「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

A topology search part 151 performs topology search processing according to layers using physical connection information 152 and setting information 153 of each equipment as input and outputs topology 154 for over a plurality of layers consisting of topology 171 of a MAC layer, topology 172 of an IP layer, topology 173 of a TCP/UDP layer and topology 174 of an application layer.例文帳に追加

トポロジ探索部１５１は、物理接続情報１５２と各機器の設定情報１５３を入力として、レイヤ別のトポロジ探索処理を行い、ＭＡＣレイヤのトポロジ１７１、ＩＰレイヤのトポロジ１７２、ＴＣＰ／ＵＤＰレイヤのトポロジ１７３、およびアプリケーションレイヤのトポロジ１７４からなる、複数レイヤにわたるトポロジ１５４を出力する。 - 特許庁

To obtain a thin semiconductor device in which a semiconductor structure, referred to as a CSP, is provided on a base plate, an insulation layer is provided on the base plate around the semiconductor structure, upper layer wiring is provided on the semiconductor structure and the insulation layer, and a solder ball is provided on the connection pad of the upper layer wiring.例文帳に追加

ベース板上にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が設けられ、半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層上に上層配線が設けられ、上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられた半導体装置において、薄型化を図る。 - 特許庁

In this system 1, position information and connection information about a pin of each component are obtained from a pin position information file 21 and a net list 22, order information about an added layer is obtained from an addition layer configuration definition file 23, or information about a via diameter in each layer, thereby, a layer configuration, a via and a wiring inhibition area are stored in a storage device 3.例文帳に追加

本システム１はピン位置情報ファイル２１、ネットリストファイル２２から、各部品のピンの位置、接続情報を得て、また追加層構成定義ファイル２３より追加する層の順序情報や、各層でのヴィア径の情報により、配線の障害となる情報を得て、層構成、ヴィア、配線禁止領域を記憶装置３に記憶させる。 - 特許庁

In this information transfer method through data connection by protocol stacks 206 and 210 equipped with a certain fixed first protocol layer and a certain fixed second protocol layer, a protocol identifier is generated, and the value of the protocol identifier is decided according to the first protocol layer in the protocol stack, and the protocol identifier is transferred to the second protocol layer in the protocol stack.例文帳に追加

ある一定の第１のプロトコル・レイヤとある一定の第２のプロトコル・レイヤとを備えるプロトコル・スタック(206、210)によるデータ接続を介した情報転送方法は、プロトコル識別子を生成し、プロトコル・スタック中の第１のプロトコル・レイヤに従ってプロトコル識別子の値を決定し、プロトコル・スタック中の第２のプロトコル・レイヤへプロトコル識別子を転送する。 - 特許庁

A low-elasticity resin layer 3 is provided at a joint between a chip 1 and a wiring layer 4 connected to an outer connection terminal, and the wiring layer 4 formed on the low-elasticity resin layer 3 and an electrode 2 formed on the chip 1 are connected together with a bonding wire 6, so as to relax stresses from concentrating at joints.例文帳に追加

チップ１と外部接続端子に接続するための配線層４との接続部に、弾性率の低い低弾性樹脂層３を使用し、低弾性樹脂層３上に形成された配線層４とチップ１上の電極２とをバネ性のあるボンディングワイヤ６を用いてワイヤーボンド接続することで接続部に加わる応力集中を緩和する接続構造。 - 特許庁

Thus, when the block-like electrode 11a is bonded to the power-feeding first and second wiring conductors 7a via an electrode bonding layer 13, the molten bonding layer material which is going to flow from the power-feeding first and second wiring conductors 7a to the wiring conductors 9a for connection can be blocked by the bonding layer material flowout preventing layer 21a.例文帳に追加

これにより、ブロック状電極１１ａを給電用第１、第２配線導体７ａに電極接合層１３を介して接合する際に、給電用第１、第２配線導体７ａから接続用配線導体９ａに流れ出そうとする溶融した接合層材料を、接合層材料流出抑制層２１ａにより堰き止めることができる。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate without a core layer comprises (a) a step to form an insulating layer on the whole surface of a metallic sheet, (b) a step to form a via-hole on the insulating layer for interlayer electrical connection between the metallic sheet and other layer surface, and (c) a step to form many projected functional pads by etching the metallic sheet.例文帳に追加

（ａ）金属シートの一面に絶縁層を形成する段階と、（ｂ）上記絶縁層に上記金属シートと他面の層間電気的接続のためのビアホールを形成する段階と、及び（ｃ）上記金属シートをエッチングすることで突出された多数の機能パッドを形成する段階とを含むコア層のない基板製造方法が提供される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first barrier layer 21 is provided in the state of covering the inner wall of a connection hole 15 provided on a first interlayer insulating film 13 on a substrate 11, and of a wiring groove 16 provided on a second inter-layer insulating film 14.例文帳に追加

基板１１上の第１の層間絶縁膜１３に設けられた接続孔１５および、第２の層間絶縁膜１４に設けられた配線溝１６の内壁を覆う状態で第１のバリア層２１が設けられている。 - 特許庁

The garnish layer 26 is provided on the external surface of the trim 5 or the like via a resin adhesive layer 25 so that its end edge outside the vehicle can be arranged at the side end of the connection part 13 of the vehicle outer side wall 12 of at least the trim 5.例文帳に追加

少なくともトリム部５の車外側側壁部１２の連結部１３側端部にその車外側端縁部が配置されるように、トリム部５等の外表面に樹脂接着層２５を介して加飾層２６が設けられる。 - 特許庁

To provide a resin sealed semiconductor device which can make the thickness of a solder layer for pellet connection constant, and can improve stress to a pellet, and the fatigue breakdown of a solder layer due to different thermal expansion coefficients of the pellet, disk and lead frame, at the time of temperature cycle.例文帳に追加

ペレット接続用の半田層の厚さを一定にでき、温度サイクル時、ペレット、ディスク、リードフレームの熱膨張係数差によるペレットへの応力、半田層の疲労破壊を改善しえる樹脂封止半導体装置を提供する。 - 特許庁

Windows 12-14 are made in an outer surface side layer 3 for preventing shrinkage of a ceramic layer 2 for a substrate and only connection lands 9-11, provided by a wiring conductor 4, are exposed from the windows 12-14.例文帳に追加

基体用セラミック層２の収縮抑制のために形成された外面側収縮抑制層３において窓１２〜１４を形成し、配線導体４によって与えられる接続ランド９〜１１のみを窓１２〜１４から露出させる。 - 特許庁

Thus, since the flow of the magnetic flux from the yoke layer 11 to the magnetic pole layer 12 is properly controlled by using the drawing operation of the magnetic fluxes on the connection surface AM, the unintended overwriting of information is prevented during recording.例文帳に追加

したがって、接続面ＡＭにおける磁束の絞り込み作用を利用して、ヨーク層１１から磁極層１２に至る磁束の流れが適正に制御されるため、記録時における意図しない情報の上書きが防止される。 - 特許庁

The ceramic dielectric layer 50 made of the intricate ceramic material, a metal conductive layer 51 are formed, while they are flush with each other for lamination, and a terminal connection pad array 155 for connecting electronic parts 1 is formed on one main surface.例文帳に追加

緻密化したセラミック材料からなるセラミック誘電体層５０と金属導体層５１が面一に形成されて積層され、一方の主面に電子部品１を接続するための端子接続パッドアレイ１５５が形成される。 - 特許庁

The double-sided board is equipped with wiring circuits on both its sides, an interlayer connection via filled up with plating, one conductor layer formed of conductor foil, and the other conductor layer formed of plating on an etched surface.例文帳に追加

両面に配線回路を備えると共に層間接続ビアがめっきにて充填され、かつ一方の導体層が導体箔で形成されていると共に他方の導体層がエッチング処理面にめっきで形成されている両面基板。 - 特許庁

During the ultrasonic connection, an ultrasonic wave is applied to an ultrasonic tool 13 to break the coating layer 14, and the lead terminal 11 and pad 10 on both sides of the coating layer 14 are connected directly to each other through plastic flowing.例文帳に追加

超音波接続時には、超音波ツール１３により超音波を印加することによってコーティング層１４は破壊され、コーティング層１４の両側にあるリード端子１１とパッド１０とが塑性流動により直接接続される。 - 特許庁

At the same time, a signal line 86 for transmitting a control signal and a power source line 87 for power supply are connected electrically to the signal layer 75 and the power source layer 77 at the second connection part 82 of the rotary shaft 73, respectively.例文帳に追加

また、回転軸７３の第２接続部８２において、制御信号を伝送するための信号線８６及び電源供給用の電源線８７が、信号層７５及び電源層７７にそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

A TiN film exists in the uppermost layer and no transparent conductive film contacts with the upper layer in the TiN film, so that surface corrosion in a scanning line terminal part 22 is suppressed while increase in the connection resistance is suppressed, thereby improving reliability.例文帳に追加

また、最上層にＴｉＮ膜が存在し、このＴｉＮ膜には上層に透明導電膜が接していないことで、走査線端子部２２での表面腐食を抑制し、かつ接続抵抗の増加を抑制して信頼性を高める。 - 特許庁

Thus, a second electrode 4 of the photoelectric conversion layer 3 having been separated by the connection groove 17, is connected to a first electrode 2 of an adjoining photoelectric conversion film layer 3, and the cells of a thin-film solar battery are connected in series.例文帳に追加

これにより、接続溝１７を介して分離された光電変換膜層３の第２電極４とその隣の光電変換膜層３の第１電極２とが接続されて、薄膜太陽電池のセルどうしが直列接続される。 - 特許庁

To prevent the flange connection part of a double annular container which stores the catalyst layer of a reformer enabling material gas to lead to a heated catalyst layer so as to generate hydrogen-rich reformed gas and heated by a burner from being destroyed due to a difference in thermal expansion.例文帳に追加

原料ガスを加熱した触媒層に通じ水素リッチの改質ガスを生成する改質器の触媒層を収容しバーナーで加熱される二重円環状容器のフランジ接合部の熱膨張差による破壊を防止する。 - 特許庁

To enable a silicide layer with uniform film thickness and film quality to be formed on a source-drain region, restrain junction leak in a MOS structure low and ensure good electrical connection between the silicide layer and metallic wiring.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域上に膜厚及び膜質の均一なシリサイド層を形成することができ、ＭＯＳ構造における接合リークを低く抑えることができ、且つシリサイド層と金属配線との良好な電気的接続を確保する。 - 特許庁

Resistance layers 21 and 22 are arranged in a partial area of a yoke part 13B of the upper magnetic pole layer 13 except the part in the vicinity of the connection part to a magnetic pole part 13A and that to the upper magnetic pole layer.例文帳に追加

抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分および下部磁極層との連結部の近傍の部分を除いた一部の領域に配置されている。 - 特許庁

Drain - drain connection layers 31a and 31b are formed on a first-layer interlayer insulation layer 65, and each connects the drain of the drive transistor Q3 and that of the load transistor Q5, and that of the drive transistor Q4 and that of the load transistor Q6.例文帳に追加

ドレイン−ドレイン接続層３１ａ，３１ｂは第１層目の層間絶縁層６５上に形成され、其々が駆動トランジスタＱ_3のドレインと負荷トランジスタＱ_5のドレイン、駆動トランジスタＱ_4のドレインと負荷トランジスタＱ_6のドレインを接続する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal core board which is capable of improving the reliability of a connection between a metal layer serving as a core material of the metal core board and a plating layer inside a viahole, and easily carrying out via-fill plating or easily filling the viahole with plating.例文帳に追加

メタルコア基板のコア材としての金属層とビアホール内のめっき層との接続信頼性が高いと共に、ビアホール内をめっきでフィルするビアフィルめっきが容易なメタルコア基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the conductor layers 2, 3, the thin film conductor layer 6 and the conductor layer 7 are processed by patterning, and wiring layers 2a, 7a and lands for grating-like outside connection 3a, 7a are formed to obtain the film carrier 10.例文帳に追加

次に、導体層２、導体層３、薄膜導体層６及び導体層７をパターニング処理し、配線層２ａ及び７ａと格子状の外部接続用ランド３ａ及び７ｂを形成して、本発明のフィルムキャリア１０を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing a substrate for an inkjet head comprises a step for forming a layer (208), on the pad part (103) of an electrode wiring, for preventing contamination to occur in a substrate manufacturing process, and a step for removing the layer (208) prior to the connection between the pad part and the wiring member.例文帳に追加

電極配線のパッド部（１０３）上に基板製造プロセスで生じる汚染を防止するための層（２０８）を形成する工程と、パッド部と配線部材との接続に先立って層（２０８）を除去する工程とを具える。 - 特許庁

An anode wire WYA1 extending from a segment A1 is entirely covered by an insulation layer 3, and the insulation layer 3 is removed from its portion electrically connected to an inter-anode connection wire WXA to form an opening part CH.例文帳に追加

セグメントＡ１から延在する陽極配線ＷＹＡ１は全体が絶縁層３で覆われ、陽極間接続配線ＷＸＡと電気的に接続される部分においては絶縁層３が除去され開口部ＣＨとなっている。 - 特許庁

A supporting substrate 1 is formed of materials such as resin or ceramic or the like, and provided with a metal wiring layer 9 in which wiring and positive elements are formed and connection pads 4, 4a, and 4b connected to the metal wiring layer 9.例文帳に追加

支持基板１は、樹脂またはセラミック等の材料から形成されており、配線および受動素子が形成された金属配線層９と、金属配線層９に接続された接続パッド４、４ａおよび４ｂを有する。 - 特許庁

Since the electrode terminal is constituted of divided upper layer electrodes 2E and the lower electrode 1E connecting them in the connection structure, waviness of the upper layer electrodes 2E can be suppressed and characteristics of the electronic device can be enhanced.例文帳に追加

かかる構造によれば、電極端子を分割された上層電極〔2E〕とそれらを接続する下層電極〔1E〕とで構成したので、上層電極〔2E〕の波状化を抑制し、電子デバイスの特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a highly durable solid tire constituted of an inner layer made of rubber material and an outer layer made of polyurethane elastomer material by effectively enhancing connection strength between these two layers.例文帳に追加

ゴム材質からなる内側層とポリウレタンエラストマー材料からなる外側層にて構成される複合ソリッドタイヤにおいて、それら２つの層の接合強度が効果的に高められた、耐久性に優れた複合ソリッドタイヤを提供すること。 - 特許庁

In an electric connection area not coated with the protective film 12 on the Al pad 11, an electroless Ni plating layer 13 is formed by self-depositing Ni plating and a thin Au plating layer 14 is formed thereon.例文帳に追加

Ａｌパッド１１上において、保護膜１２の被覆されていない電気的接続領域上にＮｉメッキを自己析出させ固定した無電解Ｎｉメッキ層１３及びその上に薄いＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁

The second organic layer having a function for increasing the luminescence efficiency is formed on the transparent conductive anode electrode 8 before laminating on the organic electroluminescent layer 4a, 4b, 4c, enabling a tight connection between the organic materials.例文帳に追加

さらに、透明導電性のアノード電極８上に発光効率を向上する機能を有する第２の有機層を形成してから有機発光層４ａ，４ｂ，４ｃと重ね合わせることで、有機物同士の接続が緻密となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which when upper layer wiring having wiring in top layer in specific is formed by a wiring forming method using the dual damascene method, a crown fence generated around a connection hole is easily removed to obtain high reliability.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いる配線形成方法で、特に最上層の配線を含む上層配線を形成する場合、接続孔の周囲に生ずるクラウンフェンスを容易に除去して信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a step S2, the spool shaft 16 is unrotatably fixed on the inner peripheral component of a spool 12 made of a magnesium alloy by a serration connection in a state in which an insulating DLC layer 72 is formed on the surface layer side of the spool shaft 16.例文帳に追加

ステップＳ２において、スプール軸１６の表層側に絶縁性ＤＬＣ層７２が形成された状態で、マグネシウム合金製のスプール１２の内周部にスプール軸１６をセレーション結合により回転不能に固定する。 - 特許庁

The auxiliary yoke layer is formed of a plurality of divided auxiliary yoke layers which are extended intermittently in the height direction rear part from a medium opposing plane and connecting magnetically the main magnetic pole layer and a plurality of rear magnetic connection layers.例文帳に追加

補助ヨーク層は、媒体対向面よりハイト方向後方に断続的に延在して主磁極層と複数の後方磁気接続層の間をそれぞれ磁気的に接続する、複数の分断補助ヨーク層により形成する。 - 特許庁

A component 1999 having a first insulating film 1001 is prepared on a substrate, a layer 1002 is provided on the first insulating film, and a mold having a pattern corresponding to the wiring trench and a first connection hole is imprinted on the layer.例文帳に追加

基板上に第１の絶縁膜１００１を有する部材１９９９を用意し、前記第１の絶縁膜上に層１００２を設け、配線溝と第１の接続孔とに対応したパターンを有するモールドを前記層にインプリントする。 - 特許庁

A first supporting plug 22 is arranged in the first region so that the gas is charged or the first inter-layer insulation film is arranged between the first supporting plug 22 and the first connection plug, and reaches from the wiring layer to the base part, and further has a second Young's modulus.例文帳に追加

第１支持プラグ２２は、第１接続プラグとの間に、気体が充填されるかまたは第１層間絶縁膜が配設されるように第１領域内に配設され、配線層から下地部分に達し、且つ第２ヤング率を有する。 - 特許庁

To provide a multi-layer high frequency circuit that is made small in size with high density at a low cost where a connection means between a multi-layer high frequency circuit board and a high frequency circuit component and an air-tight structure with respect to the high frequency circuit component are easily configured.例文帳に追加

多層高周波回路基板と高周波回路素子の接続手段、および高周波回路素子に対する気密構造の構成が容易で、小形化、高密度化、および低価格化の図れる多層高周波回路を得る。 - 特許庁

A plurality of contact holes (for example, a pair of contact holes 12A and 12B) are provided at each wiring connection part that connects the end of the layer (11B or 11C), including the high-melting point metal wiring and the end of the upper wiring layer 14B.例文帳に追加

高融点金属配線を含む層（１１Ｂまたは１１Ｃ）の端部と上層配線層１４Ｂの端部を接続する配線接続部ごとにコンタクトホールが複数（例えば、１２Ａと１２Ｂ等のペア）で設けられている。 - 特許庁

In this magnetic element, a planar coil is sandwiched between the upper magnetic layer and the lower magnetic layer and, at the middle of the planar coil, a primary coil region and a secondary coil region are partitioned and a tap is provided for connection to the outside.例文帳に追加

上部磁性層と下部磁性層との間に平面コイルを狭持した構造になる磁気素子において、該平面コイルの中間位置に、１次コイル領域と２次コイル領域とを区画し、かつ外部と接続するためのタップを設ける。 - 特許庁

Then, stress can be relaxed by the upper-layer protective film 13 made of a resin film, thus preventing cracks from being generated further on the interface between the solder ball 20 and the connection pad of the upper-layer wire 17.例文帳に追加

そして、樹脂フィルムからなる上層保護膜１３によっても応力を緩和することができるので、半田ボール２０と上層配線１７の接続パッド部との界面にクラックがより一層発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

A connection layer 13 with low resistance which connects the position of the p type well region 4 connected to the source electrode 8 and the position right below the gate insulating film 5 below the gate insulating film 6 is provided at part of the insulating layer 11.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４におけるソース電極８に接続された部位とゲート電極６下のゲート絶縁膜５直下の部位とを接続する低抵抗の接続層１３が絶縁層１１の一部に設けられている。 - 特許庁

Since formation of a contact hole for connecting the part between the conducting layer connected with the lower surface of the component and the conducting layer on the surface of the substrate is unnecessary in the mounting method, the reliability of connection after mounting is improved.例文帳に追加

また、上記の実装方法は、部品の下面に接続する導電層と、基板の表面の導電層との間を接続するためのコンタクトホール形成が不要であるために、実装後での接続の信頼性が向上する。 - 特許庁

A method of manufacturing the multilayer wiring board has a process of forming an insulating layer 5 on a base on which bumps 4 for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates 22 and thermocompression-bonding the copper foil 3 onto the insulating layer 5, and a process of patterning the copper foil 3.例文帳に追加

層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁

After a resist layer 22 having a hole 22a exposing a shoulder of the insulation film 16a and a part of the resist layer 20B near the shoulder is formed, a connection hole 24 is formed in a wet-etching process with the resist layers 22, 20B as masks.例文帳に追加

絶縁膜１６ａの肩部とその近傍のレジスト層２０Ｂの一部とを露呈する孔２２ａを有するレジスト層２２を形成した後、レジスト層２２，２０Ｂをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔２４を形成する。 - 特許庁

The power semiconductor components are connected to the circuit using a connection device in an adaptable way, which includes a layer composed of at least two electrically conductive layers and at least one electrically insulated layer, continuing alternately.例文帳に追加

このパワー半導体コンポーネントは、回路に適合する方式で接続デバイスを用いて接続されており、この接続デバイスは、少なくとも２つの導電層と少なくとも１つの電気絶縁層との交互に連続する層を備えている。 - 特許庁