「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, processing is executed to separate the conductive layer along an active region 3 and the floating gate 5 is formed.例文帳に追加

続いて活性領域３に沿った導電層を分離する加工を行って浮遊ゲート電極５を形成する。 - 特許庁

The gate oxide film of a MOS field effect transistor allocated in the region A is formed in a comparatively small thickness.例文帳に追加

領域Ａに位置するＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート酸化膜を、比較的小さな膜厚としている。 - 特許庁

A first p-type impurity region is provided on a surface of a n--type semiconductor layer almost at the center of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

A protective film 112 is formed all over the gate line regions 160 and the guard ring region 170.例文帳に追加

ゲートライン領域１６０およびガードリング領域１７０には、全面的に保護膜１１２が形成されている。 - 特許庁

To eliminate deviation of relative position between a first conductivity region and a second trench for trench gate of a parallel pn layer.例文帳に追加

並列ｐｎ層の第１導電型領域とトレンチゲート用第２トレンチとの相互位置のずれを無くすこと。 - 特許庁

To perform pulsed-wave spectral Doppler imaging at every color flow range gate location in a two-dimensional (or three-dimensional) region of interest.例文帳に追加

二次元（又は三次元）の関心領域でカラーフロー範囲ゲート位置毎にパルス波スペクトルドップライメージングを行なう。 - 特許庁

Since the gate electrode GW is formed inside the active region 3, occurrence of a channel at the end is suppressed.例文帳に追加

ゲート電極ＧＷは活性領域３内に形成されるので、端部でのチャンネル発生を抑制できる。 - 特許庁

To suppress the variation of effective gate length for each product, while enhancing the breakdown voltage between the drain region and channel.例文帳に追加

ドレイン領域とチャネルとの間の耐圧を高めながら、製品毎の実効ゲート長の変動を抑制する。 - 特許庁

A second gate region 7 made of AlXGa_(1-x)N by heteroepitaxial growth is formed on a channel layer.例文帳に追加

第２ゲート領域７をチャネル層の上にヘテロエピタキシャル成長によって形成したＡｌ_XＧａ_(1-X)Ｎで構成する。 - 特許庁

A lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) 1 includes p-type collector regions 46, 48 and a p-type collector well region 44.例文帳に追加

横型ＩＧＢＴ１は、ｐ型のコレクタ領域４６，４８とｐ型のコレクタウェル領域４４を備えている。 - 特許庁

The gate oxide film of the MOS field effect transistor allocated in the region B is formed in a comparatively large thickness.例文帳に追加

領域Ｂに位置するＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート酸化膜を、比較的大きな膜厚としている。 - 特許庁

ONO films 7 are disposed in regions where the gate insulating film 5 is not arranged on a channel region 4.例文帳に追加

また、チャネル領域４上におけるゲート絶縁膜５が設けられていない領域にＯＮＯ膜７を設ける。 - 特許庁

A floating gate is arranged in the trench contiguously to the first part of the channel region while being isolated therefrom.例文帳に追加

浮動ゲートは、チャネル領域の第１部分に隣接し且つそれから絶縁されてトレンチ内に配置されている。 - 特許庁

To provide a trench gate semiconductor device which can ensure a high breakdown strength performance while ensuring a wide cell region.例文帳に追加

高耐圧性能を確保しながら、広いセル領域を確保できるトレンチゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A source/drain region 106 is formed at both sides of a gate electrode 103 on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース／ドレイン領域１０６が形成されている。 - 特許庁

A parasitic capacitance C_ga is formed in the facing region between the back gate electrode 226 and the anode electrode 205.例文帳に追加

すると、バックゲート電極２２６とアノード電極２０５との対向部位間に寄生容量Ｃ_gaが形成される。 - 特許庁

The stripe part 14b is formed extending from the column region body part 14a toward the gate electrode 16.例文帳に追加

ストライプ部１４ｂは、コラム領域本体部１４ａからゲート電極１６方向に延在して形成される。 - 特許庁

For example, a recess 2a is formed on the n^- type channel layer 2, and the p^+ type gate region 4 is formed in the recess 2a.例文帳に追加

例えば、ｎ^-型チャネル層２に凹部２ａを形成し、この凹部２ａ内にｐ^+型ゲート領域４を形成する。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

A channel layer 17 is made of an n-type group III nitride semiconductor and is provided on the embedded gate region 15.例文帳に追加

チャネル層１７は、ｎ型III族窒化物半導体からなり、また埋め込みゲート領域１５上に設けられる。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed on an active region, and a polycrystalline Si film 6 is formed on the upper layer of the film 5.例文帳に追加

活性領域上にゲート絶縁膜５を形成し、その上層に多結晶Ｓｉ膜６を製膜する。 - 特許庁

To prevent a gate electrode in a logic circuit region from being exposed in a process for polishing an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層を研磨する工程において、ロジック回路領域におけるゲート電極が露出しないようにする。 - 特許庁

An element separation region 11, a gate insulating film 12, and a polycrystalline silicon film 13 are formed in a silicon substrate 100.例文帳に追加

シリコン基板１００に素子分離領域１１、ゲート絶縁膜１２及び多結晶シリコン膜１３を形成する。 - 特許庁

A gate electrode included in a pixel TFT provided in a display region is formed of a first conductive layer.例文帳に追加

表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。 - 特許庁

On the other hand, a trench 14 is formed along a (110) plane of the crystalline orientation in a gate withdrawal-wiring region.例文帳に追加

一方、ゲート引き出し配線領域では、結晶面方位（１１０）面に沿ってトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

A part of the charge holding portions 10A, 10B are situated below an interface between the gate insulating film 12 and the channel region.例文帳に追加

また、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂの一部は、ゲート絶縁膜１２とチャネル領域との界面よも下に存する。 - 特許庁

Then, an extension region 18 is formed within the silicon substrate, and then the silicide film 20a is formed at a gate upper part.例文帳に追加

次に、エクステンション領域１８をシリコン基板内に形成後ゲート上部にシリサイド膜２０ａを形成する。 - 特許庁

The entire internal insulator region 30 is arranged at a position deeper than a bottom surface 37 of the trench gate 36.例文帳に追加

内部絶縁体領域３０の全体が、トレンチゲート３６の底面３７よりも深い位置に配置されている。 - 特許庁

To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加

ゲートスペーサ膜を形成せずに１回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁

The transfer gate 105 has a region 105a in a direction along a principal surface of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

そして、転送ゲート１０５は、半導体基板１０の主面に沿う方向において、領域１０５ａを有する。 - 特許庁

A gate oxide film connected to the LOCOS film is formed on the semiconductor substrate in the element forming region.例文帳に追加

素子形成領域内の半導体基板上にＬＯＣＯＳ膜に接続されたゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

Moreover, the gate laminates may be formed on the lower side of the channel region of the polysilicon film.例文帳に追加

また、前記ゲート積層物を、前記ポリシリコン膜のチャンネル領域部分の下側に備えるものとすることもできる。 - 特許庁

First, a floating gate polysilicon film 4 and a capacitor insulating film 5 are formed on a flash memory forming region.例文帳に追加

まず、フラッシュメモリー形成領域に、浮遊ゲート電極用ポリシリコン膜４、容量絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

On the compound semiconductor region 2, a gate electrode 6, a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed.例文帳に追加

化合物半導体領域２上に、ゲート電極６、ソース電極４及びドレイン電極５が形成されている。 - 特許庁

The LDD regions 5a, 5b become the GOLD region overlapping with the sides 6a, 6b of the gate electrode.例文帳に追加

そのＬＤＤ領域５ａ，５ｂは、ゲート電極側方部６ａ，６ｂとオーバラップするＧＯＬＤ領域となる。 - 特許庁

To reduce the resistance of a gate electrode when not forming a silicide in a region of a transistor of a pixel array.例文帳に追加

画素アレイ部のトランジスタの領域にシリサイドを形成しない場合においてゲート電極の抵抗を低減する。 - 特許庁

The main trenches 113 reach the drift region 112, and have a gate electrode 122 formed therein.例文帳に追加

メイントレンチ１１３はドリフト領域１１２に達すると共に、その内部にゲート電極１２２が形成されている。 - 特許庁

The second wiring layer connects the second semiconductor region and the gate conductor layer to a ground point.例文帳に追加

第２の配線層は、前記第２の半導体領域及び前記ゲート導電体層を接地点に接続する。 - 特許庁

In a dual gate type switching element (11), terminals (27, 27a, 27b) are prepared in a drain region (17), on a board of the switching element (11).例文帳に追加

デュアルゲート型のスイッチング素子（11）では、スイッチング素子（11）の基板上には、ドレイン領域（17）に端子（27,27a,27b）が設けられる。 - 特許庁

Gate insulating films 3 (or 6) are formed on the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230.例文帳に追加

そして、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３（または６）を形成する。 - 特許庁

The area of the floating gate 8, into which the hot electron is injected, is adjusted by the depth of the channel region 4.例文帳に追加

また、ホットエレクトロンが注入されるフローティングゲート８の面積は溝領域４の深さによって調整される。 - 特許庁

The gate part is extended upward from a gap between adjacent couples in the said region into an insulator layer.例文帳に追加

ゲート部分は前記領域の隣接する対の間から上方向に絶縁体層の中に延長される。 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE CONSISTING OF NONVOLATILE MEMORY CELLS WITH DIMENSIONAL CONTROL OF FLOATING GATE REGION AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

フローティングゲート領域の寸法制御を備えた不揮発性メモリセルから成る電子装置及びその製造方法 - 特許庁

The circumference of the source and drain regions are surrounded with the complete isolation region 157b, excluding the gate electrode and its vicinity.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域の周辺は、ゲート電極近傍を除いて、完全分離領域１５７ｂで囲まれる。 - 特許庁

Gate electrodes are formed to intersect at right angles along the vicinity of the center lines of the rectangular region of the diffusion layer.例文帳に追加

また、該拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成する。 - 特許庁