「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce a test element formation region by reducing kinds and quantity of test elements used in a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

本発明は、半導体集積回路で使用するテスト素子の種類、数量を減らし、テスト素子形成領域を減少させることを目的とする。 - 特許庁

After the formation of the predetermined region, a wafer process up to 650°C and thereafter, heat treatment in an assembling process or a working temperature are not limited.例文帳に追加

所定の領域を形成後、６５０℃までのその後のウェーハプロセス、組立工程の熱処理または使用温度が制限されることはない。 - 特許庁

The pushing up member 2 is located at the original position in which the pushing member is apart from the formation region of the cross point CP and is not in contact with the piezo 1.例文帳に追加

押し上げ部材２は、クロスポイントＣＰの形成領域から離反した位置であってピエゾ１と接触しない初期位置に位置する。 - 特許庁

To provide a mask for charged particle exposure in which inner stress generating in a mask pattern formation region can be decreased and a mask pattern can be formed with high accuracy.例文帳に追加

マスクパターン形成領域に生じる内部応力を減少させ、マスクパターンを高精度にできる荷電粒子露光用マスクを提供する。 - 特許庁

In a region between the magnetoresistance effective elements 2, 3 and the fixed resistance element formation regent 80, a third soft magnetic material 71 is provided.例文帳に追加

また、磁気抵抗効果素子２，３と固定抵抗素子形成領域８０との間の領域に第３軟磁性体７１が設けられている。 - 特許庁

The present invention also provides methods for the detection of non-target cleavage products via the formation of a complete and activated protein binding region.例文帳に追加

本発明はまた、完全な活性化されたタンパク質結合領域の形成により非標的開裂産物を検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method which efficiently forms a pattern in an imperfect shot region, improves throughput, and accurately forms the pattern.例文帳に追加

効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sucking member for stably holding an object smaller than a suction port formation region of a sucking table.例文帳に追加

吸着台の吸引孔形成領域よりも小さいサイズの対象物を安定して保持することが可能な吸着用部材を提供する。 - 特許庁

A hole portion 13h is formed by laser-irradiating the formation region of the base insulating layer 1 below the predetermined terminal portion 2t from below.例文帳に追加

予め定められた端子部２ｔ下のベース絶縁層１の形成領域に下方からレーザ光を照射して孔部１３ｈを形成する。 - 特許庁

Heian-kyo (Kyoto) gradually lost its function as government administrator, by the formation of the Kamakura bakufu or Edo bakufu based in the Kanto Region. 例文帳に追加

平安京（京都）は、関東地方を基盤とする鎌倉幕府や江戸幕府の成立によって行政府としての機能を次第に失った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To prevent dot formation from being delayed in a low-density region by determining a threshold value from pixel values around a pixel to be processed.例文帳に追加

処理対象画素の周囲の画素値から閾値を決定することで低濃度の領域においてドット形成の遅延が発生するのを防止する。 - 特許庁

The substrate is subjected to anisotropic etching using the layers 14 as masks and the end part of the surface of an element formation region is exposed to form a trench 16.例文帳に追加

マスク層をマスクにしてＳｉ基板を異方性エッチングし、素子形成領域の表面端部を露出させてトレンチ１６を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device that allows performing the self-aligned formation of an impurity region with high accuracy.例文帳に追加

不純物領域の自己整合的な形成を精度よく行うことができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicide layer 20d is formed on the upper surface and the side surface of a gate electrode wiring 14b located in the shared contact formation region.例文帳に追加

シェアードコンタクト形成領域に位置するゲート電極配線１４ｂの上面上及び側面上にはシリサイド層２０ｄが形成されている。 - 特許庁

Then nitrogen or fluorine is implanted in the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230 through the gate insulating films 3 (or 6).例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜３（または６）越しに、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１に対して、窒素またはフッ素を注入する。 - 特許庁

After that, the pixel formation region 10A_2n+2 is drawn by a group 54_2n+2 of nozzles of the pitch 2P' of the nozzle corresponding to the drawing pitch Pp.例文帳に追加

その後、画素形成領域１０Ａ_２ｎ＋２は、描画ピッチＰｐに対応するノズルのピッチ２Ｐ’のノズル群５４_２ｎ＋２によって描画される。 - 特許庁

Conductive impurity ions are implanted only at a part 25a positioned in a capacitor formation scheduled region in the second PolySi layers 25.例文帳に追加

続いて、第２のＰｏｌｙＳｉ層２５のうち、キャパシタの形成予定領域に位置する部分２５ａのみに、導電型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

A gate electrode 85 is provided during formation of a transistor, which is performed after an element separation trench 2 and an corresponding active region are formed.例文帳に追加

素子分離用トレンチ２と、対応する能動領域とを構成した後に行われるトランジスタの形成中に、ゲート電極８５を備える。 - 特許庁

The circuit board is arranged inside, includes via including resin further, and one end of the via may expose in the electrode formation region 10.例文帳に追加

回路基板は、内部に配置され、樹脂を含むビアをさらに含み、ビアの一方端が、電極形成領域１０において露出していてもよい。 - 特許庁

The plurality of in-layer lenses located at the outer peripheral portion of the in-layer lens formation region 402 do not overlap the common output line.例文帳に追加

層内レンズ形成領域４０２の外周部分に位置する複数の層内レンズは、共通出力線と重ならないようになっている。 - 特許庁

A shallow trench 6a shallower than a shallow trench 3 is formed in the neighborhood of an element formation region 2a in STI comprising the shallow trench 3.例文帳に追加

シャロートレンチ３からなるＳＴＩにおいて、素子形成領域２ａに隣接してシャロートレンチ３より浅いシャロートレンチ６ａを形成する。 - 特許庁

The one end 40a of the leaf spring 40 is fixed to the opposite side of the formation region of the orifice passage 34 across the opening portion 35A.例文帳に追加

板ばね４０の一方端部４０ａは、開口部３５Ａを挟んでオリフィス通路３４の形成領域の反対側に固定されている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus in which sticking of toner on a non-image-formation region on a surface of a latent image carrier is surely suppressed.例文帳に追加

潜像担持体表面の非画像形成領域にトナーが付着することをより確実に抑制できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the formation of a parasitic MOSFET at the end of an active region and can be operated with desired characteristics.例文帳に追加

活性領域端に寄生ＭＯＳＦＥＴが形成されるのを抑制し、所望の特性で以て動作可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a metal thin film formation device and a metal thin film formation method, upon the formation of a plating film on the substrate to be treated, by which a plating film is uniformly formed on a desired region even if the substrate to be treated has a large size, and which contributes to resource saving in a plating liquid.例文帳に追加

被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

After constituting a laminate 14 by pinching a frame plate 2 consisting of a porous PTFE film by mask films 11, 12, formation of a through hole 5 and formation of a colloid particle adhesion region 15 by immersion into a catalyst liquid are carried out.例文帳に追加

多孔質ＰＴＦＥ膜からなるフレーム板２をマスク膜１１，１２により挟んで積層体１４を構成した後、貫通孔５の形成、触媒液への浸漬によるコロイド粒子付着領域１５の形成を行う。 - 特許庁

After that, the carrier tape is separated from the circuit pattern, the solder resist 22 is also formed at the external terminal formation side of the circuit pattern for patterning, and the external connection terminal formation region on the other surface of the circuit pattern is exposed.例文帳に追加

その後、キャリアテープを回路パターンから剥離し、回路パターンの外部端子形成側にもソルダレジスト（２２）を形成しパターニングを行って、回路パターンの他面の外部接続端子形成領域を露出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of suppressing the formation of an electric charge storage region beside a word line or the formation of an oxidized silicon nitride film between the word lines.例文帳に追加

ワードラインの横に電荷蓄積領域が形成されること、または、ワードライン間に酸化窒化シリコン膜が形成されることを抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A heat cycle for reducing a dislocation density is conducted during formation or after formation of the layer 3a, and thereby at least a part of the layer region of the layer 3a is subjected to a heat cycle treatment.例文帳に追加

そして、転位密度低減のための熱サイクルは、オーミックコンタクト層３ａの成膜中または成膜後に行い、これによってオーミックコンタクト層３ａの少なくとも一部の層領域に熱サイクル処理を施している。 - 特許庁

According to the result of the research, while a formation of supply chain between Kansai region and Thailand is observed in the field of electric machinery, no formation of supply chain was identified in the field of transportation machinery and general machinery.例文帳に追加

実証結果によれば、電気機械の分野で関西地域とタイとのサプライチェーンの形成が確認できる一方で、輸送機械や一般機械ではサプライチェーンは成立していないとの結果が示されている。 - 経済産業省

To provide an optical semiconductor device, capable of improving light reflectivity over a broad wavelength range from the visible light region to the ultraviolet light region without complicating the formation process of reflective coat, and capable of efficiently outputting light having a wavelength from the visible light region to the ultraviolet light region to the outside.例文帳に追加

反射被膜の形成工程を煩雑にすることなく、可視光領域から紫外光領域までの広範囲にわたる波長の光の反射率を向上でき、可視光領域から紫外光領域における波長の光を効率良く外部に出力できる光半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a transistor used as a MOS capacitative element, impurities having mutually opposite polarities are added to two impurity regions existent with a channel formation region in between, which are used as a source region or a drain region.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ容量素子として用いるトランジスタにおいて、チャネル形成領域を間に挟んで存在する２つの不純物領域に、互いに極性の異なる不純物を添加し、ソース領域またはドレイン領域として用いることを特徴とする。 - 特許庁

Further, the nitride semiconductor layer 20 formed on the n-type GaN substrate 10 has: a layer thickness-inclined region 5 decreasing in layer thickness inclinedly toward the dug region 5; and a light-emitting part formation region 6 having extremely small variation in layer thickness.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、掘り込み領域３に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。 - 特許庁

Formation of a region with an opposite polarity to that of a drain region and a higher impurity concentration than that of a well area of a MOS transistor in a lower part of the drain region of the MOS transistor, can suppress broadening of a depletion layer between the drain and the well toward the well side.例文帳に追加

MOSトランジスタのドレイン領域の下部に、ドレイン領域とは異なる極性でかつ前記MOSトランジスタのウエル領域よりも不純物濃度が高い不純物領域が形成し、ドレインとウエル間の空乏層のウエル側への広がりを抑制することができる。 - 特許庁

A mask member including a frame surrounding the coat forbidden region to abut with the base material, and a covered region provided inside of the frame to cover the coating forbidden region through a space is installed on the base material before formation of the protective film.例文帳に追加

前記塗布禁止領域を囲んで前記基材に当接する枠部と、前記枠部の内側に設けられる空間を介して前記塗布禁止領域を覆う被覆部と、を備えたマスク部材を、前記保護膜が形成される前の前記基材の上に載置する。 - 特許庁

That is, shapes of an irradiated region of the electron beam and the irradiated region of the ultraviolet rays are made to be matched on a display screen, and strength of ultraviolet rays in the irradiated region of the electron beam is adjusted as retaining reflection electron image formation conditions of the reflected electron image.例文帳に追加

すなわち、電子線の照射領域と紫外線の照射領域の形状を表示画面上で一致させ、電子線の照射領域における紫外線の強度を、反射電子像の反射電子結像条件を保持しながら調整するよう構成した。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

Then, while the semiconductor wafer W is rotated centrally on its central axis, a partially continuing high brightness region is detected by the mark readout optical system (102b) to judge the region as a mark formation region by image processing, and then the rotation of the wafer W is stopped.例文帳に追加

次いで、前記半導体ウェハW を、その中心軸線を中心に回転させて一部に連続する高輝度領域をマーク読取り光学系(102b)で検出し、画像処理して高輝度領域をマーク形成領域であると判断し、同ウェハW の回転を停止させる。 - 特許庁

The high-permittivity gate insulating film 102 is formed at the nMIS and pMIS formation regions on a single-crystal silicon substrate 100, a first metal film 103 without containing silicon and germanium is formed on the gate insulating film 102, the first metal film 103 is allowed to remain on the gate insulating film at the pMIS formation region, and the first metal film 103 is removed at the nMIS formation region.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１００のｎＭＩＳおよびｐＭＩＳ形成領域に高誘電率ゲート絶縁膜１０２を形成し、ゲート絶縁膜１０２上にシリコンおよびゲルマニウムを含まない第一の金属膜１０３を形成し、ｐＭＩＳ形成領域のゲート絶縁膜上に第一の金属膜１０３を残して、ｎＭＩＳ形成領域の第一の金属膜１０３を除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a conductive pattern formation substrate and the conductive pattern formation substrate, in which manufacture is easy without spending time for formation of a wiring region, a high quality transparent conductive film having a hardly visible conductive pattern can be formed in a display region, and electrical reliability is improved by fully securing insulating properties of an insulating part of the transparent conductive film.例文帳に追加

配線領域の形成に手間がかからず製造が容易であり、表示領域においては導電パターンが視認されにくい高品位な透明導電膜を形成できるとともに、該透明導電膜の絶縁部の絶縁性が十分に確保され電気的な信頼性が向上する導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板を提供する。 - 特許庁

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。 - 特許庁

When exposure is carried out, the region corresponding to the light shielding section 26a in the plating resist film 25 for columnar electrode formation is turned to be a non-exposure section, the periphery is turned to be an exposure section, and the other region is turned to be a semi-exposure section.例文帳に追加

露光を行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、遮光部２６ａに対応する領域が非露光部となり、その周囲が露光部となり、それ以外の領域が半露光部となる。 - 特許庁

A stress relaxation layer material B flowing out of the second bonding pad arrangement region is allowed to stay in the recessed groove 12, thus preventing the stress relaxation layer material B from entering the first bonding pad formation region.例文帳に追加

凹溝１２内に第２ボンディングパッド配列領域より流出した応力緩和層材料Ｂを溜めることができ、第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができる。 - 特許庁

A through hole penetrating the silicon substrate 3 from an upper side of the silicon substrate to its backside, is formed in periphery of the element isolation region 6 surrounding the element formation region 5a, and a conductor is embedded to obtain an embedded conductor 9.例文帳に追加

素子形成領域５ａを包囲する素子分離領域６の辺部に上面からシリコン基板３の裏面まで貫通する貫通孔を形成し、内部に導体を埋め込み形成し埋め込み導体９を設ける。 - 特許庁