例文 (999件) |
connection layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3007件
A number of MOS transistors 52-1 to 52-n are aligned densely, a source S of a number of MOS transistors is connected to an aluminum wiring layer 64 for source common connection via a through-hole 73 for a source, and a drain D is connected to an aluminum wiring layer 63 for drain common connection via a through-hole 74 for a drain.例文帳に追加
多数のMOSトランジスタ52−1〜52−nが密に並んでおり、多数のMOSトランジスタのソースSがソース用スルーホール73を介してソース共通接続用アルミ配線層64と接続してあり、ドレインDがドレイン用スルーホール74を介してドレイン共通接続用アルミ配線層63と接続してある。 - 特許庁
A semiconductor device 1B of the upper layer includes an external connection electrode 6b which is connected with the upper surface connection terminal 7a of the semiconductor device 1A of the lower layer and a recess 9b into which a plurality of resin extrusions 8a of the sealing resin portion 5a are inserted on the lower surface of the wiring substrate 2b.例文帳に追加
上層の半導体装置1Bは、その配線基板2bの下面に、前記下層の半導体装置1Aの上面接続端子7aに対向して接続した外部接続電極6bと、前記封止樹脂部5aの複数の樹脂突起8aが挿入された凹部9bとを有している。 - 特許庁
If a predetermined linear electrode in the electrode layer has a wire breaking part C1, an end of the wire electrode 5a where the wire breaking part C1 is present and a wire electrode 5b adjacent to the wire electrode 5a where the wire breaking part C1 is present are connected to each other through a connection member 20, and after the connection, a semiconductor layer is formed.例文帳に追加
電極層の所定の線状電極に断線箇所C1がある場合、その断線箇所C1が存在する線状電極5aの端部と断線箇所が存在する線状電極5aに隣接する線状電極5bとを接続部材20を介して接続し、その接続後、半導体層を形成する。 - 特許庁
The printed wiring board is configured such that another through-hole 14 is provided in the vicinity of the through-hole 3 of the multilayer printed wiring board soldered with a solder iron, the through-holes undergo pattern connection with the aid of a surface layer (one surface or both surfaces), and further circuit connection with the through-hole provided separately is materialized through an internal intermediate layer.例文帳に追加
半田ごてにより半田付けされる多層プリント配線板のスルーホール3の近傍に、別途のスルーホール14を設けた上、当該スルーホール間を表面層( 片面もしくは両面) でパターン接続し、更に、別途設けた前記スルーホールとの回路接続を内部中間層で行うようなプリント配線板構造とする。 - 特許庁
In a process for mounting the semiconductor chip 10 on the substrate 30, the ball bump 20 is heated to a temperature which is lower than the melting point of the solder layer 36, and brought into contact with the electric connection part 32, and the ball bump 20 and the electric connection part 32 are heated to a temperature which is higher than the fusing point of the solder layer 36.例文帳に追加
半導体チップ10を基板30に搭載する工程では、ボールバンプ20をはんだ層36の融点よりも低い温度に加熱して電気的接続部32に接触させた後に、ボールバンプ20及び電気的接続部32をはんだ層36の融点よりも高い温度に加熱する。 - 特許庁
The electronic component holder includes a frame body 1, a holding plate 6 for freely detachably holding a semiconductor wafer 4 which is loosely fitted inside the frame body 1 and thinned, and a buffer connection layer 8 for connecting the frame body 1 and the holding plate 6, and flexibility is imparted to the frame body 1, the holding plate 6 and the buffer connection layer 8 respectively.例文帳に追加
枠体1と、この枠体1内に遊嵌されて薄化された半導体ウェーハ4を着脱自在に保持する保持板6と、これら枠体1と保持板6とを連結する緩衝連結層8とを備え、枠体1、保持板6、及び緩衝連結層8に可撓性をそれぞれ付与する。 - 特許庁
The electronic substrate 1 provided with an inductor element 40 on a base 10 is provided with a stress relaxation layer 30 provided between a connection terminal 63 to be used for connection with an opposite member and the base member 10, and easing a stress difference between the base 10 and the opposite member, wherein a core of the inductor element 40 is formed of a magnetic layer 31.例文帳に追加
基体10上にインダクタ素子40を備えた電子基板1であって、相手側部材との接続に使用される接続端子63と基体10との間に設けられ、基体10と相手側部材との応力差を緩和する応力緩和層30を備え、インダクタ素子40のコアが、磁性層31で形成されている。 - 特許庁
The probe card comprises a substrate 10 forming a wiring layer therein, a plurality of probe needles 16 aligned in 3 layers or more, a plurality of connection lands 18 to which the base ends of the probe needles 16 are electrically connected, and a plurality of tester lands 12 to which the connection lands 18 are electrically connected via the wiring layer.例文帳に追加
このプローブカードは、内部に配線層が形成された基板10と、3層以上に配列された多数のプローブ針16と、このプローブ針16の基端が電気的に接続されている多数の接続ランド18と、この接続ランド18が配線層を介して電気的に接続されている多数のテスターランド12とを備えている。 - 特許庁
Since openings 10c and 10d are formed at an embedded silicon oxide film 10b by dry etching and the SOI layer 10A is connected partially with a wafer 20 for a supporting substrate at a connection area part X, iron and nickel in the SOI layer 10A can be captured to the gettering site of the wafer 20 via the connection area part X.例文帳に追加
ドライエッチングにより埋め込みシリコン酸化膜10bに開口部10c,10dを形成し、SOI層10Aと支持基板用ウェーハ20とを連結領域部Xで部分的に連結したので、SOI層10A中の鉄、ニッケルを連結領域部Xを介して支持基板用ウェーハ20のゲッタリングサイトに捕獲できる。 - 特許庁
This thin-film electronic component is constituted by forming electronic component elements on an insulating substrate 1, further forming a protective layer, and extracting external connection electrodes, wherein a thin-film metal layer is formed with Ti or Ni on the main surface which is opposite to another main surface on which the external connection electrodes are formed.例文帳に追加
本発明は、絶縁基板1上に、電子部品素子を形成し、さらに保護層を形成し、外部接続用電極が導出されている薄膜電子部品であり、外部接続用電極が形成された主面と対向する主面にはTiやNiにより薄膜金属層が形成されている。 - 特許庁
The gate electrode of the non-linear element is connected with a scanning line or a signal line, the first wiring layer or the second wiring layer of the non-linear element for applying a potential of the gate electrode is directly connected with the gate electrode and, thereby, stable operation resulting from reduction of connection resistance and reduction in the occupancy area of the connection part are achieved.例文帳に追加
非線形素子のゲート電極を走査線又は信号線と接続し、ゲート電極の電位を印加するための非線形素子の第1配線層又は第2配線層とゲート電極の接続を直接接続することで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積の縮小を図る。 - 特許庁
Each of the cords 21 is composed of a pair of main body parts 21H extended in the direction of meridian over between both of end parts of the carcass layer 20 and a connection part 21R connecting the end parts on one side, and three cords 21 are arranged by overlapping them on a connection part 21R side in each of the end parts of the carcass layer 20.例文帳に追加
これらコード21を、カーカス層20の両端部間に渡って子午線方向に延びる一対の本体部21Hと、その一方の端部間を連結する連結部21Rから構成し、カーカス層20の各端部で3本のコード21を連結部21R側で重ね合わせて配置する。 - 特許庁
In this portable telephone set which is applicable for an information processor, a CPU of a main control part is provided with a control means which executes NAI middleware, and performs connection through a system layer by using a predetermined protocol, and acquires a connection request or disconnection request from each application program, and controls connection using a predetermined protocol by a connection means based on the acquired connection request or disconnection request.例文帳に追加
本発明に係る情報処理装置に適用可能な携帯電話機においては、主制御部のCPUは、NAIミドルウェアを実行し、所定のプロトコルを用いて接続をシステム層を介して行い、個々のアプリケーションプログラムからの接続要求または切断要求を取得し、取得された接続要求または切断要求に基づいて、接続手段による所定のプロトコルを用いた接続を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
To provide: a conductive connection sheet that reduces generation of a leakage current between adjacent terminals due to formation of an oxide film on a surface of a metal layer and formation of a void in a curable resin component; a method for connection between terminals using the conductive connection sheet; a method for forming a connection terminal; a semiconductor device with high reliability; and an electronic apparatus.例文帳に追加
金属層の表面における酸化膜の形成および硬化性樹脂成分中におけるボイドの発生に起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁
To provide a high-reliability electronic device allowing a minute wiring and connection part to be correctly and easily provided without causing defect due to a connection state between a conductive region of a lower layer and the wiring/connection part which becomes a problem when forming the wiring/connection part by filling a void part formed on an interlayer insulation film with a conductive material.例文帳に追加
層間絶縁膜に形成した空隙部を導電材料で充填して配線・接続部を形成する際に問題となる、下層の導電領域と配線・接続部との接続状態に起因する不都合を生ぜしめることなく、微細な配線及び接続部が所望の状態に正確且つ容易に実現されてなる信頼性の高い電子デバイスを実現する。 - 特許庁
In the wiring pattern 24, a zincate treatment is performed to surfaces of the electrode pads 22 of the semiconductor chip 12, connection electrodes 23 are formed, a seed layer 28 is formed on a Pb containing resin layer 26 by electroless plating, and a re-wiring 30 is formed on the seed layer 28 by electrolytic solder plating.例文帳に追加
また、配線パターン24は、半導体チップ12の電極パッド22の表面にジンケート処理を施して接続電極23を形成した後、Pb含有樹脂層26に無電解めっきによりシード層28を形成し、シード層28に再配線30を電解めっきにより形成したものである。 - 特許庁
To improve reliability in electrical connection by absorbing strain caused at the interface between a conductive paste and an insulating layer or a circuit layer so that the stress caused between fillers in the conductive paste and at the contact part between the filler and the circuit layer is reduced.例文帳に追加
導電性ペーストと絶縁層または回路層との界面に生じようとする歪を吸収することで、導電性ペースト中のフィラーどうし間、および、フィラーと回路層との接触部分に生じる応力を減少させて電気的接続の信頼性を向上する。 - 特許庁
This optical connection component is manufactured by wiring the optical fibers 4 on one surface of the filmy base material 1, forming a 1st resin protection layer thereupon, and then forming a 2nd resin protection layer of the same or a different resin material with or from the resin protection layer on the other surface of the filmy base material 1.例文帳に追加
この光学接続部品は、フィルム状基材の一面に、光ファイバを配線し、その上に第1の樹脂保護層を形成し、次いで、フィルム状基材の他面に、前記樹脂保護層と同一または異なる樹脂材料よりなる第2の樹脂保護層を形成することによって作製する。 - 特許庁
The board 10 for mounting the elements includes an insulating resin layer 12, wiring layers 14 provided on one major surface S1 of the insulating resin layer 12, and bump electrodes 16 in electrical connection with the wiring layers 14, protruding toward the insulating resin layer 12 side from the wiring layers 14, respectively.例文帳に追加
素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16とを備える。 - 特許庁
An inter-network interconnection apparatus of the present invention comprises: an interface board which includes a plurality of input/output ports and performs lower-layer processing on traffic; a higher-layer processing board for performing higher-layer processing; and an inter-board connection board interposed for information transfer therebetween.例文帳に追加
本発明の網間相互接続装置は、複数の入出力ポートを有し、トラフィックに対する低位レイヤの処理を行うインタフェースボードと、高位レイヤの処理を行う高位レイヤ処理ボードと、これらボード間の情報転送に介在するボード間接続用ボードとを備える。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent panel capable of forming a film patterning in such a way that a passivation layer covers an organic electroluminescece layer avoiding an electrode connection part on an organic electroluminescent substrate without degradation of original performance of the passivation layer, and to provide a mask used for the same.例文帳に追加
パッシベーション層本来の性能を低下させることなく、有機エレクトロルミネッセンス基板上の電極接続部にのみパッシベーション層が被覆しないようにパターニング成膜することのできる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とそれに用いるマスクを提供する。 - 特許庁
A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加
ソース・ドレイン高濃度領域48の上表面には第1層目の金属配線49と第2層目の金属配線50と第3層目の金属配線52が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域48から第3金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁
A method of manufacturing the electronic device includes forming a solder connection portion 1 by the steps of: forming a Ni plating layer 3 on a Cu layer as an electrode of a substrate 5; forming a solder ball; and having a compound layer 2 between a Sn-based solder 8 which includes a Cu6Sn5 phase in a temperature range from a room temperature to 200°C.例文帳に追加
電子装置のはんだ接続部1において、基板5の電極となるCu層上にNiめっき層3が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から200℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ8との間に化合物層2を有する。 - 特許庁
The manufacturing method of a multilayer wiring substrate comprises a bump forming process of forming bumps for interlayer connection on a substrate, an insulating layer formation process of forming an insulating layer on the substrate, wherein the bumps are formed, a thermocompression bonding process for bonding copper foil by thermocompression on an insulating layer, and a patterning process of patterning copper foil.例文帳に追加
基材上に層間接続のためのバンプを形成するバンプ形成工程と、バンプが形成された基材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上に銅箔を熱圧着する熱圧着工程と、銅箔をパターニングするパターニング工程とを有する。 - 特許庁
A tungsten film 7a is formed inside a connection hole 5 reaching the lower wiring layer 3 and on the surface of an interlayer insulating film 4 through a barrier metal layer (TiN film/Ti film) 6, and an etching back process is performed on the whole surface to form the tungsten plug 7 and to expose the barrier metal layer 6 on the interlayer insulating film 4.例文帳に追加
下層配線層3に達する接続孔5内および層間絶縁膜4表面にバリアメタル層(TiN膜/Ti膜)6を介してタングステン膜7aを成膜し、全面エッチバックによりタングステンプラグ7を形成して層間絶縁膜4上のバリアメタル層6を露出させる。 - 特許庁
In order to prevent the occurrence of a crack of the base body 1, a glass-based covering layer 23 is formed throughout the connection terminal 14, the metalized layer 12 and the circumferential surface of the base body, and the covering layer 23 should contain an alkaline metal or alkaline earth metal constituent at 10 wt.% or less in terms of an oxide.例文帳に追加
基体1のクラックの発生を防ぐために、接続端子14、メタライズ層12および基体の外周面にわたってガラス質の被覆層23を形成し、この被覆層23は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属成分を、酸化物換算で10wt%以下含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which prevents the generation of notch of an insulating layer in a via hole bottom formed in a semiconductor substrate, avoid a damage which may be caused in an interconnect layer under the via hole, and can reduce electric insulating deterioration and poor connection of the interconnect layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A required wiring pattern 3 is formed including a required terminal part where openings 9 required for electrical connection with a counterpart flexible circuit board 8 for interconnection through an insulating base layer 2 are formed not only in one surface of a resilient metal layer 1 but also in the insulating base layer 2.例文帳に追加
バネ性金属層1の一方面に絶縁べ−ス層2を介して相手方の中継用可撓性回路基板8と電気的接続を図るために必要な開口部9を絶縁べ−ス層2にも備えるように所要の端子部を含めて所要の配線パタ−ン3を形成する。 - 特許庁
The wiring substrate is constituted by covering surfaces of solder connection pads 3 and 4 made of copper with an electroless tin plating layer 6 containing silver to a thickness of 1.5 to 2.0 μm, and the electroless tin plating layer 6 has a silver segregation layer of 1.0 to 5.0 mass% in content of silver formed on its surface.例文帳に追加
銅から成る半田接続パッド3,4の表面に、銀を含有する無電解錫めっき層6を1.5〜2.0μmの厚みに被着させて成る配線基板であって、前記無電解錫めっき層6は、表面に銀の含有量が1.0〜5.0質量%である銀偏析層が形成されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a hose with a sealing layer capable of properly modifying an inner surface of an innermost layer of a connection part by exerting action of plasma gas and capable of firmly adhering the sealing layer to the inner surface with a strong adhering force even in the case that the hose has a large inner diameter.例文帳に追加
内径の大きなホースであってもプラズマガスを作用させることにより良好に接続部の最内層を内面改質し得、シール層をその内面に強い接着力で強固に接着することのできるシール層付ホースの製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device 100 comprises a pad member 12 having an electrical connection region 12a, an insulation layer 13 formed on the pad member 12, an underlying metal layer 14 formed on the pad member 12, and a bump electrode 15 provided on the underlying metal layer 14.例文帳に追加
本発明の半導体装置100は、電気的接続領域12aを有するパッド部材12と、パッド部材12上に形成された絶縁層13と、パッド部材12上に形成された下地用金属層14と、下地用金属層14上に設けられたバンプ電極15とを含む。 - 特許庁
Through laser machining employing irradiation with a laser beam, an opening 13 is bored in a lower-layer insulating film 1 and an adhesion layer 3 at a part corresponding to a reverse-surface center portion of a connection pad portion 10a of wiring 10 of the semiconductor constitution body 2 by using a mask metal layer 52 having an opening 53 as a mask.例文帳に追加
レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部53を有するマスク金属層52をマスクとして、半導体構成体2の配線10の接続パッド部10aの下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜1および接着層3に開口部13を形成する。 - 特許庁
An array substrata 100 is provided with a wiring part X, switching elements, an insulation layer 24 formed by covering the wiring part and the switching elements and pixel electrodes 151, formed on the insulation layer in a matrix and connection to the switching elements, via contact holes formed on the insulation layer.例文帳に追加
アレイ基板100は、配線部Xと、スイッチング素子と、配線部及びスイッチング素子を覆って形成された絶縁膜24と、絶縁膜上にマトリクス状に形成され絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子に接続された画素電極151と、を有している。 - 特許庁
The connection part for connecting the stair part 21 to the walking part 20 with the mortar layer 25 formed on a waterproof sheet 23, with a clearance 60 between the mortar layer 25 and the stair part 21, is provided with an outflow preventing member 65 for preventing the outflow of the efflorescence cause material from a mortar layer end face 61 facing the clearance 60.例文帳に追加
防水シート23上にモルタル層25を形成した歩行部20に対して、そのモルタル層25との間に隙間60をあけて階段部21を接続した接続部分において、隙間60に臨んだモルタル層端面61からの白華原因物質の流出を防止する流出防止部材65を設ける。 - 特許庁
The connection layer 2 comprises a large number of columnar bodies 20 for connecting the first layer 1 and the second layer 3 in the thickness direction and a large number of vacancies 21, the vacancies 21 are communicated with each other vertically relative to the thickness direction, the air-permeation property is possessed in the thickness direction of the whole of the molded product.例文帳に追加
連結層2は、第1層1と第2層3とを厚さ方向で連結する多数の柱状体20と多数の空孔21とよりなり、空孔21どうしが厚さ方向に対して垂直方向に互いに連通し、成形体全体の厚さ方向に通気性を有する。 - 特許庁
To provide a method of producing a plated layer by which, particularly, in a form where the lowest layer of the plated layers, or the whole is composed of a gold plated layer, the peeling of resists can be prevented, and the stacked plated layers can be formed at prescribed shape, and to provide a method of producing a connection device using the same.例文帳に追加
特にメッキ層の最下層、あるいは全体を金メッキ層とする形態において、レジスト剥離を防止でき、前記積層メッキ層を所定形状で形成することが可能なメッキ層の製造方法、及びそれを用いた接続装置の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
The conductor element is constituted as a multilayer conductor with a large number of layers 5 having layer ends 6, 7 in the conductor ends 2, 3, and the connection circuit 4 is constituted to make layer currents 11, 12, 13 having an equal level flow in the layer 5, when when operating the conductor element at the resonance frequency.例文帳に追加
導体要素は導体端(2,3)に層端(6,7)を有する多数の層(5)を備えた多層導体として構成され、接続回路(4)は共振周波数での導体要素の動作時に層(5)内を互いに等しい大きさの層電流(I1,I2,I3)が流れるように構成されている。 - 特許庁
This ion sensor used for a combustion nozzle of a gas turbine combustor and for the surface of other combustors has a dielectric layer and an electrode layer both formed using thin film coating, and this method enables electric connection to the electrode layer.例文帳に追加
本発明は、ガスタービン燃焼器の燃料ノズルおよび他の燃焼器の表面に使用されるイオンセンサであって、薄膜コーティングを用いて誘電体層および電極層の両方を形成するイオンセンサと、電極層への電気接続を可能にする方法とを提供する。 - 特許庁
Surfaces of the swelling inner zone surface part 27, the swelling connection part 29 and the swelling outer zone part 31 of the plate body 15 are formed with a skin layer 33 having high resin density by swelling, and formed with a swelling layer 35 having multiple cavities inside thereof and having resin density lower than that of the skin layer 33.例文帳に追加
プレート本体15の膨出内域面部27、膨出連結部29及び膨出外域面部31の表面に、膨張成形で、樹脂密度の高いスキン層33を形成するとともに、内部に多数の空隙を有しスキン層33に比べて樹脂密度の低い膨張層35を形成する。 - 特許庁
A step is formed between a first region in which the pad 42 of the IC E2 is formed, and a second region in which the first metal layer 19 for electrical connection and the first metal layer 18 for sealing are formed in a protective insulating layer 40 on the sensor substrate 1.例文帳に追加
センサ基板1は、保護絶縁層40においてIC部E2のパッド42が形成された第1の領域と第1の電気接続用金属層19および第1の封止用金属層18が形成された第2の領域との間に段差が形成されている。 - 特許庁
On a bottom surface of a connection hole 8 formed on the metal cap layer 6 consisting of a Cu wiring portion CL1, a silicide region 6s, and a non-silicide region 6n, a barrier metal layer 13a and the silicide region 6s of the cap metal layer 6 are selectively removed through Ar sputtering processing.例文帳に追加
Cu配線部CL1及びシリサイド領域6s及び非シリサイド領域6nよりなるキャップメタル層6上に形成される接続孔8の底面において、Arスパッタ処理により、バリアメタル層13a及びキャップメタル層6のシリサイド領域6sを選択的に除去する。 - 特許庁
Etching of an electrode forming material layer M is carried out by having a resist R1 patterned into a shape provided with a part or all of a connection electrode forming part R1C with a width, which is equal to or greater than the set beforehand width of the connection electrode E3 which is necessary for connection of a display electrode E1 and a drawing electrode E2 in the manufacturing method.例文帳に追加
レジストR1が、接続電極成形部分R1Cの一部または全部が表示電極E1と引出電極E2の接続に必要な予め設定された接続電極E3の幅以上の大きさの幅を有する形状にパターニングされて、電極形成材料層Mのエッチングが行われる。 - 特許庁
The connection part 18 for the fuel tank is composed of a connection part 20 made of a synthetic resin having gas-barrier properties, and a welding part 31 which is made of the synthetic resin of the synthetic resin layer 13 of the synthetic resin fuel tank 11 and head-welded to the outer surface of the connection part 20.例文帳に追加
燃料タンク用接続部品18は、気体遮断性を有する合成樹脂材料により形成された接続部品20と、合成樹脂製燃料タンク11の合成樹脂層13と同じ合成樹脂材料により形成され、接続部品20の外面に加熱溶着された溶着部31とから構成されている。 - 特許庁
Further as the guide members 3 are disposed in clearance gaps between connection pipes, the circulating direction of the external fluid circulated in the clearance gaps can be changed, and separation of a temperature boundary layer generated on the connection pipes can be promoted, thus heat exchange by the contact of the connection pipes 28 and the external fluid can be improved.例文帳に追加
また、ガイド部材3は、連結パイプ同士の隙間に配設されているため、その隙間を流通する外部流体の流通方向を変えることができ、連結パイプに生ずる温度境界層の剥離を促すことができ、こうして、連結パイプ28と外部流体との接触での熱交換を高めることができるようになる。 - 特許庁
The pixel electrode 27 is provided with a connection region to which connection wiring for electrically connecting the pixel electrode 27 to power supply potential, and an arrangement region where a functional layer in which at least a part region of regions other than the connection region constitutes the electrooptical element is arranged.例文帳に追加
画素電極27には画素電極27と電源電位とを電気的に接続するための接続配線が接続された接続領域が設けられるとともに、接続領域以外の領域のうち少なくとも一部の領域が電気光学素子を構成する機能層が配置される配置領域が設けられている。 - 特許庁
The connection ends 1 and 2 are fitted to each other telescopically in order to form an overlapping region 3, where the bonding agent layer 4 is formed between the two connection ends 1 and 2 in the overlapping region 3, and the connection ends 1 and 2 are fitted to each other telescopically and pre-stressed in the radial direction at 20°C approximately.例文帳に追加
両接続端部1、2は重なり合い領域3を形成するため互いに入れ子式に嵌入され、重なり合い領域3における両接続端部1、2の間に接着剤層4が形成され、両接続端部1、2は、約20℃にて互いに径方向にプレストレスされるように入れ子式に嵌入されている。 - 特許庁
An outer package case 11 of an electric double-layer capacitor device has first connection means 3 and 4 provided on both the opposing surfaces to directly connect at least two products, and second connection means 7a and 8a, provided on both the opposing surfaces other than the first connection means 3 and 4.例文帳に追加
電気二重層コンデンサ装置の外装ケース11は、2個以上の製品を直接接続するよう互いに対向する一面の双方に設けた第1の結合手段3,4と、該第1の結合手段3,4を除く互いに対向する一面の双方に設けた第2の結合手段7a,8aとを有している。 - 特許庁
According to the sheet waterproofing fixing structure, a connection sheet 4 is arranged between the construction 9 and the fixture 2 so as to overhang from a peripheral edge of the fixture 2, and the connection sheet 4 and the fixture 2 are fixed to the construction by a fixing anchor 3, followed by connecting the laid sheet waterproof layer 1 to peripheral portions 4a of the connection sheet 4 overhanging from the fixture 2.例文帳に追加
構造物9と固定金具2の間に、その固定金具2の外周より張り出す態様で接合シート4を設け、固定アンカー3により接合シート4と固定金具2を固定し、その後敷設されるシート防水層1を固定金具2より張り出した接合シート4の外周部4aと接合する。 - 特許庁
At the pixel electrode 27, a connection region to which a connection wiring is connected in order to electrically connect the pixel electrode 27 and a power supply are installed, and an arrangement region where a functional layer in which at least one part of a region aside from the region of the connection region is constituted of the electrooptical element is installed.例文帳に追加
画素電極27には画素電極27と電源電位とを電気的に接続するための接続配線が接続された接続領域が設けられるとともに、接続領域以外の領域のうち少なくとも一部の領域が電気光学素子を構成する機能層が配置される配置領域が設けられている。 - 特許庁
To provide a terminal connection structure of electronic equipment using an anisotropic conductor layer and a flexible substrate capable of improving utilization rate of a conductor particle, by the above, augmentation of resistance rate of the terminal connection is prevented, and reliability of the terminal connection can be improved.例文帳に追加
異方性導電層を用いた電子機器の端子接続構造、及び、これに用いるフレキシブル基板において、導電粒子の利用率を向上させることができ、これにより、端子接続の抵抗率の増大を防止するとともに端子接続の信頼性を向上することができるものを提供する。 - 特許庁
例文 (999件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|