例文 (999件) |
connection layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3007件
To provide a U-shaped conductor sequential connection coil of a rotary electric machine in which one layer of coil end portion can be miniaturized, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加
コイルエンド部分の一層の小型化が可能な回転電機のU字導体順次接続式コイル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
For a second wiring 6, the electric continuity with the first copper wiring 2 is obtained through a second conductive layer 20, in a connection hole 12.例文帳に追加
第2の銅配線6は接続孔12において、第2の導電性バリア層20を介して第1の銅配線2との導通が得られる。 - 特許庁
Solder balls jointed to the upper surfaces of the electrodes 20 for external connection are formed tightly on the inclined surfaces 31b of the buffer layer 31.例文帳に追加
外部接続用電極20の上面に接合された半田ボールは、緩衝層31の傾斜面31bに密着して形成されている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a coreless armature that can improve connection strength between terminals when resistance-welding a terminal layer.例文帳に追加
端子層を抵抗溶接する場合に端子間の接続強度の向上を図ることができるコアレス電機子の製造方法を提供する。 - 特許庁
Furthermore, creep deformation of an internal insulating layer 12 of the shield wire 10 is prevented and reliability in connection is improved.例文帳に追加
また、従来のもののように、シールド電線10の内部絶縁層12のクリープ変形を心配する必要がなくなり、接続の信頼性が高まる。 - 特許庁
The wiring 17b of the wiring layer 17 other than connection terminals 17a at its both ends is formed to be thinner by a predetermined thickness Δt.例文帳に追加
配線層17は、両端部の接続端子部17a以外の配線部17bが所定の厚さΔtだけ薄く形成されている。 - 特許庁
The connecting electrodes 101 and 102 are connected to each other via a prescribed wiring in the wiring layer 13 for connection via a via contact VCON.例文帳に追加
接続電極101と102は、ビアコンタクトVCONを介して接続用配線層13における所定の配線によって接続される。 - 特許庁
A middle layer 22 is formed of an organosilicon compound on the solid state imaging element 12, the electrode pad 16, the external connection electrode pad 18, and the wiring 20.例文帳に追加
固体撮像素子12、電極パッド16、外部接続用電極パッド18および配線20上に中間層22を有機珪素化合物により形成する。 - 特許庁
The second electrode 11 has a cathode part 11b laminated to the organic layer 6 and a connection part 11a laminated to the cathode terminal 8.例文帳に追加
第二電極11は、有機層6に積層される陰極部11b及び陰極端子8に積層される接続部11aを有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of preventing the peeling and dropping off of an electroless plating layer from within a connection hole.例文帳に追加
接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁
In the multilayered capacitor 1, external electrodes 3A and 3B for connection with the internal electrode of an ESR control part comprises only a plating layer.例文帳に追加
積層コンデンサ1では、ESR制御部の内部電極に接続される外部電極3A,3Bがめっき層のみで構成されている。 - 特許庁
A cavitation resistant layer 40 is formed after a heat treatment of stabilizing connection or the like between a heating element 30 and a wiring pattern 33.例文帳に追加
本発明は、発熱素子30と配線パターン33との間の接続等を安定化する熱処理の後に、耐キャビティーション層40を作成する。 - 特許庁
By this, a structure of carrying out connection of the corresponding shield wall W to the shield layer 13 is simplified, and the parts number can be reduced.例文帳に追加
これにより、シールド層13と相手シールド壁Wとを導通させる構造が簡略化されて、部品点数を削減させることができる。 - 特許庁
To form a BVH having a high connection reliability even when a plating for forming the BVH deposited on an outer layer is etching-removed.例文帳に追加
外層に析出されるBVH形成用のめっきをエッチング除去した場合においても、接続信頼性の高いBVHを形成する。 - 特許庁
In the intermediate layer, a plurality of solar batteries 6 are embedded, and the batteries 6 are electrically connected to each other through a plurality of connection conductors 8.例文帳に追加
中間層内には、複数の太陽電池6が埋め込まれ、太陽電池は、複数の接続導体8により互いに電気的に接続される。 - 特許庁
A cavitation resistant layer 40 is formed after a heat treatment of stabilizing connection between heating elements 30 and a wiring pattern 33, and the like.例文帳に追加
本発明は、発熱素子30と配線パターン33との間の接続等を安定化する熱処理の後、耐キャビティーション層40を作成する。 - 特許庁
These reactor cell layer parts 5 are formed in parallel in the upper and lower directions in a plurality of layers, and electrically connected by an electrical connection path 25.例文帳に追加
このリアクターセル層状部5は、上下方向に平行に複数層形成され、電気接続パス25により、電気的に接続されている。 - 特許庁
Then an electroless copper plating layer 12 is provided on the internal wall of the non-through hole by a full- additive method to form a on-through connection hole 13.例文帳に追加
しかる後、フルアディティブ法によって非貫通穴の内壁上に無電解銅めっき層12を設け、非貫通接続穴13を形成する。 - 特許庁
The infrared light detector 100 can change over between "disconnection" and "connection" of an isolated region 10 of a first electron layer 102.例文帳に追加
赤外光検出器100によれば、第1電子層102の孤立領域10の「遮断状態」および「接続状態」が切り替えられる。 - 特許庁
To secure connection reliability between a lower-layer conductor circuit and an upper-layer conductor circuit as a whole in a multilayered wiring board, even when connection defects occur in some of a plurality of via holes by collectively forming the via holes at formation of via holes through the interlayer insulating layer, on which the upper-layer conductor circuit is formed by a semi-aditive method.例文帳に追加
セミアディティブ法により上層導体回路が形成された層間絶縁層にバイアホールを形成するに際して複数のバイアホールを集合して形成することにより、複数のバイアホールの内いくつかに接続不良が発生した場合においても、配線板全体として下層導体回路と上層導体回路との接続信頼性を確実に保持することが可能な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁
For a semiconductor device having a pad electrode 109 connected to a connection means 110 for electrical connection to an external device, the pad electrode 109 directly below a connection part 111 between the pad electrode 109 and the connection means 110 for electrical connection to the external device contacts a wiring layer 104 of a semiconductor device without incorporating inclusions.例文帳に追加
外部装置と電気的に接続するための接続手段110を接続するパッド電極109を有する半導体装置において、前記外部装置と電気的に接続するための接続手段110と前記パッド電極109との接続部111直下の前記パッド電極109が、前記半導体装置の配線層104と、介在物を内蔵せず接していることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
The multilayer board, where a wiring pattern is formed on the surface or inner layer comprises: an inner layer wiring pattern 8 having a carbon connection section 28 that can be cut by applying laser beams 1; and a surface layer wiring pattern 9 connected to the inner layer wiring pattern 8 via through holes 14, 16.例文帳に追加
表面及び内層に配線パターンが形成された多層基板において、レーザ光1の照射により切断することが可能なカーボン接続部28を有する内層の配線パターン8と、内層の配線パターン8にスルーホール14、16を介して接続されてある表面の配線パターン9とを備える。 - 特許庁
In a structure where a wire (an upper auxiliary wire) formed on a sacrifice layer is electrically connected with a new wire (an upper connection wire) on the sacrifice layer, a wire thinning and a wire breakage or the like can be prevented in a stepped portion of the sacrifice layer of the wire formed on the sacrifice layer.例文帳に追加
犠牲層上に形成された配線(上部補助配線)が、犠牲層上において新たな配線(上部接続配線)と電気的に接続される構造とすることにより、犠牲層上に形成された配線の犠牲層の段差部分における配線細りや配線の断切れ等を防ぐことができる。 - 特許庁
The method of manufacturing the printed circuit board includes: laminating a buildup layer 120 on a base substrate 110 including a circuit layer 115 connected with a first via 114 penetrating an insulating layer; processing a viahole 160 penetrating the buildup layer 120 including at least a part of the first via 114; and forming an interlayer connection member 162 in the viahole 160.例文帳に追加
絶縁層に貫設された第1ビア114と連結された回路層115が形成されたベース基板110にビルドアップ層120を積層し、第1ビア114の少なくとも一部を含むビルドアップ層120を貫くビアホール160を加工し、ビアホール160に層間連結部材162を形成する。 - 特許庁
An upper substrate having an opening and formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening and having a conductive hole having a through-hole filled with conductive paste, and a lower substrate formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer are laminated, and heat and pressure are applied thereto.例文帳に追加
開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁
This is the heater built-in ceramics member composed of a ceramics insulator layer, a heater layer inside the ceramics insulator layer, and a reed electrode for an external connection to supply a current to the heater layer, and the reed electrode comprises including electroconductive metal silicide.例文帳に追加
セラミックス絶縁体層、セラミックス絶縁体層の内部にあるヒーター層、及び、ヒーター層に電流を供給するための外部接続用のリード電極からなるヒーター内蔵セラミックス部材であって、前記リード電極が導電性金属珪化物を含んでなることを特徴とするヒーター内蔵セラミックス部材及びその製造方法である。 - 特許庁
A first part superimposed on one end of the exposed surface includes a first metal layer where a plurality of connection terminals connected to the plurality of input terminals is formed, a base material, a second metal layer, and a through-hole for electrically connecting the first metal layer and the second metal layer via the base material.例文帳に追加
露出面の一端部に重畳される第一部分は、複数の前記入力端子に接続される複数の接続端子が形成された第一金属層、基材及び第二金属層を有するとともに、基材を介して第一金属層及び第二金属層を電気的に接続するスルーホールを有す。 - 特許庁
To provide a multilayer wiring board with a buildup structure and a method for manufacturing it by which connection between the first layer and the third layer and between the nth layer and the (n-1)th layer can be performed in high density and with a small number of steps and a structure of the multilayer wiring board which causes no blowing up of solder can be obtained.例文帳に追加
ビルドアップ構造の多層配線基板において、1層と3層、n層と(n−1)層間の接続を高密度に、かつ少ない工程数で行うことができると共に、半田のふき上がりが発生しない構造の多層配線基板を得ることができる多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Bonding property of a barrier layer to a foundation dielectric is improved by forming a bonding/interlaminar region (410) of a semiconductor substrate element (404) before deposition of a barrier layer (412), strength to the next mutual connection layer is improved without changing function of a barrier layer, and diffusion of Cu into a dielectric substrate is limited.例文帳に追加
バリア層(412)の堆積前に半導体基板素子(404)の接着/層間領域(410)を形成することによって、下地の誘電体に対するバリア層の接着性を改善し、バリア層の機能を変えることなく、次の相互接続層に対する強度を高め、Cuの誘電体基板内への拡散を制限する。 - 特許庁
The film thickness of a second resist layer 5 printed in an uppermost layer of a printed wiring board 12 is formed as a thicker film than those of conductive layers 2, 4, and the periphery of the connection region 10 of a first conductive layer 2 connected to a lead 8a of a semiconductor chip 8 is enclosed with a wall 5a of the second resist layer 5 formed as the thick film.例文帳に追加
プリント配線板12の最上位層に印刷される第2のレジスト層5の膜厚を、導電層2、4の膜厚よりも厚い厚膜に形成し、半導体チップ8のリード8aが接続される第1の導電層2の接続部位10周囲を厚膜に形成された第2のレジスト層5の壁5aで囲繞する。 - 特許庁
To provide a tubular body light and furnished with an excellent outer appearance, making connection of a point film layer of a lower layer and a coat layer made of metal firmer and making it difficult to cause cracking and peeling on the coat layer made of metal and a manufacturing method to easily manufacture the tubular body.例文帳に追加
軽量で、優れた外観を備えると共に、下層の塗膜層と金属からなる被膜層との結びつきをより強固なものとし、金属からなる被膜層にクラックや剥離をより発生させ難くしさせた管状体及びその管状体を容易に製造することのできる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a magnetic resistance effect film where a large exchange connection magnetic field and a magnetic resistance change rate are obtained even if only one base layer exists and to provide a magnetic head using the film in the magnetic resistance effect film where an anti-ferromagnetic layer and ferromagnetic layer are stacked and formed in order from a substrate-side through a base layer.例文帳に追加
基板側から下地層を介して、反強磁性体層、強磁性体層の順に積層形成された磁気抵抗効果膜において、下地層が1層でも大きな交換結合磁界と磁気抵抗変化率が得られる磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
A transparent insulating layer 2, a second transparent electrode layer 3, a light emitting layer 4, a reflective insulating layer 5, a backside electrode 6, electrode pads 7a, 7b for external connection are printed and formed in sequence on a transparent electrode 1b of a transparent conductive film 1 with a first transparent electrode 1b formed of ITO deposited on the single face of a transparent film 1a.例文帳に追加
透明フィルム1aの片面上にITO等の第1の透明電極1bを蒸着した透明導電フィルム1の透明電極1b上に、透明絶縁層2、第2の透明電極層3、発光層4、反射絶縁層5、裏面電極6、外部接続用の電極パッド7a,7bを順次印刷形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electrode with a collection layer, the method easily forming a primary collection layer intervened between a pair of electrode layers used as one electrode of a cell, and a collection layer for connection for connecting primary collection layers of a plurality of laminated cells.例文帳に追加
セルの一方の電極となる一対の電極層間に介在される主集電層と、積層した複数のセルの主集電層同士を接続するための接続用集電層とを容易に形成できる集電層付き電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a semiconductor device, a wiring layer, an insulation film formed on the wiring layer, a connection via and a dummy via formed on the insulation film for connecting the wiring layer, and a fuse electrode having at least one dummy via in the fuse wiring are included.例文帳に追加
配線層と、この配線層上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成された、前記配線層に接続するための接続ビアおよびダミービアと、ヒューズ配線内に少なくとも1つのダミービアを有するヒューズ電極とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
The inner layer part corresponding to the bonding pad part 6 is formed with a support copper pattern layer 15 comprising support wiring patterns 22 formed to the same layers as the copper wire pattern layers and support plug layers 23 formed in a way of applying inter-layer connection to the support wiring patterns 22.例文帳に追加
ボンディングパッド部6に対応する内層部に、銅配線パターン層と同層に形成された保持配線パターン22と、これら保持配線パターン22を層間接続するようにして形成された保持プラグ層23とからなる保持銅パターン層15を形成してなる。 - 特許庁
Even if a thickness of a displacement restraining layer 4 laminated on one end face 3a of the displacement layer 3 is increased so as to increase the displacement in the displacement layer 3, the electrical connection between the terminal electrode 16 and the individual electrode 5 does not become unsure.例文帳に追加
従って、変位層3の変位を大きくするために、変位層3の一端面3aに積層された変位拘束層4を厚くしても、それが原因となって、端子電極16と個別電極5との電気的な接続等が不確実になることはない。 - 特許庁
Then, when manufacturing the multilayer wiring board, a conductive layer formation material 14 is laminated on a surface of the insulation layer formation material 12, and shape forming is carried out so that contact parts between the conductive layer formation materials 11, 14 and the conductive wires 13 form metallic connection.例文帳に追加
そして、多層配線基板を製造するにあたっては、絶縁層形成材12の面上に導電層形成材14を積層し、導電層形成材11,14と導電性ワイヤ13との接触部分が金属結合を形成するような成形を行う。 - 特許庁
The insulating layer 34 formed by heating and hardening an inner wall insulating prepreg tape 24 is disposed in opposing surfaces 16A in mutually facing sides of a pair of brim parts 16, thus realizing mutual connection between the insulating layer 32 and the insulating layer 34.例文帳に追加
一対の鍔部16の相互に対向する側の対向面16Aに、内側壁絶縁用プリプレグテープ24が加熱硬化されて形成された絶縁層34が配置され、これら絶縁層32と絶縁層34との間が相互に連結した構造になっている。 - 特許庁
A connection terminal 10 applied to a circuit board has a transparent electrode layer 12 having a flat plane shape of rectangular shape provided on an insulating substrate 11 and a metal wiring layer 13 provided along the edge side part of the transparent electrode layer 12.例文帳に追加
回路基板に適用される接続端子10は、絶縁性の基板11上に設けられた矩形状の平面形状を有する透明電極層12と、当該透明電極層12の縁辺部に沿って設けられた金属配線層13と、を有している。 - 特許庁
A conductor layer 13 is formed on the insulating layer 15 through a metallizing method such as plating, sputtering or the like, and a wiring pattern 14 electrically connected to the connection terminal 4 of the electronic part 3 at openings 12 provided to the insulating layer 15 is formed by etching.例文帳に追加
絶縁層15上にメッキおよびスパッタリング等のメタライズ法により導電体層13を形成してエッチングすることによって、絶縁層15の開口部12において電子部品3の接続端子4と電気的に接続された配線パターン14を形成する。 - 特許庁
Namely the pair of the wiring for external connection have a first conductive layer composed of metal alone and metal compound formed on the lower substrate and a second conductive layer composed of a transparent conductive material laminated on the first conductive layer and constitute a two-layered structure.例文帳に追加
即ち一対の外部接続用配線は、下側基板上に形成された金属単体又は金属化合物よりなる第1導電層と、その第1導電層上に積層された透明導電材料よりなる第2導電層とを有し2層構造をなす。 - 特許庁
As a result, even if a displacement constraint layer 4 laminated on one end face 3a of the displacement layer 3 is made thick for increasing the displacement of the displacement layer 3, the electrical connection, or the like between the terminal electrode 16 and the individual electrode 5 will not become uncertain.例文帳に追加
従って、変位層3の変位を大きくするために、変位層3の一端面3aに積層された変位拘束層4を厚くしても、それが原因となって、端子電極16と個別電極5との電気的な接続等が不確実になることはない。 - 特許庁
To provide a connected ceramic wiring board having a high connection reliability between individual ceramic wiring boards formed with a plated layer evenly on a metallized layer in a recessed section and also provide a method for manufacturing such a wiring board and to provide a method for manufacturing the ceramic wiring board having the plated layer.例文帳に追加
凹部のメタライズ層上に均一にメッキ層が形成され、個分けしたセラミック配線基板の接続信頼性の高い連結セラミック配線基板、その製造方法、及び上記メッキ層を有するセラミック配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The connection layer 30 includes a solder layer 32 mechanically bonding the IGBT 11 and the circuit pattern 21, and a diode 31 that is provided so as to face a part of the IGBT 11 of which the temperature becomes maximum during operation, and has a higher electrical resistance than that of the solder layer 32.例文帳に追加
接続層30は、IGBT11と回路パターン21とを機械的に接合するはんだ層32と、駆動時に温度が最大になるIGBT11の一部に臨んで設けられはんだ層32と比較して電気抵抗が高いダイオード31と、を有する。 - 特許庁
This electric connection structure includes an earth plate which is coupled with the earth power of a semiconductor chip, an insulating layer 10 which is made on the earth plate, and a signal pattern layer 20 which has a signal pattern for transferring an electric signal with a semiconductor chip made on the insulating layer 10.例文帳に追加
半導体チップの接地電源に連結される接地板と、接地板上に形成される絶縁層10と、絶縁層10上に形成され、半導体チップと電気的信号をやり取りする信号パターンを有する信号パターン層20とを含む。 - 特許庁
When the external connection terminal 300 and first wiring terminal 350 are grown making contact with a support substrate 200, the external connection terminal 300 and first wiring layer 350 are not grown, in the direction of the substrate thickness by a lower surface of the support substrate 200 and thus the flat external connection terminal 300 and first wiring layer 350 with a uniform film thickness are formed in a surface of a substrate 100.例文帳に追加
外部接続端子300および第1の配線層350が成長して支持基板200に接触すると、外部接続端子300および第1の配線層350は支持基板200の下面によって基板厚さ方向への成長ができなくなり、基板100の面内で、平坦で膜厚が均一な外部接続端子300および第1の配線層350を形成する。 - 特許庁
In a connection combination type optical film, a transparent connection film is adhered via an adhesive agent layer or an adhesive layer to at least one side of the combination type optical film where at least one end faces of a plurality of optical films are made to but against each other and the combination type optical film is connected by the transparent connection film.例文帳に追加
複数枚の光学フィルムの少なくとも1つの端面が互いに突き合わされている組み合わせ型光学フィルムの少なくとも片面に、透明連結フィルムが粘着剤層または接着剤層を介して貼り合わされており、組み合わせ型光学フィルムが透明連結フィルムにより連結されていることを特徴とする連結組み合わせ型光学フィルム。 - 特許庁
Between the intermediate power wiring layer and an auxiliary power wiring layer, a plurality of first auxiliary connection vias connecting the first intermediate power wiring to first auxiliary power wiring and a plurality of second connection vias connecting the second intermediate power wiring to second auxiliary power wiring are arranged in the first direction, and a plurality of auxiliary connection via lines are arranged in the second direction.例文帳に追加
中間電源配線層と副電源配線層との間には、第1の中間電源配線と第1の副電源配線とを接続する第1の副接続ビアと、第2の中間電源配線と第2の副電源配線とを接続する第2の副接続ビアとが、それぞれ複数、第1の方向に並ぶ副接続ビア列が、第2の方向に複数配置される。 - 特許庁
例文 (999件) |
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