region with the same impurity concentration as a high concentration side isolation layer is formed in a lower part of an island region and a back gate is provided.例文帳に追加

高濃度側分離層と同じ不純物濃度をもった島下部領域を島領域の下部に形成し、バックゲートを与える。 - 特許庁

The first active region and the second active region are arranged on a straight line parallel to the gate electrode of the first transistor and that of the second transistor.例文帳に追加

第１及び第２活性領域は第１及び第２トランジスタのゲート電極と平行した一直線上に配置される。 - 特許庁

Related to the method for manufacturing a semiconductor storage device having a self-align source structure, a process in which an almost linear element separation region, passing through the source region and the gate region, is formed on a silicon substrate, comprises a process in which the width of element separation region of the source region is formed narrower than that of the gate region.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を有する半導体記憶装置の製造方法において、シリコン基板上にソース領域とゲート領域とを通る略直線状の素子分離領域を形成する分離領域形成工程が、ソース領域の素子分離領域の幅を、ゲート領域の素子分離領域の幅より狭く形成する工程を含む。 - 特許庁

The floating gate is arranged on the first tunnel barrier structure and covers the channel region.例文帳に追加

浮遊ゲートが該第１トンネル障壁構造体上に配置され該チャネル領域を覆っている。 - 特許庁

MOSFETs 100N, 200P, and 300N are each possessed of an offset region in a well around a gate insulating layer 78.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴ１００Ｎ，２００Ｐ，３００Ｎは、それぞれゲート絶縁層７８の周囲のウェル中にオフセット領域を有する。 - 特許庁

A second gate insulating film and a second metal-containing film are stacked onto the second impurity transistor region.例文帳に追加

第２不純物型トランジスタ領域に第２ゲート絶縁膜と第２金属含有膜をスタックする。 - 特許庁

In the manufacturing method, a floating gate 4 is formed on a sense transistor region in a P^- type Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ^−型Ｓｉ基板１のうち、センストランジスタ領域上に、浮遊ゲート４を形成する。 - 特許庁

A multiple field plate transistor comprises: an active region; a source 18; a drain 20; and a gate 22.例文帳に追加

多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース１８、ドレイン２０、およびゲート２２を含む。 - 特許庁

In a gate oxide film formed on a surface of a silicon substrate, a film on a source region is thinned.例文帳に追加

シリコン基板表面に形成されたゲート酸化膜は、ソース領域上が薄膜化されている。 - 特許庁

The surface of the field oxide film is used as a gate and the downside of the field oxide film is used as a channel region.例文帳に追加

フィールド酸化膜の上をゲートとし、フィールド酸化膜の下側をチャネル領域とする。 - 特許庁

A gate oxide film of a thickness of about 10 nm is formed in the second element active region.例文帳に追加

そして、第２の素子活性領域内に、１０ｎｍ程度の厚さのゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a DTMOS wherein a gate electrode and a shallow well region are surely electrically connected.例文帳に追加

ＤＴＭＯＳにおいて、ゲート電極と浅いウェル領域とを確実に電気的に接続すること。 - 特許庁

A gate insulating film 21 is formed on a semiconductor layer 22 so as to cover a channel region 42.例文帳に追加

チャネル領域４２を覆うようにゲート絶縁膜２１を半導体層２２上に設ける。 - 特許庁

The gate electrode 6 is tapered reversely in the boundary region to the substrate 1.例文帳に追加

また、ゲート電極６は、基板１との境界領域部分が逆テーパ形状に成形されている。 - 特許庁

A third gate insulating film is provided on the semiconductor substrate in the digital region.例文帳に追加

前記デジタル領域内の前記半導体基板上に第３ゲート絶縁膜が提供される。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

A gate trench 6 is formed in an epitaxial layer 3, and a body region 5 is formed at the side of it.例文帳に追加

エピタキシャル層３にゲートトレンチ６を形成し、その側方にボディ領域５を形成する。 - 特許庁

An element isolation region 109 is formed for a gate electrode 103 through self alignment.例文帳に追加

ゲート電極１０３に対して素子分離領域１０９を自己整合的に形成している。 - 特許庁

First of all, an LDD region 5 is formed by an ion implantation using a gate electrode 4 as a mask.例文帳に追加

まず、ゲート電極４をマスクとしたイオン注入によりＬＤＤ領域５が形成される。 - 特許庁

The metal intake region does not lower the total conductivity of the gate electrode significantly.例文帳に追加

前記金属取り込み領域はゲート電極全体としての電気伝導率を著しく妨げない。 - 特許庁

Further, the narrowest section of a channel 14 is made deeper than the half depth of the junction of the p-type gate region 13.例文帳に追加

また、チャネル１４の最狭部をｐ型ゲート領域１３の接合の１／２よりも深くする。 - 特許庁

Each pixel region is defined by gate lines and data lines formed so as to cross each other on the lower substrate.例文帳に追加

下部基板には、相互交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE POLY IN ACTIVE REGION OF FLASH E2PROM例文帳に追加

フラッシュＥ２ＰＲＯＭセルの活性領域に自己整合型フローティングゲートポリーを形成する方法 - 特許庁

Therefore, concentration of electric field between the corner of the active region and the corner of the floating gate is suppressed.例文帳に追加

従って、活性領域の角と浮遊ゲートの角の間に電界の集中が抑制される。 - 特許庁

The control gate electrode is formed on the other surface of the channel region through the insulating film.例文帳に追加

チャネル領域の他方の面上には絶縁膜を介して制御ゲート電極を形成する。 - 特許庁

A first and a second impurity region are formed in the substrate 100 at the both sides of each gate electrode.例文帳に追加

各ゲート電極両側の基板内に第１及び第２不純物領域が形成される。 - 特許庁

Further, a gate trench 21 and a termination trench 62 penetrating through the P^- body region 41 are formed.例文帳に追加

また，Ｐ^- ボディ領域４１を貫通するゲートトレンチ２１，終端トレンチ６２が形成されている。 - 特許庁

An insulation film 9 is formed on a source/drain region 3 via gate insulation film 8.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域３上にはゲート絶縁膜８を介して、絶縁膜９が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with gate electrodes 2a and 2b on an element-forming region 1a of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の素子形成領域１ａに、ゲート電極２ａ、２ｂが形成されている。 - 特許庁

The cathode electrode regions 3 are formed in a part in the surface of the gate electrode region 2.例文帳に追加

カソード電極領域３は、ゲート電極領域２の表面内の一部に形成されている。 - 特許庁

The gate electrode region 2 is formed in the first main face 1c of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極領域２は、半導体基板１の第一の主面１ｃ内に形成されている。 - 特許庁

A plurality of assist gate electrodes 21 are formed apart from one another in a memory cell region M.例文帳に追加

メモリセル領域Ｍに複数のアシストゲート電極部２１が互いに間隔を隔てて形成される。 - 特許庁

The second semiconductor region 2 and the second gate electrode 4 compose a transistor Tr2.例文帳に追加

また、第２の半導体領域２および第２のゲート電極４は、トランジスタＴｒ２を構成する。 - 特許庁

The gate electrode structure 40 and the drain region 21 partially form a capacitor structure.例文帳に追加

ゲート電極構造４０およびドレイン領域２１は、部分的にキャパシタ構造を形成している。 - 特許庁

Moreover, a gate electrode 10 comprising a polycrystalline silicon film 12 is formed in a PMOS region.例文帳に追加

また、ＰＭＯＳ領域に、多結晶のシリコン膜１２からなるゲート電極１０を形成する。 - 特許庁

The gate electrode of the transistor (65) and the impurity diffusion region (64) are connected through wiring (66).例文帳に追加

トランジスタ（６５）のゲート電極と不純物拡散領域（６４）とを配線（６６）が接続する。 - 特許庁